RFP4N05L ， RFP4N06L
数据表
1999年7月
网络文件编号
2876.2
4A ， 50V和60V ， 0.800欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
该RFP4N05L和RFP4N06L是N沟道增强
型硅栅功率场效应晶体管设计用于
应用，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA09520 。
特点
4A ， 50V和60V
r
DS （ ON）
= 0.800
设计优化5V栅极驱动器
可以直接从QMOS ， NMOS驱动，
TTL电路
适用于汽车的驱动要求
SOA是功率耗散有限公司
纳秒的开关速度
订购信息
产品型号
RFP4N05L
RFP4N06L
包
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
RFP4N05L
RFP4N06L
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
注：订购时，包括整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEL TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
6-274
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFP4N05L ， RFP4N06L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP4N05L
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压
GS
= 20KΩ （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流， RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
脉冲（注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
降额以上的牛逼
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
50
50
±10
4
10
25
0.2
-55到150
300
260
RFP4N06L
60
60
±10
4
10
25
0.2
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
50
60
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, T
C
= 125
o
C
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
（图9 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
65
20
30
-
-
-
-
-
-
2
25
250
±100
3.2
0.800
20
130
40
60
225
100
40
5
V
V
V
A
A
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP4N05L
RFP4N06L
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极电压上（注2 ）
漏极至源极导通电阻（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0
I
D
= 4A ，V
GS
= 5V
I
D
= 4A ，V
GS
= 5V ， （图6,7 ）
I
D
≈
4A ，V
DD
= 30V ，R
G
= 6.25,
R
L
= 7.5, V
GS
= 5V
（图10 ，图11， 12）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS最大，占空比= 2 ％ 。
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 1A
I
SD
= 2A ， DL
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
150
最大
1.4
-
单位
V
ns
6-275
RFP4N05L ， RFP4N06L
典型性能曲线
2.0
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 4A
V
GS
= 5V
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
（续）
2.0
V
GS
= V
DS
I
D
= 250A
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-50
0
50
100
T
J
，结温（
o
C)
150
0
50
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
400
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
60
R
L
= 15
I
G（ REF ）
= 0.095毫安
V
GS
= 5V
门
来源
V
DD
= BV
DSS
电压V
DD
= BV
DSS
10
V
GS
，门源电压（ V）
C，电容（pF ）
300
8
45
6
200
C
国际空间站
30
4
15
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
漏源电压
100
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
V
DS ，
漏源极电压（ V）
50
0
0
I
20
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
I
80
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
6-277
RFP4N05L ， RFP4N06L
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