RF5110G

3V GSM功率放大器

符合RoHS &无铅产品

封装形式： QFN ， 16引脚， 3× 3

APC1

APC2

VCC

14

特点

单一2.7V至4.8V电源电压

AGE

+ 36dBm的输出功率为3.5V

32分贝增益与模拟GAIN（增益）

TROL

57 ％的效率

800MHz至950MHz的运行

支持GSM和E -GSM

VCC1

GND1

在RF

GND2

1

2

3

4

16

15

13

12

11

10

9

RF OUT

RF OUT

RF OUT

RF OUT

5

VCC2

6

VCC2

7

NC

应用

3V GSM蜂窝手机

3V双频/三频手 -

套

GPRS兼容

商业和消费系

TEMS

便携式电池供电分析装备

换货

FM收音机应用：

150MHz/220MHz/

450MHz/865MHz/915MHz

功能框图

产品说明

该RF5110G是一种高功率，高效率的功率放大器模块提供高

性能中的GSM或GPRS的应用程序。该器件在一个制造

先进的GaAs HBT工艺制造，并已被设计用作最后的射频扩增

费里GSM中的手持式数字蜂窝设备和在其它应用中

800MHz至950MHz的频段。板载电源控制提供了控制70分贝

范围与模拟电压输入，并提供功率下降为逻辑“低”为

待机操作。该设备是自包含50Ω输入和输出可

可以很容易地匹配，以获得最佳的功率和效率的特点。该

RF5110G可以连同RF5111用于双波段操作中使用。该

器件采用超小型3mmx3mmx1mm塑料封装， minimiz-

荷兰国际集团所需的电路板空间。

订购信息

RF5110G

3V GSM功率放大器

RF5110GPCBA -410完全组装的评估板

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A4 DS071026

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

2f0

NC

8

1 22

RF5110G

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

APC1,2

)

直流电源电流

输入射频功率

占空比最大功率

输出负载VSWR

工作温度

储存温度

等级

-0.5到+6.0

-0.5到+3.0

2400

+13

50

10:1

-40至+85

-55到+150

单位

V

DC

V

mA

DBM

%

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

整体

工作频率范围

可用频率范围

最大输出功率

总有效率

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= 25 ° C，V

CC

=3.6V, V

APC1,2

=2.8V,

P

IN

= + 4.5dBm ，频率= 880MHz至915MHz ，

37.5 ％占空比，脉冲宽度= 1731μs

880到915

800 950

33.8

33.1

50

57

12

5

34.5

兆赫

兆赫

DBM

DBM

%

%

%

+9.5

-72

DBM

DBM

见评估板电路图。

使用不同的评估板调。

温度= 25 ° C，V

CC

=3.6V, V

APC1,2

=2.8V

温度= + 60 ° C，V

CC

=3.3V, V

APC1,2

=2.8V

在P

出，最大

, V

CC

=3.6V

P

OUT

=+20dBm

P

OUT

=+10dBm

RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，

P

OUT ， MIN

<P

OUT

<P

出，最大

,

P

IN， MIN

<P

IN

<P

IN，最大

, V

CC

= 3.3V至5.0V

RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，

P

OUT ， MIN

<P

OUT

<P

出，最大

,

P

IN， MIN

<P

IN

<P

IN，最大

, V

CC

= 3.3V至5.0V

V

APC1,2

= 0.3V时， P

IN

=+9.5dBm

P

IN

=+9.5dBm

P

IN

=+9.5dBm

输入电源的最大输出

输出噪声功率

+4.5

+7.0

-81

DBM

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波

伪

输入阻抗

最佳源阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

稳定性

耐用性

输出负载阻抗

8:1

10:1

2.6-j1.5

50

40+j10

-20

-25

-22

-7

-7

-36

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

Ω

为了获得最佳的噪声性能

P

出，最大

-5dB<P

OUT

<P

出，最大

P

OUT

<P

出，最大

-5dB

Spurious<-36dBm ，V

APC1,2

= 0.3V至2.6V ，

RBW=100kHz

无损伤

2.5:1

4:1

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

2 22

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A4 DS071026

RF5110G

参数

功率控制V

APC1

V

APC2

功率控制“开”

功率控制“关”

