数据表
10V驱动N沟道MOSFET
R5009FNX
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TO-220FM
10.0
φ
3.2
4.5
2.8
2.5
■特点
1 ）快速反向恢复时间（t
rr
)
2）低导通电阻。
3 ）开关速度快。
4 ）栅源电压
V
GSS
保证下为± 30V 。
5 ）驱动电路可以很简单。
6 ）并行使用非常简单。
15.0
12.0
8.0
1.3
1.2
14.0
0.8
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
应用
开关
Inner
电路
包装规格
TYPE
R5009FNX
包
基本订购单位（件）
体积
500
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（3）的烃源
(1)
(2)
1
(3)
绝对最大额定值
（大
½
25C)
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
功率耗散（ TC = 25 ℃ ）
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2升500μH ，V
DD
= 50V ， RG = 25 ，开始总胆固醇= 25°C
* 3仅受最高温度允许的。
*
1体二极管
范围
500
30
9
36
9
36
4.5
5.4
50
150
55
+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
*3
*1
I
S
*3
I
SP
*1
I
AS
*2
E
AS
*2
P
D
总胆固醇
TSTG
热阻
参数
渠道情况
符号
RTH （ CH-C ）
范围
2.5
单位
C
/ W
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2011.07 - Rev.A的
R5009FNX
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
*
R
DS （ ON）
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
500
-
2.0
-
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.65
5.7
630
400
25
24
20
50
40
18
3.5
5.5
马克斯。
100
-
100
4.0
0.84
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
nA
V
uA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 4.5A ，V
GS
=10V
I
D
= 4.5A ，V
DS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 4.5A ，V
DD
V
GS
=10V
R
L
=55.6
R
G
=10
I
D
= 9.0A ，V
DD
250V
V
GS
=10V
250V
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
参数
正向电压
反向恢复时间
*脉冲
符号
V
SD
*
t
rr
*
分钟。
-
48
典型值。
-
78
马克斯。
1.5
108
单位
V
ns
条件
I
s
= 9.0A ，V
GS
=0V
I
s
= 9.0A ，的di / dt = 100A / s
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2011.07 - Rev.A的
R5009FNX
ⅵELECTRICAL
特性曲线
数据表
15
V
GS
= 8.0V
V
GS
= 7.0V
V
GS
= 6.5V
V
GS
= 10V
T
a
=25°C
脉冲
漏电流：我
D
[A]
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
= 4.5V
100
V
GS
= 8.0V
V
GS
= 7.0V
V
GS
= 6.5V
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 10V
V
DS
= 10V
脉冲
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
25°C
漏电流：我
D
[A]
10
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 5.5V
漏电流：我
D
[A]
10
1
0.1
0.01
0.001
5
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
= 5.5V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 4.5V
0
0
20
40
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
漏源电压： V
DS
[V]
图2典型的输出特性（
Ⅱ)
0
1
2
3
4
5
6
7
漏源电压： V
DS
[V]
图1典型的输出特性（
Ⅰ)
栅源电压： V
GS
[V]
图3典型的传输特性
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
(V)
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[]
10
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
25°C
静态漏源导通状态
电阻：
RDS （ ON）
[]
100
V
DS
= 10V
I
D
=1mA
10
T
a
= 25°C
脉冲
2
T
a
= 25°C
脉冲
1.5
I
D
= 9A
1
1
1
0.5
I
D
= 4.5A
0.1
-50
0
50
100
150
0.1
0.1
1
10
100
0
0
5
10
15
通道温度：总胆固醇（ ℃ ）
图4栅极阈值电压
与通道温度
漏电流：I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
栅源电压： V
GS
(V)
图6静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
2
静态漏源导通状态
电阻：
RDS （ ON）
[]
正向转移导纳： | YFS | [S ]
1.5
10
源电流：是[ A]
V
GS
= 10V
脉冲
100
V
DS
= 10V
脉冲
100
V
GS
=0V
脉冲
10
1
I
D
= 9A
I
D
= 4.5A
1
0.5
0.1
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
25°C
1
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
25°C
0.01
0.1
0
-50
0
50
100
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1
1.5
通道温度：总胆固醇（ ℃ ）
图7静态漏源导通状态
电阻与通道温度
漏电流：I
D
[A]
图8正向转移导纳
与漏电流
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图9反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
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R5009FNX
数据表
反向恢复时间： TRR [ NS ]
切换时间： T [ NS ]
t
D（关闭）
1000
t
f
T
a
=25°C
V
DD
=250V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
栅源电压： V
GS
[V]
1000
10000
T
a
=25°C
脉冲
12
10
8
6
4
2
0
T
a
=25°C
V
DD
=250V
I
D
= 9A
脉冲
0
5
10
15
20
25
30
100
100
t
D（上）
10
t
r
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
1
电源电流：我
S
[V]
图10反向恢复时间与源电流
漏电流：I
D
[A]
图11开关特性
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图12动态输入特性
10000
C
国际空间站
漏电流：我
D
(A)
电容： C [ pF的]
1000
1000
100
10
在这一领域是由R有限公司
DS （ ON）
(V
GS
=10V)
100
C
RSS
10
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
0.01
0.1
1
C
OSS
P
W
=100us
1
0.1
0.01
P
W
=1ms
P
W
=10ms
T
a
= 25°C
单脉冲
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000 10000
漏源电压： V
DS
[V]
图13典型电容
与漏源电压
NORMARIZED瞬态热
·电阻
： R（T ）
10
漏源电压： V
DS
[V]
图14最大安全运行的Aera
1
0.1
T
a
= 25°C
单脉冲
第r （ CH-A ）（吨）= R（ t）的×的Rth （声道-a）的
RTH （ CH- A）= 44.7 ° C / W
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度： Pw的（ S）
图15归瞬态热电阻与脉冲宽度
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