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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第233页 > RMW150N03
数据表
4.5V驱动N沟道MOSFET
RMW150N03
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
PSOP8
0.5
5.0
6.0
(8)
(7)
(6)
(5)
■特点
1 ）高功率封装（ PSOP8 ） 。
2 ）高速开关，低导通电阻。
3 ）低电压驱动（ 4.5V驱动器） 。
0~0.1
0.5
1PIN MARK
(1) (2)
(3)
(4)
0.4
0.22
0.9
1.27
5.0
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RMW150N03
TAPING
TB
2500
内部电路
(8)
(7)
(6)
(5)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2安装在40毫米× 40毫米CU板
范围
30
20
15
60
2.5
60
3.0
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DP
*1
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
*2
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
2
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
热阻
参数
渠道环境
* 2安装在40毫米× 40毫米CU板
符号
RTH （ CH -A ）
*
范围
41.7
单位
C
/ W
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2011.03 - Rev.A的
RMW150N03
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
*
R
DS （ ON）
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
30
-
1.0
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
6.5
9.0
-
831
337
95
12
38
34
9
15
2.6
3.0
马克斯。
10
-
1
2.5
9.1
12.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 15A ，V
GS
=10V
I
D
= 15A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 15A ，V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 7.5A ，V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=2.0
R
G
=10
I
D
= 15A ，V
DD
15V
V
GS
=10V
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 2.5A ，V
GS
=0V
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RMW150N03
ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
15
14
13
12
漏电流：我
D
[A]
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
Ta=25°C
脉冲
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
15
14
13
12
漏电流：我
D
[A]
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 10.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3.0V
Ta=25°C
脉冲
漏源电压： V
DS
[V]
图3典型的传输特性
100
V
DS
= 10V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
10
漏电流：我
D
[A]
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
100
漏源电压： V
DS
[V]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
Ta=25°C
脉冲
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1
10
.
0.1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
1
0.01
0.1
1
10
100
栅源电压： V
GS
[V]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
100
V
GS
= 10V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
100
V
GS
= 4.5V
脉冲
漏电流：I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
10
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
漏电流：I
D
[A]
漏电流：I
D
[A]
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图7正向转移导纳
与漏电流
100
正向转移导纳： | YFS | [S ]
V
DS
= 10V
脉冲
　
图8反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
100
V
GS
=0V
脉冲
源电流：我
s
[A]
10
数据表
10
1
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1
1.5
漏电流：I
D
[A]
图9静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
20
Ta=25°C
脉冲
切换时间： T [ NS ]
1000
10000
t
D（关闭）
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图10开关特性
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10Ω
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
ON
)[m]
I
D
= 7.5A
15
I
D
= 15.0A
t
f
10
100
t
D（上）
5
10
t
r
0
0
5
10
15
1
0.01
0.1
1
10
100
栅源电压： V
GS
[V]
漏电流：I
D
[A]
图12典型电容
与漏源电压
10000
C
国际空间站
图11动态输入特性
10
栅源电压： V
GS
[V]
8
电容： C [ pF的]
1000
6
4
Ta=25°C
V
DD
=15V
I
D
=15A
R
G
=10Ω
脉冲
0
5
10
15
20
100
C
RSS
2
C
OSS
10
0.01
0.1
1
10
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
100
0
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
漏源电压： V
DS
[V]
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RMW150N03
　
数据表
图13最大安全运行的Aera
1000
操作在此区域由限定
R
DS （ ON）
(V
GS
=10V)
NORMARIZED瞬态热
电阻： R（T ）
100
漏电流：我
D
(A)
P
W
=100us
图14归瞬态热电阻与脉冲宽度
10
1
10
1
P
W
为1ms
P
W
=10ms
0.1
0.1
直流操作
TA = 25°C
单脉冲
安装在铜板
0.1
1
10
100
0.01
0.01
TA = 25°C
单脉冲： 1台
第r （ CH-A ）（吨）= R（ t）的×的Rth （声道-a）的
RTH （ CH-A ） = 41.7
° C / W
<Mounted在铜board>
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.001
0.0001
漏源电压： V
DS
[V]
脉冲宽度： Pw的（ S）
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