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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第207页 > RN2106ACT
RN2101ACT RN2106ACT
东芝三极管
PNP硅外延式（ PCT程序） （偏置电阻内置晶体管）
RN2101ACT,RN2102ACT,RN2103ACT
RN2104ACT,RN2105ACT,RN2106ACT
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用
0.25±0.03
单位：mm
0.6±0.05
0.5±0.03
补充RN1101ACT到RN1106ACT
0.25±0.03
减少元件数量实现了前所未有的制造
紧凑型设备，节省组装成本。
１
２
0.35±0.02
等效电路和偏置电阻值
C
型号
RN2101ACT
RN2102ACT
R2
RN2103ACT
RN2104ACT
E
RN2105ACT
RN2106ACT
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
0.15±0.03
0.65±0.02
0.05±0.03
1.0±0.05
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
３
B
R1
CST3
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECOTR
JEDEC
JEITA
东芝
2-1J1A
重量： 0.75毫克（典型值）。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2101ACT到2106ACT
RN2101ACT到2106ACT
RN2101ACT到2104ACT
RN2105ACT ， 2106ACT
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
80
100*
150
55
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
* ：装在FR4电路板（10毫米
×
10 mm
×
1 MMT）
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（ ieoperatingtemperature /电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2009-04-17
0.38 +0.02
-0.03
0.05±0.03
超小型封装（ CST3 ）适用于超高密度
捏造。
―
―
RN2101ACT RN2106ACT
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
RN2101ACT到2106ACT
RN2101ACT
RN2102ACT
发射极截止电流
RN2103ACT
RN2104ACT
RN2105ACT
RN2106ACT
RN2101ACT
RN2102ACT
直流电流增益
RN2103ACT
RN2104ACT
RN2105ACT
RN2106ACT
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2101ACT
V
CE （SAT）
RN2102ACT到2106ACT
RN2101ACT
RN2102ACT
输入电压（ ON）的
RN2103ACT
RN2104ACT
RN2105ACT
RN2106ACT
输入电压（OFF）的
集电极输出
电容
RN2101ACT到2104ACT
RN2105ACT ， 2106ACT
RN2101ACT到2106ACT
RN2101ACT
RN2102ACT
输入电阻
RN2103ACT
RN2104ACT
RN2105ACT
RN2106ACT
RN2101ACT到2104ACT
电阻率
RN2105ACT
RN2106ACT
R1/R2
R1
V
我（关闭）
C
ob
V
CE
= 5
V,
I
C
= 0.1
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0,
f
=
1兆赫
V
我（上）
V
CE
= 0.2
V,
I
C
= 5
mA
I
C
= 5
毫安，
I
B
= 0.5
mA
I
C
= 5
毫安，
I
B
= 0.25
mA
h
FE
V
CE
= 5
V,
I
C
= 10
mA
I
EBO
V
EB
= 10
V，I
C
=
0
符号
I
CBO
I
首席执行官
测试条件
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
民
0.89
0.41
0.18
0.088
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
0.085
0.08
30
50
70
80
80
80
典型值。
最大
100
500
1.33
0.63
0.29
0.133
0.127
0.121
mA
单位
nA
0.15
V
1.2
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
0.8
0.5
3.76
8
17.6
37.6
1.76
3.76
0.8
0.9
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
2.2
2.6
3.5
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
5.64
12
26.4
56.4
2.64
5.64
1.2
