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初步
RT9024
低压差线性稳压器控制器的PGOOD
迹象
概述
该RT9024是一个低压差
稳压控制器
与特定的PGOOD显示方案。该部分可以
驱动外部N-MOSFET用于各种应用。该
部分与V操作
CC
功率范围从
3.8V至
13.5V.
根据这样的拓扑结构,它是与优点
灵活和具有成本效益。该器件有一个小
尺寸封装SOT- 23-6中。
特点
3.8V至13.5V工作电压
0.8V
±
2%的高精度电压参考
快速瞬态响应
电源良好指示器与延迟
使能控制
小型封装
SOT-23-6
符合RoHS标准, 100 %无铅(Pb ) - 免费
订购信息
RT9024
套餐类型
E: SOT- 23-6
工作温度范围
P:无铅与商业标准
G:绿色(无卤素与商业用
CIAL标准)
注意:
立锜无铅和绿色的产品有:
符合RoHS标准,电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
100 %雾锡( Sn)镀层。
应用
DSC
数码单反相机
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
VCC
6
1
EN
DRI PGOOD
5
2
GND
4
3
FB
SOT-23-6
标识信息
用于标记信息,请联系我们的销售代表
直接地或通过一个锜分配器位于你
区,否则访问我们的网站查看详细。
:上有顶标没有PIN1的指标为SOT- 23-6
类型和引脚1将阅读上面标明的时候是左下针
由左到右。
典型应用电路
V
CC
V
IN
芯片使能
Ccc
1 EN
2
3
GND
FB
RT9024
VCC
DRI
6
5
4
R
PGOOD
C
IN
Q1
V
OUT
PGOOD
R1
PGOOD
C
OUT
R2
V
OUT
=
0.8
R1
+
R2
R2
2007年DS9024-01三月
www.richtek.com
1
RT9024
测试电路
V
CC
12V
V
IN
初步
V
CC
12V
芯片使能
1 EN
2
GND
VCC 6
RT9024
DRI 5
PGOOD 4
PGOOD
100k
R
PGOOD
R1
1k
R2
2k
Ccc
1uF
C
IN
100uF
Q1
PHD3055
V
OUT
C
OUT
100uF
芯片使能
5V
1 EN
2
V
FB
C
FB
GND
RT9024
VCC
6
Ccc
1uF
3 FB
DRI 5
4
A
V
DRI
3 FB
PGOOD
V
O u那样牛逼
R1
+
R2
=
0.8
R2
V
FB
= 1V的电流吸收器,在DRI
V
FB
= 0.6V的电流源DRI
图1.典型的测试电路
图2. DRI源出/吸入电流测试电路
功能引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
EN
GND
FB
PGOOD
DRI
VCC
引脚功能
芯片使能(高电平有效)。
地面上。
输出电压反馈。
电源良好漏极开路输出。
驱动器输出。
电源输入。
功能块图
EN
VCC
0.8V参考
电压
0.7V
PGOOD
3ms
延迟
GND
+
+
-
DRI
司机
www.richtek.com
2
-
FB
2007年DS9024-01三月
初步
绝对最大额定值
(注1 )
RT9024
电源输入电压,V
CC
------------------------------------------------------------------------------------------- 15V
开启电压--------------------------------------------------------------------------------------------------------- 7V
电源良好输出电压---------------------------------------------- ------------------------------------------ 7V
功耗,P
D
@ T
A
= 25°C
SOT- 23-6 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.4W
封装热阻
(注4 )
SOT-23-6,
θ
JA
----------------------------------------------------------------------------------------------------------- 250 ° C / W
引线温度(焊接, 10秒) ----------------------------------------- ---------------------------------- 260℃
结温------------------------------------------------ ------------------------------------------------- 150 ℃,
存储温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
65 ℃150 ℃的
ESD易感性(注2 )
HBM (人体模式) -------------------------------------------- ---------------------------------------------- 2kV的
MM (机器模式) --------------------------------------------- -------------------------------------------------- --- 200V
