【数据表4V驱动P沟道MOSFETRSQ015P10结构硅P沟道MOSFET尺寸（单位：毫米）TSMT】,IC型号RSQ015P10,RSQ015P10 PDF资料,RSQ015P10经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

4V驱动P沟道MOSFET

RSQ015P10

结构

硅P沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

TSMT6

■特点

1）低导通电阻。

2 ）低电压驱动（ 4V ）。

3 ）小型表面贴装封装（ TSMT6 ）。

缩写符号： ZN

应用

开关

包装规格

包

TYPE

CODE

基本订购单位（件）

RSQ015P10

TAPING

3000

内部电路

(6)

(5)

(4)

（ 1 ）排水

（ 2 ）排水

（ 3 ）门

（ 4 ）资料来源

（ 5 ）排水管

（ 6 ）排水

(1)

(2)

(3)

ESD保护二极管

体二极管

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

符号

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

* 2装在一个陶瓷基板。

范围

100

1.5

6.0

1.0

6.0

1.25

150

单位

DSS

连续

脉冲

连续

脉冲

GSS

总胆固醇

TSTG

热阻

参数

渠道环境

*安装在陶瓷板上。

符号

RTH （ CH -A ）

范围

100

单位

/ W

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RSQ015P10

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

符号

GSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

升

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

100

1.0

1.5

典型值。

350

380

400

950

17.0

4.5

5.0

马克斯。

2.5

470

510

540

单位

条件

=20V, V

=0V

= ± 1mA时， V

=0V

=100V, V

=0V

= -10V ，我

=1mA

= -1.5A ，V

=10V

m我

= -0.75A ，V

=4.5V

= -0.75A ，V

=4.0V

= -10V ，我

=1.5A

=25V

=0V

f=1MHz

50V,

=0.75A

=10V

=66

=10

50V,

=1.5A

=5V

数据表

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

= 0V时，我

=1.5A

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RSQ015P10

ⅵELECTRICAL

特性曲线

(Ta=25C)

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

1.5

=-10.0V

=-4.5V

=-4.0V

漏电流：

-I

[A]

=-2.8V

数据表

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

1.5

=-10.0V

=-4.5V

=-4.0V

漏电流：

-I

[A]

=-2.8V

=25℃

脉冲

=-2.5V

0.5

=-2.5V

=25℃

脉冲

0.2

0.4

0.6

0.8

漏源电压：

-V

[V]

漏源电压：

-V

[V]

图3静态漏源通态电阻与漏电流

1000

=25℃

脉冲

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[mΩ]

10000

图4静态漏源通态电阻与漏电流

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[mΩ]

=-4.0V

=-4.5V

=-10V

脉冲

= 125℃

= 75°C

= 25°C

-25°C

1000

100

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流：

-I

[A]

漏电流：

-I

[A]

图5静态漏源通态电阻与漏电流

10000

=-4.5V

脉冲

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[mΩ]

= 125℃

= 75°C

= 25°C

-25°C

图6静态漏源通态电阻与漏电流

10000

静态漏源导通电阻

（上） [毫欧]

=-4V

脉冲

= 125℃

= 75°C

= 25°C

-25°C

1000

100

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流：

-I

[A]

漏电流：

-I

[A]

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数据表

图7正向转移导纳主场迎战漏电流

=-10V

脉冲

=-10V

脉冲

图8典型的传输特性

正向转移导纳

[S]

排水Currnt ：

-I

[A]

= 125℃

= 75°C

= 25°C

-25°C

0.1

= 125℃

= 75°C

= 25°C

-25°C

0.1

0.01

0.001

0.01

0.1

漏电流：

-I

[A]

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

栅源电压：

-V

[V]

图9源电流和源极 - 漏极电压

=0V

脉冲

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[mΩ]

图10静态漏源通态电阻与栅源电压

800

=25℃

脉冲

=-0.75A

=-1.5A

600

700

源电流：

-I

[A]

= 125℃

= 75°C

= 25°C

-25°C

500

400

0.1

300

200

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

源极 - 漏极电压：

-V

[V]

100

栅源电压：

-V

[V]

图11开关特性

10000

≒-50V

=-10V

=10Ω

=25°C

脉冲

D（关闭）

=25°C

=-50V

=-1.5A

脉冲

图12动态输入特性

栅源电压：

-V

[V]

1000

切换时间： T [ NS ]

100

D（上）

0.01

0.1

漏电流：

-I

[A]

总栅极电荷：

-Q

[ NC ]

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数据表

图13典型的电容与漏源电压

10000

归瞬态热阻： R（T ）

=25°C

f=1MHz

=0V

1000

电容： C [ pF的]

国际空间站

图14归瞬态热阻VS脉冲宽度

=25°C

单脉冲

100

0.1

OSS

RSS

0.01

安装在陶瓷板上。

(30mm

30mm

0.8mm)

RTH

（ CH -A ）

=100°C/W

RTH

（ CH -A ）

（吨） = R（T） × Rth的

（ CH -A ）

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

0.01

0.1

100

1000

漏源电压：

-V

[V]

脉冲宽度： PW （ S）

图15最大安全工作区

在这一领域是由R有限公司

DS （ ON）

-10V)

= 100μs

漏电流：

-I

[ A ]

为1ms

0.1

=25°C

单脉冲： 1台

安装在陶瓷板上。

(30mm

30mm

0.8mm)

0.01

0.1

= 10ms的

直流操作

100

1000

漏源电压：

-V

[ V ]

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