初步

RT9605A

三通道同步整流降压MOSFET驱动器

概述

该RT9605A是高频的，三通道

同步整流降压MOSFET驱动器专

设计驱动6个功率N - MOSFET的。的部分是

晋升为搭配立锜的多相降压PWM

控制器系列针对高密度电源

实施。 RT9605A的输出驱动器可以

高效开关电源的MOSFET的频率为300kHz

典型的。工作在更高的频率应该考虑

细心的散热。 RT9605A的每个驱动程序

能够驱动3nF的负载在30 / 40ns的上升/下降

时间很少传播延迟，从输入转移到

功率MOSFET的栅极。设备实现

只有一个外部自举在上部栅

电容器和所需的二极管。这降低回路

复杂性，并且允许使用更高的性能，成本

有效的N- MOSFET的。所有驱动程序结合自适应

击穿保护，以防止上，下

从同时进行，缩短MOSFET的

输入电源。该RT9605A还检测到故障

在初始启动之前，该多相位条件

PWM控制器会控制。其结果，在输入电源

将锁存进入关机状态。该RT9605A来

以小尺寸封装VQFN - 24L 4x4的包。

特点

开车6个N MOSFET的3相降压PWM控制

自适应贯通保护

支持高开关频率

快速输出上升/下降时间

传播延迟为40ns

三态输入的大桥关闭

上MOSFET直接短路保护

小型24引脚VQFN封装

符合RoHS标准， 100 ％无铅（Pb ） - 免费

应用

主板上的CPU核心电压供应

高频超薄型DC-DC转换器

高电流低压DC -DC转换器

标识信息

用于标记信息，请联系我们的销售代表

直接地或通过一个锜分配器位于你

区，否则访问我们的网站查看详细。

销刀豆网络gurations

（ TOP VIEW ）

订购信息

PHASE1

RT9605A

套餐类型

QV ： VQFN - 24L的4×4 （ V型）

工作温度范围

P：无铅与商业标准

G：绿色（无卤素与商业用

CIAL标准）

UGATE1

BOOT1

NC

PWM1

PWM2

GND

1

2

3

4

5

6

24

23

22

21

20

19

18

17

16

PHASE2

LGATE1

LGATE2

PVCC1

PVCC2

GND

UGATE2

BOOT2

PVCC3

LGATE3

GND

GND

15

14

25

13

注意：

立锜无铅和绿色的产品有：

符合RoHS标准，电流要求兼容

IPC / JEDEC J- STD- 020的求。

适用于锡铅或无铅焊接工艺。

100 ％雾锡（ Sn）镀层。

7

8

9

10

11

12

VDD

BOOT3

PWM3

VQFN - 24L 4x4的

所有的牌子或商标分别属于其所有者

2007 DS9605A -05月

www.richtek.com

1

UGATE3

PHASE3

GND

RT9605A

典型应用电路

初步

PHASE2

L1

0.5uH

12V

V

IN

1uH

C8

1000uF

C1

33pF

可选

C2

R2

5V

C4

4.7uF

C9

1uF

C10到C13

1500uF ×4

D1

C14

1uF

R18

0

12V

Q1

C15

1uF

R20

0

C24到C35

1000uF的×12

R19 2.2

C16

3.3uF

Q3

Q2

17

UGATE2

R1

15k

C3

10nF

R3 3K

19

PHASE2

21

PVCC2

20

LGATE2

3

NC

Q7

PHASE3

C23

3.3nF

C21

1uF

Q8

R27

2.2

R26

0

D3

C22

1uF

12V

V

IN

L2

0.5uH

V

CORE

Q9

16

7

15

14

10

11可选

C5 1uF的

R17

R

R17

R

C7

1uF

V

CORE

R

R16

PHASE3

BOOT2

PWM3

PWM2

PWM1

BOOT1

UGATE1

PHASE1

R4 110K

VID5

VID0

VID1

R7

VID2

VID3

VID4

R8 6.8K

R9 3.3K

R10 5.1K

13k

R5

R6

56k

27k

RT9605A

LGATE3

PVCC3

14

15

R25

0

C36到C39

10uF的×4

16

13 PWM1

5

COMP

3

FB

VDD

R

垂

6

PI

2 DACQ

R11

1.8k

RT8800

GND

PWM3

PWM2

ISP3

5

4

2

GND

PHASE3

11

12V

UGATE3 10

BOOT3

PVCC1

LGATE1

VDD

9

1 DACFB

ICOMMON

9

PGOOD

DVD 4

RT 7

R12

10k

3.3V

ISP2

ISP1

12

R13

12V

27k

R14

3k

可选

C6

1uF

可选

PHASE2

C17

1uF

PHASE1

D2

1

24

R21

0

22

12V

23

C18

1uF

8

R23

10

R22

0

C19 1uF的

8

5V

SB

PHASE1

L3

0.5uH

R15

16k

430

可选

R

ICOMMON2

R

ICOMMON1

Q4

12V V

IN

R24

2.2

Q5

C20

3.3nF

Q6

功能引脚说明

UGATE1 （引脚1 ） ， UGATE2 （引脚17 ） ， UGATE3 （引脚10 ）

上栅极驱动输出。应连接到所述

上MOSFET栅极。

BOOT1 （ 2脚） ， BOOT2 （引脚16 ） ， BOOT3 （引脚9 ）

浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。

连接该引脚和之间的自举电容

PHASE引脚。自举电容提供充电

打开上部MOSFET 。

NC （引脚3 ）

无连接。

PWM1 （引脚4 ） ， PWM2 （ 5脚） ， PWM3 （引脚7 ）

PWM输入控制信号。该引脚连接至PWM

输出控制器。如果PWM信号进入和

依然是关机的窗口中，都UGATE

和LGATE正在掘进低，禁用输出MOSFET 。

LGATE1 （引脚23 ） ， LGATE2 （引脚20 ） ， LGATE3 （引脚14 ）

更低的栅极驱动输出。应连接到下

MOSFET栅极。

PVCC1 （引脚22 ） ， PVCC2 （引脚21 ） ， PVCC3 （引脚15 ）

电源输入。连接到+ 12V电源。将旁路

这个引脚和PGND之间的电容。

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2

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GND [引脚6 ， 12 ， 13 ， 18 ，裸露焊盘（ 25 ） ]

芯片电源地。裸露焊盘必须焊接

一个大型PCB和连接到GND最大功率

耗散。

VDD （引脚8 ）

电源输入。连接到+ 5V待机电源。一个地方

该引脚与GND之间的旁路电容。

PHASE1 （引脚24 ） ， PHASE2 （引脚19 ） ，三期（引脚11 ）

上部驱动的回报。应连接到公共

上和下MOSFET的节点。相电压

被监测的自适应贯通保护。

初步

功能块图

BOOT1

RT9605A

VDD

UGATE1

总之，通过保护

PWM1

PHASE1

PVCC1

LGATE1

GND

VDD

BOOT2

UGATE2

PWM2

控制

逻辑

总之，通过保护

PHASE2

PVCC2

LGATE2

GND

VDD

BOOT3

UGATE3

总之，通过保护

PWM3

PHASE3

PVCC3

LGATE3

