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RF5117
3V , 1.8GHz的至2.8GHz
线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 16引脚, 3× 3
VCC
14
特点
单3.3V电源
+ 30dBm的饱和输出
动力
26分贝小信号增益
高线性度
1800MHz至2800MHz频
昆西范围
+ 17dBm的P
O
, 11G , <3 % EVM
PWR REF 4
RF IN 1
BIAS GND1 2
PWR SEN 3
16
15
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
BIAS
5
VREG1
6
VREG2
7
BIAS GND 2
8
NC
VCC
9 NC
NC
应用
IEEE802.11b的无线局域网应用
IEEE802.11G WLAN应用
2.5GHz的ISM频段应用
商业和消费系
TEMS
便携式电池供电分析装备
换货
扩频和MMDS
系统
功能框图
产品说明
该RF5117是一种线性的,中等功率,高效率的功放IC设计specif-
ically用于电池供电的WLAN应用,如PC卡,迷你PCI和的COM
协议闪光灯应用。该设备采用先进的砷化镓制造
砷化镓异质结双极晶体管(HBT)的过程,并且被设计
用作2.5GHz的WLAN和其它扩频传输最终RF放大器
递质。该装置被设置在一个3mmx3mm ,16引脚,无引线芯片载体与
擦屁股地。的RF5117被设计为保持线性度在一个很宽范围的
电源电压和功率输出。
订购信息
RF5117
RF5117PCBA-41X
3V , 1.8GHz的至2.8GHz线性功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A13 DS071018
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
NC
1 12
RF5117
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
REG
)
直流电源电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
湿气敏感度
等级
-0.5到+6.0
-0.5 3.5
600
+10
-40至+85
-40到+150
JEDEC 2级
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
最大线性输出功率
VCC=3.0V
VCC=5.0V
线性效率
误差向量幅度( EVM)的
小信号增益
反向隔离
二次谐波
802.11B邻道功率
备用信道功率
隔离
输入阻抗
输入VSWR
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C,V
CC
=3.0V, V
REG
=2.7V,
频率= 2450MHz的,每评估板电路
原理图。
1800年至2800年
兆赫
与802.11b调制( 11Mbit / s)和
满足802.11B频谱屏蔽。
22
27
25
2.5
24
30
-35
-38
-56
35
45
50
2:1
2.1
2.7
0
3.0
0.5
-32
-52
26
28.5
DBM
DBM
%
%
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dB
Ω
P
OUT
= 21dBm ,V
CC
=3.0V
P
OUT
= 21dBm ,V
CC
=3.0V
在“关”状态,磷
IN
=-5.0dBm
随着外部匹配
随着外部匹配
V
V
提供给控制输入电压;设备
“ON”时
提供给控制输入电压;设备
“关”的
P
O
= 17dBm的, EVM增加了11g中,
54MBPS信号输入
P
IN
=-7dBm
掉电
V
REG
“ON”时
V
REG
“关”的
电源
工作电压
消耗电流
3.0 5.0
500
200
110
V
REG
电流(总)
5
10
10
15
220
V
mA
mA
mA
mA
mA
在最大输出功率
P
OUT
= 21dBm ,V
CC
=3.0V
空载电流,V
CC
=3.0V, V
REG
=2.7V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
2 12
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RF5117
1
功能
在RF
描述
RF输入。匹配网络与DC模块,请参照主板评测
原理图的细节。
接口示意图
VCC
键合线
电感
在RF
BIAS
2
3
BIAS GND1
PWR SEN
地面的第一级偏置电路。未连接。
压水堆SEN和PWR REF引脚可以配合使用一个外部
纳尔反馈路径,以提供RF功率控制功能的RF5117 。
功率控制功能是基于采样的RF驱动器到最终
阶段RF5117的。
见第5脚。
RF OUT
PWR SEN
PWR REF
BIAS
4
5
PWR REF
VREG1
一样的3脚。
该引脚需要一个稳定的电源,以维持正常的偏置电流。
见3脚。
VREG1
BIAS
VREG2
BIAS
GND1
BIAS
GND2
6
7
8
9
10
VREG2
BIAS GND2
NC
NC
RF OUT
相同的引脚5 。
地面第二级的偏置电路。为了获得最佳性能连接
