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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第36页 > RQ1C065UN
1.5V驱动N沟道MOSFET
RQ1C065UN
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TSMT8
(8)
(7)
(6) (5)
■特点
1）低导通电阻。
2 ）高功率封装（ TSMT8 ） 。
3 ）低电压驱动（ 1.5V驱动器） 。
(1) (2)
(3) (4)
缩写符号： VB
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RQ1C065UN
TAPING
TR
3000
内部电路
(8)
(7)
(6)
(5)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2每个终端安装在陶瓷板上。
符号
V
DSS
V
GSS
范围
20
10
6.5
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
2
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
26
1
26
1.5
150
55
+150
*1
*2
热阻
参数
渠道环境
*每个终端安装在陶瓷板上。
符号
RTH
（ CH -A ）
*
范围
83.3
单位
C
/ W
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2010.06 - Rev.A的
RQ1C065UN
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
*
R
DS （ ON）
分钟。
-
20
-
0.3
-
-
-
-
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
16
19
24
29
-
870
190
85
7
30
70
25
11
2.0
2.1
马克斯。
10
-
1
1.0
22
27
32
58
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
m
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 6.5A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 6.5A ，V
GS
=2.5V
I
D
= 3.2A ，V
GS
=1.8V
I
D
= 1.3A ，V
GS
=1.5V
I
D
= 6.5A ，V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 3.2A ，V
DD
10V
V
GS
=4.5V
R
L
=3.1
R
G
=10
I
D
= 6.5A ，V
DD
10V
V
GS
= 4.5V
L
=1.5
R
G
=10
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 6.5A ，V
GS
=0V
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2010.06 - Rev.A的
RQ1C065UN
电气特性曲线
7
6
漏电流：我
D
[A]
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.0V
Ta=25°C
脉冲
漏电流：我
D
[A]
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=1.8V
V
GS
=1.5V
V
GS
= 10V
Ta=25°C
脉冲
漏电流：我
D
[A]
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
1
数据表
V
DS
= 10V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = - 25℃
V
GS
= 1.0V
1.5
漏源电压： V
DS
[V]
图1典型的输出特性（
Ⅰ)
漏源电压： V
DS
[V]
图2典型的输出特性（
Ⅱ)
栅源电压： V
GS
[V]
图3典型的传输特性
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
TA = 25℃
脉冲
100
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.5V
脉冲
100
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
1000
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
1000
V
GS
= 2.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
10
10
10
1
0.1
1
漏电流：I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅰ)
10
1
0.1
1
漏电流：I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅱ)
10
1
0.1
1
漏电流：I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅲ)
10
正向转移导纳： | YFS | [S ]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
1000
V
GS
= 1.8V
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
1000
V
GS
= 1.5V
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
V
DS
= 10V
脉冲
10
10
10
1
TA = -25C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
1
0.1
1
漏电流：I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅳ)
10
1
0.1
1
漏电流：I
D
[A]
图8静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅴ)
10
0.1
0.01
0.1
1
10
漏电流：I
D
[A]
图9正向转移导纳
与漏电流
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2010.06 - Rev.A的
RQ1C065UN
反向漏电流：是[ A]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
100
100
I
D
= 6.5A
Ta=25°C
脉冲
10000
切换时间： T [ NS ]
t
d
（关闭）
t
f
数据表
V
GS
=0V
脉冲
10
1000
Ta=25°C
V
DD
=10V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
50
I
D
= 3.3A
100
t
d
（上）
10
t
r
0.1
0.01
0
0.5
1
1.5
0
0
5
10
1
0.01
0.1
1
10
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图10反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
栅源电压： V
GS
[V]
图11静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
漏电流：I
D
[A]
图12开关特性
栅源电压： V
GS
[V]
5
4
3
2
1
0
电容： C [ pF的]
Ta=25°C
V
DD
=10V
I
D
= 4.5A
R
G
=10
10000
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
西塞
1000
100
CRSS
科斯
10
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112131415
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图13动态输入特性
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压： V
DS
[V]
图14典型电容
与漏源电压
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2010.06 - Rev.A的
RQ1C065UN
测量电路
　
数据表
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
90%
R
G
V
DD
t
D（上）
t
on
90%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
I
G（常量）。
R
G
D.U.T.
V
DD
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
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R1221N37AB
RMT050L
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RH5RI481A
RAC10-15DA
R5510H016J
RE23
RU-1.8053.3
REC5-0512SRW
RNF-100-3/32-9-4FT
R7125
RN5RZ38LC-TR
REC3-053.3SRH1
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数量
封装
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操作
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