功率控制范围

增益控制斜率

APC输入电容

APC输入电流

开/关时间

4.5

2.6

0.2

75

5

100

150

10

5

25

100

3.5

2.7

4.8

5.5

电源电流

15

2

200

1

1

335

10

10

0.5

V

V

dB

分贝/ V

pF

mA

μA

ns

V

V

V

A

mA

μA

μA

最大P

OUT

电路，电压提供给输入

最低P

OUT

电路，电压提供给输入

V

APC1,2

= 0.2V至2.6V

P

OUT

= -10dBm至+ 35dBm的

DC至2MHz

V

APC1,2

=2.8V

V

APC1,2

=0V

V

APC1,2

= 0 2.8V

特定网络阳离子

标称工作范围，P

OUT

<+35dBm

最大输出负载VSWR 6 ： 1 ，

P

OUT

<+35dBm

在P直流电流

出，最大

待机电流，P

IN

<-30dBm

P

IN

<-30dBm ，V

APC1,2

=0.2V

P

IN

<-30dBm ，V

APC1,2

= 0.2V ，温度= + 85°C

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

电源

电源电压

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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

3 22

RF5110G

针

1

功能

VCC1

描述

电源用于预放大级和级间匹配。该引脚

形成所需要的级间的正确调谐的并联电感

匹配。请参阅应用原理进行适当的配置。记

组件的该位置和值是很重要的。

接地连接于所述预放大器级。保持身体的痕迹短

和立即连接到接地平面以获得最佳性能。这是

对于稳定的重要，该引脚都有它自己的过孔到地平面，以

尽量减少任何常见的电感。

RF输入。这是一个50Ω的输入，但实际的阻抗依赖于

级间匹配网络连接到引脚1的外部隔直流

如果此端口被连接到一个直流通路到地或需要电容器

直流电压。

接地连接的驱动级。以最小化噪声功率在

输出，建议带着一丝约达40mil连接这个引脚

到接地平面。这将稍微降低小信号增益，

降低噪声功率。重要的是稳定该引脚有它自己的

过孔到接地平面，最大限度地减少普通电感。

电源为驱动级和级间匹配。该引脚形式

并联电感所需的级间匹配适当的调整。

请参阅应用原理图进行适当配置，

注意，位置和所述部件的值是很重要的。

相同的引脚5 。

未连接。

连接的二次谐波陷阱。该引脚在内部连接

到RF OUT引脚。键合线与外部电容

形成串联谐振器，它应被调谐到的二次谐波频

昆西以提高效率和减少杂散输出。

RF输出和电源的输出级。偏压为最终

舞台通过这种广泛的输出引脚提供。外部匹配网络

工作是必需的，以提供最佳负载阻抗。

同销9 。

接口示意图

见3脚。

2

GND1

见引脚1 。

3

在RF

VCC1

在RF

偏见

GND1

阶段

4

GND2

见3脚。

5

VCC2

VCC2

偏见

GND2

阶段

6

7

8

VCC2

NC

2F0

9

RF OUT

RF OUT

偏见

GND

阶段

PCKG BASE

10

11

12

13

14

15

16

RF OUT

RF OUT

RF OUT

NC

VCC

APC2

APC1

同销9 。

同销9 。

同销9 。

未连接。

电源的偏置电路。

功率控制的输出级。请参见引脚16的更多细节。

功率控制用于驱动级和前置放大器。当该引脚为"low ， "

所有的电路都切断。一个"low"通常是0.5V或更低温度的房间

真实存在。分流旁路电容是必需的。在正常操作该引脚

是功率控制。控制范围从大约1.0V变化为-10dBm到

2.6V为+ 35dBm的射频输出功率。这可以是最大功率

实现取决于实际的输出匹配;看到应用信息，

息的更多细节。最大电流到该引脚为5mA时

V

APC1

= 2.6V ，并且0毫安当V

APC

=0V.

