RN1421~RN1427
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
RN1421,RN1422,RN1423,RN1424
RN1425,RN1426,RN1427
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
大电流型(Ⅰ
C
(最大值) = 800毫安)
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
低V
CE
(SAT)
l
为了配合RN2401 RN2406
单位:mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1421
RN1422
RN1423
RN1424
RN1425
RN1426
RN1427
R1 ( kΩ的)
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2值(kΩ )
1
2.2
4.7
10
10
10
10
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-59
2-3F1A
重0.012克(典型值)
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1421~1427
RN1421~1424
发射极 - 基极电压
RN1425 , 1426
RN1427
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1421~1427
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
10
5
6
800
200
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
1
2002-02-08
RN1421~RN1427
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
RN1421,RN1422,RN1423,RN1424
RN1425,RN1426,RN1427
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
大电流型(Ⅰ
C
(最大值) = 800毫安)
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
低V
CE
(SAT)
l
为了配合RN2401 RN2406
单位:mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1421
RN1422
RN1423
RN1424
RN1425
RN1426
RN1427
R1 ( kΩ的)
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2值(kΩ )
1
2.2
4.7
10
10
10
10
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-59
2-3F1A
重0.012克(典型值)
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1421~1427
RN1421~1424
发射极 - 基极电压
RN1425 , 1426
RN1427
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1421~1427
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
10
5
6
800
200
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
1
2002-02-08
RN1421RN1427
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
RN1421,RN1422,RN1423,RN1424
RN1425,RN1426,RN1427
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
大电流型(Ⅰ
C
(最大值) = 800毫安)
利用内置的偏置电阻
简化电路设计
减少部件数量和制造工艺的数量
低V
CE
(SAT)
为了配合RN2401 RN2406
单位:mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1421
RN1422
RN1423
RN1424
RN1425
RN1426
RN1427
R1 ( kΩ的)
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2值(kΩ )
1
2.2
4.7
10
10
10
10
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-59
2-3F1A
重0.012克(典型值)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1421~1427
RN1421~1424
发射极 - 基极电压
RN1425 , 1426
RN1427
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1421~1427
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
10
5
6
800
200
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2007-11-01