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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第148页 > RJK60S3DPP-E0
初步
数据表
RJK60S3DPP-E0
600V - 12A - SJ MOS FET
高速电源开关
特点
超结MOSFET
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.35
（典型值） 。 （在我
D
= 6 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
高速开关
t
f
= 21纳秒（典型值） 。 （在我
D
= 6 A，V
GS
= 10 V ，R
L
= 50
,
RG = 10
,
TA = 25°C
R07DS0637EJ0100
Rev.1.00
2012年4月23日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AG -A
（包名称： TO- 220FP ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
TC = 25°C
TC = 100℃
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注：1。总胆固醇最大限制。
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
注1
I
注1
I
D（脉冲）注1
I
DR注1
I
DR （脉冲）注1
PCH
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note2
评级
600
+30,
20
12.0
7.6
24
12
24
27.7
4.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
C
C
R07DS0637EJ0100 Rev.1.00
2012年4月23日
第1页6
RJK60S3DPP-E0
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
当前
体漏二极管反向恢复
收费
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
Rg
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
I
rr
Q
rr
民
600
—
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
0.35
0.87
2.5
710
1040
3.5
23
20
41
21
13
4.6
5.7
1.0
340
21
3.9
最大
—
1
±0.1
5
0.44
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.6
—
—
—
单位
V
mA
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
A
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
= +30V,
20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 6 A，V
GS
= 10 V
Note3
TA = 150℃
Note3
I
D
= 6 A，V
GS
= 10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 100千赫
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 50
Note3
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 12 A
I
F
= 12 A，V
GS
= 0
Note3
I
F
= 12 A
V
GS
= 0
Note3
di
F
/ DT = 100 A / μs的
R07DS0637EJ0100 Rev.1.00
2012年4月23日
第2 6
RJK60S3DPP-E0
初步
主要特点
频道耗散主场迎战
外壳温度
40
20
TA = 25°C
脉冲测试
典型的输出特性
通道耗散P沟（W）的
I
D
(A)
30
16
8V
10 V
15 V
7V
12
20
漏电流
8
6.5 V
6V
10
4
V
GS
= 5.5 V
0
0
25
50
75
100 125 150 175
0
0
2
4
6
8
10
壳温度（ ° C）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
12
10
8
6
4
2
0
TA = 125°C
脉冲测试
100
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
8V
10 V
V
15
7V
6.5 V
10
漏电流
6V
1
TC = 75℃
25°C
5.5 V
V
GS
= 5 V
0.1
25°C
0.01
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
10
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
1.6
V
GS
= 10 V
脉冲测试
1.2
I
D
= 12 A
0.8
3A
0.4
6A
TA = 125°C
1
25°C
0.1
1
10
V
GS
= 10 V
脉冲测试
100
0
25
0
25
50
75
100 125 150
漏电流
I
D
(A)
外壳温度
TC （ ℃）
R07DS0637EJ0100 Rev.1.00
2012年4月23日
第3页6
RJK60S3DPP-E0
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
10000
TA = 25°C
初步
典型的电容比。
漏源极电压
电容C （PF ）
1000
西塞
100
科斯
10
CRSS
V
GS
= 0中，f = 100千赫
0
50
100
150
200
250
300
100
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
1
10
100
1
0.1
反向漏电流I
DR
(A)
漏源极电压
V
DS
(V)
C
OSS
储存的能量（典型值）
V
DS
(V)
2.0
动态输入特性（典型）
V
GS
1.6
600
V
DS
400
漏源极电压
1.2
8
0.8
0.4
200
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
8
16
4
I
D
= 12 A
TA = 25°C
24
32
0
0
50
100
150
200
250
300
0
0
0
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极电荷
QG （ NC ）
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
100
6
门源截止电压
与外壳温度（典型）
I
DR
(A)
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
5
4
3
2
1
V
DS
= 10 V
0
25
0
25
1毫安
I
D
= 10毫安
TA = 125°C
10
25°C
反向漏电流
0.1毫安
1
V
GS
= 0
脉冲测试
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
50
75
100 125 150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
R07DS0637EJ0100 Rev.1.00
2012年4月23日
第4 6
栅极至源极电压
E
OSS
(μJ)
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
12
V
GS
(V)
800
16
RJK60S3DPP-E0
漏源击穿电压
与外壳温度（典型）
初步
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
(V)
800
700
600
500
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
400
25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 300 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
R07DS0637EJ0100 Rev.1.00
2012年4月23日
分页： 5 6
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