同销9 。

同销9 。

见引脚16 。

APC

VCC

射频

的TA克（E S）

GND

GND

PKG

BASE

GND

接地输出级。该焊盘应连接到

地平面由直属装置的通孔。短路径是必需的

以获得最佳的性能，以及提供了良好的热路径

到PCB为最大的散热。

4 22

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A4 DS071026

RF5110G

封装图

-A-

3.00 SQ 。

0.15 C A

2 PLCS

1.00

0.85

0.80

0.65

0.05 C

1.50 TYP

2 PLCS

0.15 C B

0.05

0.01

12°

最大

2 PLCS

0.15 C B

-B-

1.37 TYP

2 PLCS

0.15 C A

-C-

尺寸（mm） 。

0.10 M C A B

座位

飞机

2.75 SQ 。

0.60

0.24

典型值

0.45

0.00

4 PLC的

阴影铅引脚1 。

0.30

0.18

1.65

平方米。

1.35

0.23

0.13

4 PLC的

0.50

0.55

0.30

转A4 DS071026

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 22

RF5110G

0

符合RoHS &无铅产品

典型应用

3V GSM蜂窝手机

3V双频/三频手机

GPRS兼容

商业和消费系统

- 便携式电池供电设备

FM收音机应用范围：为150MHz / 220MHz的/

450MHz/865MHz/915MHz

3V GSM功率放大器

产品说明

-A-

3.00 SQ 。

0.15 C A

2 PLCS

该RF5110G是一种高功率，高效率电源

功放模块GSM或提供高性能

GPRS的应用程序。该器件在一个制造

先进的GaAs HBT工艺制造，并已被设计为

在GSM手持式数字CEL-最终RF放大器使用

细胞性设备和其他应用程序在800MHz至

950MHz的频段。板载电源控制提供了

70分贝的控制范围与模拟电压输入，并

提供功率下降为逻辑“低”为备用操作

化。该设备是自包含50Ω输入和

输出可以很容易地匹配，以获得最佳的动力

和效率特征。该RF5110G可以使用

加上RF5111双频操作。该

器件采用超小3mmx3mmx1mm

塑料封装，减少了所需的电路板空间。

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

1.00

0.85

0.80

0.65

0.05 C

1.50 TYP

2 PLCS

0.15 C B

0.05

0.01

12°

最大

2 PLCS

0.15 C B

-B-

1.37 TYP

2 PLCS

0.15 C A

-C-

尺寸（mm） 。

0.10 M C A B

座位

飞机

2.75 SQ 。

0.60

0.24

典型值

0.45

0.00

4 PLC的

阴影铅引脚1 。

0.30

0.18

1.65

平方米。

1.35

0.23

0.13

4 PLC的

0.50

0.55

0.30

封装形式： QFN ， 16引脚， 3×3

特点

单2.7V至4.8V电源电压

+ 36dBm的输出，在3.5V电源

APC1

APC2

VCC

NC

32分贝增益与模拟增益控制

57 ％的效率

12

11

10

9

RF OUT

RF OUT

RF OUT

RF OUT

16

VCC1

GND1

在RF

GND2

1

2

3

4

5

VCC2

15

14

13

800MHz至950MHz的运行

支持GSM和E -GSM

订购信息

RF5110G

3V GSM功率放大器

RF5110GPCBA - 410Fully组装的评估板

6

VCC2

7

NC

8

2f0

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

转A3 060814

2-1

RF5110G

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

APC1,2

)