GND

时序图

PWM

T

PDUGATE

T

的Rugate

T

富盖特

UGATE

LGATE

T

FLGATE

T

RLGATE

T

PDLGATE

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RT9605A

绝对最大额定值

初步

（注1 ）

电源电压，P

VCC

----------------------------------------------------------------------------------- 15V

电源电压，V

DD

------------------------------------------------------------------------------------- 7V

相对于GND

DC ------------------------------------------------------------------------------------------------------------

5V至15V

引导到相----------------------------------------------- ------------------------------------------ 15V

引导至GND

DC ------------------------------------------------------------------------------------------------------------

0.3V至V

CC

+15V

< 200ns的-----------------------------------------------------------------------------------------------------

0.3V至42V

相对于GND ----------------------------------------------- --------------------------------------------

4V至15V

< 200ns的-----------------------------------------------------------------------------------------------------

10V至30V

PWM输入电压----------------------------------------------- --------------------------------------- GND - 0.3V至7V

UGATE ------------------------------------------------------------------------------------------------------ V

相

- 0.3V至V

BOOT

+ 0.3V

LGATE ------------------------------------------------------------------------------------------------------ GND - 0.3V至V

PVCC

+ 0.3V

封装热阻（注4 ）

VQFN - 24L 4x4的，

θ

JA

-------------------------------------------------- ------------------------------------ 67 ° C / W

引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- --------------------- 260℃

存储温度范围----------------------------------------------- ----------------------------

40 ℃150 ℃的

ESD易感性（注2 ）

HBM （人体模式） -------------------------------------------- ---------------------------------千伏

MM （机器模式） --------------------------------------------- ---------------------------------------- 100V

推荐工作条件

（注3）

电源电压，V

DD

------------------------------------------------------------------------------------- 12V ±10%

环境温度范围----------------------------------------------- ---------------------------- 0 ° C至70℃

结温范围----------------------------------------------- ---------------------------- 0 ° C至125°C

电气特性

（推荐工作条件，T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

VDD电源电流

工作电流

上电复位

POR阈值

迟滞

PWM输入

输入电流

浮动电压

PWM阈值

符号

I

VDD

PV

CCRTH

PV

CCHYS

I

PWM

V

PWMfl

V

PWMrth

V

PWMfth

测试条件

频率= 250kHz的

民

--

6

--

典型值

--

6.5

0.15

300

2.2

3.7

1.38

最大

10

7.5

--

500

2.6

4.3

1.5

单位

mA

PV

CC

升起

V

V

μA

V

V

V

V

PWM

_

IN

= 0V或5V

P

VCC

= 12V

PWM_IN上升

PWM_IN下降

200

1.8

3.3

1.0

待续

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初步

参数

产量

UGATE上升时间

UGATE下降时间

LGATE上升时间

LGATE下降时间

UGATE关断传播延迟

LGATE关断传播延迟

关闭窗口

T

的Rugate

T

富盖特

T

RLGATE

T

FLGATE

T

PDUGATE

T

PDLGATE

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

--

--

--

--

--

--

1.0

符号

测试条件

民

RT9605A

典型值

30

40

30

30

40

35

--

最大

--

--

--

--

--

--

4.3

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

V

注： 1 。

列为上述应力

“绝对

最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些是

压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的

规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作

期间可能仍然可能影响器件的可靠性。

注2 。

设备是ESD敏感。处理防范建议。

注3 。

该设备是不能保证超出其工作条件下运行。

注4 。

θ

JA

是在T测定在自然对流

A

= 25℃上的一个低的有效热导率测试板

JEDEC 51-3的热测量标准。

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