RN2507~RN2509
东芝晶体管PNP硅外延型(厘过程)
RN2507,RN2508,RN2509
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
包括SMV两个设备(超迷你型,5引线)
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN1507 RN1509
以毫米单位
等效电路和偏置电阻值
型号
RN2507
RN2508
RN2509
R1 ( kΩ的)
10
22
47
R2值(kΩ )
47
47
22
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 0.014克
―
―
2-3L1A
等效电路
( TOP VIEW )
最大额定值
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN2507~RN2509
RN2507
发射极 - 基极电压
RN2508
RN2509
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2507~RN2509
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
6
7
15
100
300
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
*
总评分
1
2001-06-05
RN2507~RN2509
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
°
特征
集电极截止
当前
RN2507~RN2509
RN2507
发射极截止
当前
RN2508
RN2509
RN2507
直流电流增益
RN2508
RN2509
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2507~RN2509
RN2507
输入电压( ON)的
RN2508
RN2509
RN2507
输入电压(OFF)的
RN2508
RN2509
翻译
频率
集电极输出
电容
RN2507~RN2509
RN2507~RN2509
RN2507
输入电阻
RN2508
RN2509
RN2507
电阻率
RN2508
RN2509
R1/R2
R1
f
T
C
ob
V
我(关闭)
V
我(上)
V
CE (SAT)
h
FE
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0
F = 1MHz的
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
CE
=
0.2V,
I
C
=
5mA
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
V
CE
=
5V,
I
C
=
10mA
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
CE
=
50V,
I
B
= 0
V
EB
=
6V,
I
C
= 0
V
EB
=
7V,
I
C
= 0
V
EB
=
15V,
I
C
= 0
民
―
―
0.081
0.078
0.167
80
80
70
―
0.7
1.0
2.2
0.5
0.6
1.5
―
―
7
15.4
32.9
0.191
0.421
1.92
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
200
3
10
22
47
0.213
0.468
2.14
最大
100
500
0.15
0.145
0.311
―
―
―
0.3
1.8
2.6
5.8
1.0
1.16
2.6
―
6
13
28.6
61.1
0.232
0.515
2.35
―
k
兆赫
pF
V
V
V
―
mA
单位
nA
nA
2
2001-06-05