直流电源电流

输入射频功率

占空比最大功率

输出负载VSWR

工作温度

储存温度

等级

-0.5到+6.0

-0.5到+3.0

2400

+13

50

10:1

-40至+85

-55到+150

单位

V

DC

V

mA

DBM

%

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC

（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

整体

工作频率范围

可用频率范围

最大输出功率

总有效率

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= 25 ° C，V

CC

=3.6V, V

APC1,2

=2.8V,

P

IN

= + 4.5dBm ，频率= 880MHz至915MHz ，

37.5 ％占空比，脉冲宽度= 1731μs

见评估板电路图。

使用不同的评估板调。

温度= 25 ° C，V

CC

=3.6V, V

APC1,2

=2.8V

温度= + 60 ° C，V

CC

=3.3V, V

APC1,2

=2.8V

在P

出，最大

, V

CC

=3.6V

P

OUT

=+20dBm

P

OUT

=+10dBm

RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，

P

OUT ， MIN

<P

OUT

<P

出，最大

,

P

IN， MIN

<P

IN

<P

IN，最大

, V

CC

= 3.3V至5.0V

RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，

P

OUT ， MIN

<P

OUT

<P

出，最大

,

P

IN， MIN

<P

IN

<P

IN，最大

, V

CC

= 3.3V至5.0V

V

APC1,2

= 0.3V时， P

IN

=+9.5dBm

P

IN

=+9.5dBm

P

IN

=+9.5dBm

33.8

33.1

50

880到915

800 950

34.5

57

12

5

+7.0

输入电源的最大输出

输出噪声功率

+4.5

+9.5

-72

兆赫

兆赫

DBM

DBM

%

%

%

DBM

DBM

-81

DBM

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波

伪

输入阻抗

最佳源阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

稳定性

耐用性

输出负载阻抗

8:1

10:1

-20

-25

-22

-7

-7

-36

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

Ω

50

40+j10

2.5:1

4:1

为了获得最佳的噪声性能

P

出，最大

-5dB<P

OUT

<P

出，最大

P

OUT

<P

出，最大

-5dB

Spurious<-36dBm ，V

APC1,2

= 0.3V至2.6V ，

RBW=100kHz

无损伤

在RF OUT垫提出负载阻抗

最大P

OUT

电路，电压供给到

输入

最低P

OUT

电路，电压提供给输入

V

APC1,2

= 0.2V至2.6V

P

OUT

= -10dBm至+ 35dBm的

DC至2MHz

V

APC1,2

=2.8V

V

APC1,2

=0V

V

APC1,2

= 0 2.8V

2.6-j1.5

2.6

0.2

75

5

0.5

100

4.5

150

10

5

25

100

Ω

V

V

dB

分贝/ V

pF

mA

μA

ns

功率控制V

APC1

V

APC2

功率控制“开”

功率控制“关”

功率控制范围

增益控制斜率

APC输入电容

APC输入电流

开/关时间

2-2

转A3 060814

RF5110G

参数

电源

电源电压

2.7

3.5

4.8

5.5

2

200

1

1

V

V

V

A

mA

μA

μA

特定网络阳离子

标称工作范围，P

OUT

<+35dBm

最大输出负载VSWR 6 ： 1 ，

P

OUT

<+35dBm

在P直流电流

出，最大

待机电流，P

IN

<-30dBm

P

IN

<-30dBm ，V

APC1,2

=0.2V

P

IN

<-30dBm ，V

APC1,2

= 0.2V ，温度= + 85°C

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

电源电流

15

335

10

10

转A3 060814

2-3

RF5110G

针

1

功能

VCC1

描述

电源用于预放大级和级间匹配。这

销形成所需的间的正确调谐的并联电感

阶段比赛。请参考应用电路图进行适当的配置

化。注意，位置和部件的值是很重要的。

接地连接于所述预放大器级。保持身体的痕迹

短并立即连接到接地平面最好perfor-

曼斯。它是稳定的重要，该引脚都有它自己的过孔的

接地面，以尽量减少任何普通电感。

RF输入。这是一个50Ω的输入，但实际的阻抗依赖于

级间匹配网络连接到引脚1，外部直流嵌段

如果此端口被连接到一个直流接地路径是必需的荷兰国际集团电容器

或直流电压。

接口示意图

见3脚。

2

GND1

见引脚1 。

3

在RF

VCC1

在RF

偏见

GND1

阶段

4

GND2

5

VCC2

接地连接的驱动级。以最小化噪声功率见销3 。

输出，建议带着一丝关于连接这个引脚

40mil的到地平面。这将稍微降低小信号

获益，并降低噪声功率。正是出于稳定性，该引脚重要

有它自己的过孔与接地平面，最大限度地减少普通电感。

电源为驱动级和级间匹配。该引脚

形成所需要的级间的正确调谐的并联电感

匹配。请参阅应用原理图进行适当的配置

化，并注意位置和价值的成分是非常重要的。

相同的引脚5 。

未连接。

连接的二次谐波陷阱。该引脚在内部CON-

，连接到该射频输出引脚。键合线与外部

电容构成串联谐振器，它应调谐到所述第二

为了提高效率和减少杂散谐波频率

输出。

RF输出和电源的输出级。偏置电压的

最后一个阶段是通过这种广泛的输出引脚提供。外部匹配 -

荷兰国际集团网络是必需的，以提供最佳负载阻抗。

同销9 。

VCC2

偏见

GND2

阶段

6

7

8

VCC2

NC

2F0

9

RF OUT

RF OUT

偏见

阶段GND

PCKG BAS

10

11

12

13

14

15

16

RF OUT

RF OUT

RF OUT

NC

VCC

APC2

APC1

同销9 。

同销9 。

同销9 。

未连接。

电源的偏置电路。

功率控制的输出级。请参见引脚16的更多细节。

功率控制用于驱动级和前置放大器。当该引脚为

"low ， "所有电路都关闭。一个"low"通常是0.5V或更低，在室温

温度。分流旁路电容是必需的。在正常操作

ATION该引脚为功率控制。控制范围从大约1.0V变化

为-10dBm至2.6V为+ 35dBm的射频输出功率。最大功率

可以实现依赖于实际的输出匹配;看

应用信息以获取更多详细信息。的最大电流成此

引脚为5mA时， V

APC1

= 2.6V ，并且0毫安当V

APC

=0V.

