初步
数据表
RJP60D0DPE
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
短路耐受时间（ 5
s
TYP 。 ）
低集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.6 V （典型值） 。 （我
C
= 22 A，V
GE
= 15 V ， TA = 25 ° C）
门极 - 发射极电压额定值
30
V
无铅镀铅和芯片接合
R07DS0172EJ0100
Rev.1.00
二○一○年十一月十五日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
C
4
G
1
2
3
E
1.门
2.收集
3.辐射源
4. Collecotor
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25°C
TC = 100℃
集电极电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻
结温
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
集成电路（峰值）
Note1
P
注2
θJ -C
Note2
Tj
TSTG
评级
600
±30
45
22
90
122
1.02
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0172EJ0100 Rev.1.00
二○一○年十一月十五日
第1页6
RJP60D0DPE
集电极到发射极Satularion电压 -
门到发射极电压（典型值）
8
TA = 25
°
C
脉冲测试
初步
集电极到发射极Satularion电压 -
门到发射极电压（典型值）
8
TA = 150
°
C
脉冲测试
集电极到发射极电压Satularion
V
CE （ SAT ）
(V)
6
I
C
= 22 A
4
45 A
集电极到发射极电压Satularion
V
CE （ SAT ）
(V)
6
I
C
= 22 A
4
45 A
2
2
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
开关Caracteristics （典型值） （ 1 ）
1000
10000
开关Caracteristics （典型值） （ 2 ）
具有结构转换的能量损失E（ μJ ）
开关时间t （ NS ）
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TA = 25
°
C
100
TD （关闭）
tf
TD （上）
1000
EOFF
100
宙
10
tr
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TA = 25
°
C
1
10
100
1
10
1
10
100
集电极电流I
C
(A)
（感性负载）
开关Caracteristics （典型值） （ 3 ）
1000
集电极电流I
C
(A)
（感性负载）
开关Caracteristics （典型值） （ 4 ）
1000
具有结构转换的能量损失E（ μJ ）
开关时间t （ NS ）
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 22 A， TA = 25
°
C
EOFF
宙
100
100
TD （关闭）
TD （上）
tf
tr
10
2
5
10
20
50
10
2
5
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 22 A， TA = 25
°
C
10
20
50
栅极Registance RG（ Ω ）
（感性负载）
栅极Registance RG（ Ω ）
（感性负载）
R07DS0172EJ0100 Rev.1.00
二○一○年十一月十五日
第4 6
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