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初步
数据表
RQK2001HQDQA
硅N沟道MOS FET
电源开关
特点
高漏极至源极电压和低栅极驱动器
V
DSS
: 200 V和V
GSS
:
±30
V
低驱动电流
高速开关
传统的小封装( MPAK )
R07DS0311EJ0200
(上一篇: REJ03G1731-0100 )
Rev.2.00
2011年3月28日
概要
瑞萨封装代码: PLSP0003ZB -A
(包名称: MPAK )
3
D
3
1
2
2
G
1.源
2.门
3.排水
S
1
注意:
标记是"HQ" 。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
热阻
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
PCH
Note2
RTH ( CH -A )
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
200
±30
0.4
1.6
0.4
0.8
156
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
/ W
°C
°C
注意事项: 1, PW
10
μs,
占空比
1%
2.当使用玻璃环氧基板(FR-4 40
×
40
×
1 mm)
R07DS0311EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第1页7
RQK2001HQDQA
初步
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
门源漏电流
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
200
3
0.2
典型值
5.0
0.3
30
5
2
13
12
42
38
1.8
0.4
0.9
0.8
最大
+0.1
–0.1
1
4.5
6.7
1.2
单位
V
μA
μA
μA
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
= +30 V, V
DS
= 0
V
GS
= –30 V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 0.15 A,V
GS
=10 V
Note3
I
D
= 0.15 A,V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 0.15 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 667
Ω
RG = 50
Ω
V
DD
= 100 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.4 A
I
F
= 0.4 A,V
GS
= 0
Note3
R07DS0311EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第2 7
RQK2001HQDQA
初步
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
1.0
10
最高安全工作区
TA = 25°C
1次脉冲
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
0.8
10
0
1
μ
s
10
0.6
m
s
1
m
s
0.1
DC
Op
0.4
er
ATI
on
10
0
m
s
0.01
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
0.2
0
0.001
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
1000
环境温度Ta (C )
*当使用玻璃环氧基板(FR-4 40 ×40 ×1mm)上
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
1.6
1.4
脉冲测试
TC = 25°C
9, 10, 15 V
20, 25 V
8V
典型的传输特性
(1)
1.0
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
4
8
V
GS
= 0V
5V
6V
7V
漏电流I
D
(A)
0.8
0.6
0.4
0.2
TC = 75℃
25°C
–25°C
6
8
10
12
16
20
0
0
2
4
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
门源截止电压
V
GS ( OFF )
(V)
典型的传输特性
(2)
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
外壳温度
6
漏电流I
D
(A)
0.01
I
D
= 10毫安
4
0.001
TC = 75℃
25°C
0.0001
–25°C
0.00001
0
1
2
3
4
5
6
1毫安
2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
0.1毫安
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度( ° C)
R07DS0311EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第3页7
RQK2001HQDQA
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
初步
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(
Ω
)
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
4
脉冲测试
TC = 25°C
100
脉冲测试
TC = 25°C
3
2
0.15 A
1
0.2 A
10
V
GS
= 10 V
0
0
0.1 A
4
8
12
16
20
1
0.01
0.1
1
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度( 1 )
漏电流
I
D
(A)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳
| YFS | ( S)
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(
Ω
)
20
脉冲测试
V
GS
=
10
V
15
I
D
= 0.6 A
0.5 A
0.4 A
10
0.2 A
5
0.1, 0.15 A
1
脉冲测试
V
DS
= 10 V
–25°C
25°C
TC = 75℃
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
0.1
0.01
0.1
1
外壳温度
TC (
°
C)
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
漏电流
I
D
(A)
零栅极电压漏极电流I
DSS
( nA的)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
脉冲测试
V
GS
= 0 V
V
DS
= 203 V
100
I
D
= 0.4 A
TC = 25°C
V
DD
= 25 V
50 V
100 V
150 V
120
12
80
8
10
40
V
DD
= 150 V
100 V
50 V
25 V
4
1
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
2.0
外壳温度
TC (
°
C)
栅极电荷Qg ( NC )
R07DS0311EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第4 7
栅极至源极电压V
GS
(V)
1000
160
16
RQK2001HQDQA
典型的电容比。
漏源极电压
100
tf
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
初步
开关特性
1000
V
GS
= 10 V, V
DD
= 100 V
RG = 50
Ω,
1 %
TC = 25°C
西塞,科斯,的Crss (PF )
开关时间
T( NS )
西塞
100
TD (关闭)
TD (上)
10
tr
10
科斯
CRSS
1
0.01
1
0.1
1
0
10
20
30
40
50
漏电流
I
D
(A)
漏源极电压
V
DS
(V)
输入电容与
栅极至源极电压
80
1.6
反向漏电流 -
源极到漏极电压
反向漏电流I
DR
(A)
75
70
1.4
1.2
1.0
0.8 10, 15, 20, 25 V
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
5V
脉冲测试
TC = 25°C
西塞(PF )
65
60
55
50
–10 –8 –6 –4 –2 0
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
2
4
6
8 10
V
GS
= –25, –20, –15 –10, –5, 0 V
1.6
2.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
1.0
V
GS
= 0
0.8
I
D
= 10毫安
0.6
源极到漏极电压V
SD
(V)
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
0.4
1毫安
0.2
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度( ° C)
R07DS0311EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第5页第7
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