同销9 。

同销9 。

见引脚16 。

APC VCC

射频

阶段

GND

GND

PKG

BASE

GND

接地输出级。该焊盘应连接

通过直接在该装置的通孔的接地平面。短路径

需要以获得最佳的性能，以及提供了良好的

热路径连接至PCB为最大的散热。

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RF5110G

的操作和应用信息论

该RF5110G是一个三阶段的器件具有32 dB增益的全功率。因此，所需的驱动完全饱和的输出

看跌期权+ 3dBm的。基于HBT （异质结双极晶体管）技术，该部分仅需要一个正

3V电源运行，以全面规范。功率控制是通过一个引脚接口提供了独立的电源

断控制引脚。最后阶段地通过大垫在包的背面的中间实现的。

第一阶段和第二阶段的理由是带出了通过独立的接地引脚从输出隔离。这些

理由应该直接与通孔连接至PCB地平面相连，并与输出地向未连接

形成在PCB的顶层上一个所谓的“局部地平面” 。的输出被带出通过宽输出焊盘，

并形成RF输出信号路径。

该放大器工作在接近C级偏置模式。最后一个阶段是“深AB ”，意思是静态电流非常

低。作为射频驱动器的增加，最后阶段的自偏压，使偏置点转移起来，在全功率，平

关于2000毫安。最佳负载的输出级是约2.6Ω 。这是负载在输出集电极和

通过由输出接合线，通孔，和微带构成的串联电感，和2并联电容器创建克斯特

纳尔的一部分。在RF输出焊盘的最佳负载阻抗为2.6 j1.5Ω 。随着本场比赛，一个50Ω的终端阻抗

ANCE实现。该输入在内部匹配至50Ω只需要一个隔直电容。此数据表定义

配置为GSM运营。

该输入DC耦合;因而，阻塞帽必须被串联插入。另外，第一级的偏置可以通过调整

高值电阻在这个引脚到V电阻分压器

PC

和地面。对于正常操作，但是，没有外部

调整是必要的，因为内部电阻设置偏置点最佳。

VCC1和VCC2提供电源电压对第一和第二级，以及提供了一些频率选择性

调谐到该工作频带。从本质上讲，偏压通过短微带输送到该引脚。旁路电容设置

电感看到的部分，所以旁路电容的放置可能会影响增益峰值的频率。该电源

应单独旁路电容100pF的被合并V前

CC

对输出级，以防止

反馈和振荡。

该RF OUT引脚提供的输出功率。偏压为最后阶段被输送到该输出线和进料必须capa-

BLE的支持约2A电流的要求。应当小心，以保持低的偏置饲料中的损失

和输出部件。窄微带线是建议，因为在偏置扼流圈的直流损耗会降低艾菲

效率和功率。

而部分是连续波操作安全，最大功率和可靠性将脉冲条件下才能实现。该

本数据表中所示的数据是基于12.5 ％的占空比和一个600μs脉冲，除非另有规定。

该器件将工作在3.0V至5.0V范围内。在正常条件下， 3.5V的功率将大于

+ 34.5dBm温度为+ 90 ℃。随着电压增加，但是，其输出功率会增大。因此，在系统设计中，该

ALC （自动电平控制）环路将电力回落到理想水平。这必须发生在操作期间，或

该装置可以从过多的功耗损坏。在5.0V ，较+ 38dBm可能产生;然而，这

不推荐使用的功率电平，并且可能会损坏设备。

HBT的击穿电压>20V ，所以有没有问题，过电压。然而，在最坏的情况下，与

射频驱动器在发射期间全功率，并且输出电压驻波比非常高，在所述集电极的低负载阻抗

输出晶体管可引起电流比正常情况要高得多。由于器件的双极性质，就没有

不限上的电流降装置会下沉量和安全的电流密度可能被超过。

大电流条件下有潜在危险的任何射频设备。大电流导致高通道的温度和

可能迫使早期故障。该RF5110G包括在所述偏置网络，以稳定的温度补偿电路

RF晶体管，从而限制了电流流过放大器和保护设备免受损坏。同样的机器人，

NISM工程，把电流补偿由于环境温度变化。

以避免过高的电流，它是重要的是控制在V

APC

当在电源电压高于4.0V较高的工作，

使得最大输出功率不超过。

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