推荐工作条件
(注3)
电源输入电压,V
CC
-------------------------------------------------------------------------------------------
3.8V至13.5V
开启电压--------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0V至5.5V
结温范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
40 ° C至125°C
环境温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
40 ° C至85°C
电气特性
(V
CC
= 5V / 12V ,T
A
= 25 ° C,除非另有规定编)
参数
V
CC
工作电压范围
POR阈值
POR迟滞
V
CC
电源电流
驱动源电流
驱动灌电流
参考电压(V
FB
)
参考线路调整(V
FB
)
放大器的电压增益
PSRR在100Hz ,空载
电源良好
阈值上升
迟滞
吸收能力
延迟时间
下降延迟
符号
测试条件
V
CC
输入范围
V
CC
升起
V
CC
落下
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V, V
DRI
= 6V
V
CC
= 12V, V
DRI
= 6V
V
CC
= 12V, V
DRI
= 5V
V
CC
= 4.5V至15V
V
CC
= 12V,无负载
V
CC
= 12V,无负载
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V @ 1毫安
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
3.8
3.15
0.1
--
5
5
0.784
--
--
50
典型值
--
3.4
0.2
0.3
--
--
0.8
3
70
--
最大
13.5
3.65
0.3
0.8
--
--
0.816
6
--
--
单位
V
V
V
mA
mA
mA
V
mV
dB
dB
85
--
--
1
--
90
15
0.2
3
15
95
--
0.4
10
20
%
%
V
ms
us
待续
2007年DS9024-01三月
www.richtek.com
3
RT9024
参数
芯片使能
EN上升阈值
EN迟滞
待机电流
初步
测试条件
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V, V
EN
= 0V
--
--
--
典型值
0.7
30
--
最大
1
--
5
单位
V
mV
uA
注: 1 。
列为上述应力
“绝对
最大额定值“,可能对器件造成永久性损坏。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25℃上的一个低的有效热导率测试板
JEDEC 51-3的热测量标准。
www.richtek.com
4
2007年DS9024-01三月
初步
典型工作特性
静态电流与温度的关系
0.50
RT9024
反馈电压与温度的关系
0.9
请参考测试电路如图1
0.48
0.45
0.43
0.40
0.38
0.35
0.33
0.30
-50
-25
0
25
50
75
100
0.85
0.8
0.75
V
IN
= 1.5V, V
CC
= 12V ,R
PGOOD
= 100k
C
IN
= C
OUT
= 100uF的, R1 = 1K , R2 = 2K
V
IN
= 1.5V, V
CC
= 12V ,R
PGOOD
= 100k
C
IN
= C
OUT
= 100uF的, R1 = 1K , R2 = 2K
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
125
温度
(°C)
温度
(°C)
DRI源电流与温度的关系
60
DRI灌电流与温度的关系
30
请参考测试电路如图2
DRI源电流(mA )
DRI灌电流(mA )
55
27
24
21
18
15
50
45
40
V
FB
= 1V, V
CC
= 12V, V
DRI
= 6V
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V
FB
= 0.6V, V
CC
= 12V, V
DRI
= 6V
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度
(°C)
温度
(°C)
吸收电流和电压DRI
DRI吸收电流和电压DRI
25
4
PGOOD延迟时间与温度的关系
请参考测试电路如图2
请参考测试电路如图1
50
75
100
125
PGOOD延迟时间(毫秒)
20
3.5
V
IN
= 1.5V, V
CC
= 12V
R
PGOOD
= 100k
R1 = 1K , R2 = 2K
灌电流(mA )
15
3
10
2.5
5
2
T
A
= 25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1.5
-50
-25
0
25
DRI电压(V )
温度
(°C)
2007年DS9024-01三月
www.richtek.com
5
请参考测试电路如图2
请参考测试电路如图1
静态电流(mA )
反馈电压( V)
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    RT9024
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