kΩ
V
pF
V
0.0376 0.0468 0.0562
0.08
0.1
0.12
2
2009-04-17
RN2101ACT RN2106ACT
RN2101ACT
IC - 六（ ON）
-100
集电极电流Ic （ mA）的
RN2102ACT
IC - 六（ ON）
-100
集电极电流Ic （ mA）的
共发射极
VCE = -0.2V
共发射极
VCE = -0.2V
-10
Ta=100°C
25
-10
Ta=100°C
25
-25
-1
-25
-1
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
输入电压
　
六（ON）， （V）的
输入电压
　
六（ON）， （V）的
-100
集电极电流Ic （ mA）的
RN2103ACT
IC - 六（ ON）
-100
集电极电流Ic （ mA）的
RN2104ACT
IC - 六（ ON）
共发射极
VCE = -0.2V
共发射极
VCE = -0.2V
-10
-10
Ta=100°C
-25
-1
25
Ta=100°C
-1
25
-25
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
输入电压
　
六（ON）， （V）的
输入电压
　
六（ON）， （V）的
RN2105ACT
-100
集电极电流Ic （ mA）的
IC - 六（ ON）
-100
集电极电流Ic （ mA）的
RN2106ACT
IC - 六（ ON）
共发射极
VCE = -0.2V
共发射极
VCE = -0.2V
-10
Ta=100°C
-10
Ta=100°C
-1
25
-25
-0.1
-0.1
-1
25
-25
-1
-10
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
输入电压
　
六（ON）， （V）的
输入电压
　
六（ON）， （V）的
3
2009-04-17
RN2101ACT RN2106ACT
RN2101ACT
-10000
IC - 六（OFF ）
-10000
集电极电流Ic
(μA
）
（ UA）
RN2102ACT
IC - 六（OFF ）
(μA
）
集电极电流Ic （微安）
共发射极
VCE = -5V
共发射极
VCE = -5V
-1000
Ta=100°C
25
-25
-1000
Ta=100°C
25
-25
-100
-100
-10
-0.2
-0.6
-1
-1.4
-1.8
-2.2
-10
-0.2
-0.6
-1
-1.4
-1.8
-2.2
输入电压
　
六（关） （V）的
输入电压
　
六（关） （V）的
RN2103ACT
-10000
IC - 六（OFF ）
-10000
集电极电流Ic
(μA
）
（ UA）
RN2104ACT
IC - 六（OFF ）
(μA
）
集电极电流Ic （微安）
共发射极
VCE = -5V
共发射极
VCE = -5V
-1000
25
Ta=100°C
-100
-25
-1000
Ta=100°C
-25
25
-100
-10
-0.2
-10
-0.6
-1
-1.4
-1.8
-2.2
-0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
输入电压
　
六（关） （V）的
输入电压
　
六（关） （V）的
RN2105ACT
-10000
IC - 六（OFF ）
-10000
RN2106ACT
IC- VI （ OFF）
-1000
Ta=100°C
25
-25
(μA
集电极电流Ic （微安）
）
(μA
集电极电流Ic （微安）
）
共发射极
VCE = -5V
共发射极
VCE = -5V
-1000
Ta=100°C
25
-25
-100
-100
-10
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-10
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
输入电压
　
六（关） （V）的
输入电压
　
六（关） （V）的
4
2009-04-17
RN2101ACT RN2106ACT
RN2101ACT
1000
共发射极
VCE = -5V
直流电流增益
②hFE
直流电流增益
②hFE
hFE- IC
1000
的hFE - IC
RN2102ACT
共发射极
VCE = -5V
100
Ta=100°C
25
-25
100
Ta=100°C
-25
25
10
1
-1
-10
集电极电流
　
IC （MA ）
-100
10
-1
-10
集电极电流
　
IC （MA ）
-100
1000
RN2103ACT
hFE- IC
1000
RN2104ACT
的hFE - IC
共发射极
VCE = -5V
直流电流增益
②hFE
直流电流增益
②hFE
共发射极
VCE = -5V
Ta=100°C
Ta=100°C
100
-25
25
100
-25
25
10
-1
-10
集电极电流
　
IC （MA ）
-100
10
-1
-10
集电极电流
　
IC （MA ）
-100
RN2105ACT
1000
的hFE - IC
1000
RN2106ACT
的hFE - IC
共发射极
VCE = -5V
直流电流增益
②hFE
直流电流增益
②hFE
Ta=100°C
共发射极
VCE = -5V
Ta=100°C
25
100
-25
25
100
-25
10
-1
-10
集电极电流
　
IC （MA ）
-100
10
-1
-10
集电极电流
　
IC （MA ）
-100
5
2009-04-17
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