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R 1 3 X系列
TP3X
晶体管
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
描述
RT1P434X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻, NPN型是RT1N434X 。
RT1P434U
1.6
外形绘图单位:m
m
RT1P434C
2.5
0.4
0.5
1.5
0.5
特征
内置的偏置电阻(R1 = 4.7kΩ上,R2 = 22KΩ ) 。
0.5
0.4
0.8
0.3
2.9
1.90
0.95 0.95
1.6
1.0
应用
反相电路,开关电路,接口电路,
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
00.1
R1
B
(中)
R2
C
(下)
JEITA
JEDEC
端子连接器
: BASE
:辐射源
-collector
RT1P434M
2.1
0.425
1.25
0.425
JEITA
:SC-59
JEDEC
:类似TO- 236
端子连接器
: BASE
:辐射源
-collector
RT1P434S
4.0
E
(GND)的
2.0
1.3
0.65 0.65
0.3
3.0
00.1
等效电路
0.5
14.0
1.0
1.0
0.1
0.45
1.27 1.27
0.9
0.15
0.4
2.5
0.7
JEITA
:SC-70
JEDEC
端子连接器
: BASE
:辐射源
-collector
00.1
JEITA
JEDEC
端子连接器
:辐射源
-collector
: BASE
谏早电子股份有限公司
0.4
R 1 3 X系列
TP3X
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
BO
BO
EO
CM
½
T½
½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
RT1P434U
等级
RT1P434M
RT1P434C
-50
-6
-50
-100
-200
200
+150
-55+150
晶体管
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
RT1P434S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
极限
典型值
150
+150
-55+150
450
电气特性(Ta = 25℃)
符号
BR)CEO
CBO
½
E ½½
C ( ½)
( N
IO )
( F )
IO F
R /R
½
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA,R
BE
=∞
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
V
CE
=-0.2V,I
C
=-5mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100μA
-50
50
-0.1
-0.9
-0.7
4.7
4.7
150
-0.3
-1.7
6.1
5.1
最大
-0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
-0.5
3.3
4.2
V
CE
=-6V,I
E
=10mA
典型特征
输入电压集电极电流
-10
输入电压IO )V
V( N ( )
正向直流电流增益F
½E
1000
直流正向电流增益-collector电流
100
-1
10
-0.1
-1
-10
Collector CurrentC ½A
I( )
集电极电流 - 输入电压关
-100
1
-1
-10
Collector CurrentC ½A
I( )
-100
-1000
集电极电流C μA
I( )
-100
-10
-0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
输入过电压IOF )V
V( F ( )
-2
谏早电子股份有限公司
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h
禁止的。
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Jan.2003
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