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1.5V驱动P沟道MOSFET
RT1A040ZP
结构
硅P沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
TSST8
(8)
(7)
(6)
(5)
特点
1)低导通电阻。
2 )高功率封装。
3 )低电压驱动。 ( 1.5V )
(1)
(2)
(3)
(4)
缩写符号: YE
每根导线具有相同的尺寸
应用
开关
包装规格
TYPE
RT1A040ZP
CODE
基本订购单位( piecies )
TAPING
TR
3000
等效电路
(8)
(7)
(6)
(5)
2
1
( 1 )排水
( 2 )排水
( 3 )排水
( 4 )门
( 5 )资料来源
( 6 )排水
( 7 )排水
( 8 )漏
(1)
(2)
(3)
(4)
* 1 ESD保护二极管
* 2体二极管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
存储1.5v1号范围
1
PW为10μs ,占空比1 %
2
当安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
12
±10
±4
±16
1
16
1.25
150
55
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
2
热阻
参数
渠道环境
当安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
100
单位
°C
/ W
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2009.01 - Rev.A的
RT1A040ZP
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
分钟。
典型值。
22
30
40
55
2350
310
280
11
70
380
210
30
4.0
3.5
马克斯。
±10
1
1.0
30
42
60
110
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
12
格特零电压漏电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
0.3
静态漏源导通状态
R
DS ( ON)
阻力
6.5
Y
fs
正向转移导纳
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
导通延迟时间
t
D(上)
t
r
上升时间
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
t
f
下降时间
Q
g
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
单位
A
V
A
V
m
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
12V,
V
GS
=0V
V
DS
=
6V,
I
D
=
1mA
I
D
=
4A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
2A,
V
GS
=
2.5V
I
D
=
2A,
V
GS
=
1.8V
I
D
=
0.8A,
V
GS
=
1.5V
V
DS
=
6V,
I
D
=
4A
V
DS
=
6V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
6
V
I
D
=
2A
V
GS
=
4.5V
R
L
3
R
G
=10
V
DD
6V
R
L
1.5
R
G
=10
I
D
=
4A
V
GS
=
4.5V
体二极管的特性
(图片来源 - 漏) ( TA = 25 ℃)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=
4A,
V
GS
=0V
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2009.01 - Rev.A的
RT1A040ZP
电气特性曲线
10
-1.8V
-1.5V
10
数据表
10
漏电流: -I
D
[A]
-4.5V
-2.2V
-1.7V
V
DS
=-6.0V
脉冲
漏电流: -I
D
[A]
漏电流: -I
D
[A]
8
6
4
2
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-10V
-4.5V
-2.5V
-1.3V
8
-1.3V
1
6
-1.2V
4
0.1
Ta=125
Ta=75
Ta=25
TA = -25
V
GS
=-1.1V
2
V
GS
=-1.2V
Ta=25℃
脉冲
Ta=25℃
脉冲
0
2
4
6
8
10
0.01
0
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
漏源电压: -V
DS
[V]
图1典型的输出特性( Ⅰ )
漏源电压: -V
DS
[V]
图2典型的输出特性( Ⅱ )
栅源电压: -V
GS
[V]
图3典型的传输特性
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
Ta=25℃
脉冲
V
GS
= -4.5V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
1000
1000
1000
V
GS
= -2.5V
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
10
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
0.1
1
-1.5V
-1.8V
-2.5V
-4.5V
10
10
10
1
1
0.1
1
漏电流: -I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
10
1
0.1
1
漏电流: -I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
10
漏电流: -I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
V
GS
= -1.8V
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
V
GS
= -1.5V
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
正向转移导纳
: | YFS | [S ]
1000
1000
100
V
DS
= -6V
脉冲
10
10
10
1
TA = -25C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
1
0.1
1
漏电流: -I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏
10
1
0.1
1
漏电流: -I
D
[A]
图8静态漏源导通状态
电阻与漏
10
0
0.1
1.0
10.0
漏电流: -I
D
[A]
图9正向转移导纳
与漏电流
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RT1A040ZP
反向漏电流: -Is [ A]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
10
数据表
100
80
I
D
= -4.0A
60
I
D
= -2.0A
40
20
0
0
2
4
6
8
10
Ta=25°C
脉冲
10000
Ta=25℃
V
DD
= -6.0V
V
GS
=-4.5V
RG=10
脉冲
切换时间: T [ NS ]
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
1000
100
TD (关闭)
tf
0.1
V
GS
=0V
脉冲
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
tr
TD (上)
1
0.0
0.1
1.0
10.0
源极 - 漏极电压: -V
SD
[V]
图10反向漏电流
与水稻源漏
栅源电压: -V
GS
[V]
图11静态漏源导通状态
电阻与栅源
漏电流: -I
D
[A]
图12开关特性
5
栅源电压: -V
GS
[V]
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
Ta=25℃
V
DD
=-6V
I
D
=-4.0A
R
G
=10
脉冲
10000
西塞
电容: C [ pF的]
Ta=25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
CRSS
科斯
100
0.01
0.1
1
10
100
总栅极电荷:的Qg [ NC ]
图13动态输入特性
漏源电压: -V
DS
[V]
图14典型电容
与漏源
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RT1A040ZP
测量电路
数据表
脉冲宽度
I
D
V
GS
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
10%
50%
10%
90%
50%
10%
90%
V
DS
90%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
tf
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
I
D
V
GS
R
L
I
G(常量)。
R
G
D.U.T.
V
DD
V
DS
V
GS
Q
gs
Q
g
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下,芯片的老化和损坏。
请考虑设计的ESD保护电路。
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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