地面用一个10nH到电感器。
未连接。
未连接。
RF输出和偏置输出级。用于输出的电源
晶体管需要被供给到该引脚。这可以通过完成
四分之一波长微带线是射频接地,另一端,或
通过支持所需要的直流电流的RF电感器。
同10脚。
同10脚。
见第5脚。
见第5脚。
RF OUT
BIAS
11
12
13
RF OUT
RF OUT
VCC
见引脚10 。
见引脚10 。
14
15
16
PKG
BASE
VCC
NC
NC
GND
级间匹配和偏置第一级的输出。连接级间匹配 - 见引脚1 。
荷兰国际集团的电容器这种垫很短的痕迹。连接低频旁路
电容器该引脚与长期跟踪。请参阅评估电路板布局
详细信息。
同销13 。
见引脚1 。
未连接。
未连接。
接地连接。包装的背面应连接到
通过一个短的路径接地平面,即,该装置下通孔将
所需。
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RF5117
封装图
2 PLCS
0.10 C A
-A-
3.00
1.50 TYP
2 PLCS
0.10 C B
0.70
0.65
0.05 C
0.90
0.85
0.05
0.00
2
3.00
0.10 C B
2 PLCS
2.75 SQ
0.10 C A
2 PLCS
0.60
0.24
典型值
0.10 M C A B
0.30
0.18
引脚1号
R.20
1.45
平方米。
1.15
0.50
0.30
0.50
12°
最大
-C-
1.37 TYP
-B-
座位
飞机
尺寸(mm) 。
注意事项:
1.阴影引脚是导致1 。
2引脚1标识符必须存在于顶面
包通过识别标记或
特征在封装体。准确
形状和尺寸是可选的。
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RF5117
的操作和应用信息论
的RF5117是一个两阶段的设备与26分贝在2.4GHz至2.5GHz的ISM频带的标称增益。该RF5117的设计革命制度党
玛莉莉为的IEEE802.11b / 11G的WLAN应用中,可用的电源电压和电流是有限的。该放大器将
运营(及以下)通过在一台笔记本电脑典型的PCMCIA插槽提供最低的预期电压,并且将维持
在降低电源电压所需的线性度。
该RF5117需要3.0V标称值(或更大)只有单一正电源运行,以规格全。功率控制
通过两个偏置控制输入引脚提供(V
REG1
和V
REG2
) ,但在大多数应用中,这些被连接在一起,并作为一个
单个控制输入。
对所用的部件的输入和输出一些外部匹配,从而允许部分在其它应用程序中使用
外的2.4GHz至2.5GHz的ISM频带(如MMDS) 。输入和该装置的输出需要的一系列直流 - 嵌段
荷兰国际集团的电容器。在某些情况下,作为一个匹配元件的电容器也可以用作阻挡盖子。所使用的电路
评估板上进行了优化,标称3.0V的应用。
为了获得最佳效果,请从评估板功放电路布局应密切复制成为可能,特别是在地
布局和接地过孔。其它配置也有效,但在设计过程更容易,更快如果布局是
从RF5117评估板复制。我们的设计Gerber文件可以根据要求提供。
该RF5117是不是一个困难的部分实现,但关怀的电路布局和元件选择始终是最好的时候
在设计电路为2.5GHz运行。最关键的无源元件在电路是输入,级间和输出
把匹配的组件(C1 ,C5和C11 ) 。在这些情况下,适合于RF应用的高Q电容器上使用了我们的
评估板( BOM是应要求提供) 。高Q零件不要求在每个设计中,但它是非常强烈recom-
修补原始设计可以与我们的评估电路板所用的相同或类似的部分实现。然后,成本较低的
组件可以取代自己的位置,因此很容易测试较便宜的组件对性能的影响。 Gen-
ERAL RFMD的经验表明,质量更好的无源器件的成本略高超过抵消
在大批量制造的成品率的显著改善。采用成本较低的组件通常
导致1至2分贝劣化增益。
级间匹配电容,C11 ,随着内部键合线的组合电感,电路:短长度
CUIT电路板走线,这电容的寄生电感,调谐小信号增益响应峰值。跟踪
C11和销13和14之间的长度应保持尽可能的短。
在实践中,V
CC
和输出级的偏置电源将被连接到同一电源。将其与其它隔离C11是重要
射频和低频旁路电容在此供电线路。这可以通过使用一个适当长的传输线来实现
这是射频短路上的另一端。理想的情况是此行的长度将是四分之一波长,但它仅需要长
足以让对级间匹配其他电源旁路电容的影响降到最小。如果电路板空间是一个反面
欧洲核子研究中心,这种隔离还可以实现与射频扼流电感或铁氧体磁珠。此外,较高的值电容
比对应用原理图所示,可以使用,如果旁路电容必须进行更密切。史密斯圆图可以用来亲
韦迪的价值选择和器件布局的初步指导意见。要知道自谐振频率( SRF )的高值
电容器。该SRF必须是工作频率之上。
输出匹配电容C 5,从IC位于130mils (该距离应尽可能接近重复越好) 。
由于变化的FR-4的特性和印刷电路板制造过程中的变化,一些益处将由小得
调整这些传输线长度时,评估电路板布局被复制到另一个设计。在此之前全
速度制造,早期的原型电路板布局应包括围绕C5一些额外的地面接触区域
优化这部分电路。史密斯圆图可以帮助确定所期望的值和传输线长度,其可以是
同样,在之前生产的电路板进行调整。
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联系人:刘先生
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