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初步
数据表
RJK6034DPP-E0
600V - 1A - MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 9.8
（典型值） 。 （在我
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
低漏电流
高速开关
R07DS0615EJ0100
Rev.1.00
2013年2月12日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AG -A
（包名称： TO- 220FP ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
注3
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
600
30
1
2
1
2
21.1
5.92
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
C
C
R07DS0615EJ0100 Rev.1.00
2013年2月12日
第1页6
RJK6034DPP-E0
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
600
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
9.8
115
14
1.7
12
14
22
65
5.9
1.0
3.6
0.9
225
最大
—
1
±0.1
4.5
12.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 600
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 1 A
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT =
100
A / μs的
R07DS0615EJ0100 Rev.1.00
2013年2月12日
第2 6
RJK6034DPP-E0
初步
主要特点
最大
安全工作区
10
2.0
典型
产量
特征
TA =
25°C
脉冲
TEST
10
μs
漏
电流I
D
(A)
漏
电流I
D
(A)
1
1.6
10
V, 8 V
6V
5.8 V
5.6 V
P
W
=
10
0
0.1
手术
in
这
区域
受限制
R
DS （ ON）
1.2
μ
s
0.01
0.8
5.4 V
0.4
5.2 V
V
GS
= 5 V
0
4
8
12
16
20
0.001
TC =
25°C
0.0001 1
镜头
0.1
1
10
100
1000
0
漏极至源极
电压V
DS
(V)
漏极至源极
电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与
漏
当前
（典型值）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
100
V
GS
=
10
V
TA =
25°C
脉冲
TEST
典型的传输特性
10
V
DS
=
10
V
脉冲
TEST
漏
电流I
D
(A)
1
0.1
TC = 75℃
25°C
10
0.01
25°C
0.001
0
2
4
6
8
10
1
0.1
1
10
门源
电压V
GS
(V)
漏
电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
（典型值）
V
GS
=
10
V
脉冲
TEST
16
I
D
=
1 A
12
0.5 A
8
0.25 A
4
体漏
二极管的反向
恢复
时间
（典型值）
1000
反向恢复
时间
TRR （ NS ）
20
100
di
/
dt
=
100 A
/
μs
V
GS
=
0,
TA =
25°C
10
0.1
1
10
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度
(°C)
反向漏
电流I
DR
(A)
R07DS0615EJ0100 Rev.1.00
2013年2月12日
第3页6
RJK6034DPP-E0
典型的电容比。
漏极至源极
电压
（典型值）
漏极至源极
电压V
DS
(V)
1000
西塞
100
初步
动态
输入特性
（典型值）
I
D
=
1 A
TA =
25
°C
V
DD
= 480 V
300
V
V
DS
100
V
V
GS
600
12
10
科斯
CRSS
400
8
1
V
GS
=
0
f =
1
兆赫
TA =
25°C
100
200
300
200
V
DD
= 480 V
300
V
100
V
1.6
3.2
4.8
6.4
4
0.1
0
0
0
0
8.0
漏极至源极
电压V
DS
(V)
门
电荷Qg
（ NC ）
门源
截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
反向漏
电流 -
源极到漏极
电压
（典型值）
2.0
门源
截止电压
与外壳温度
（典型值）
6
V
DS
=
10
V
5
4
3
2
1
0
-25
I
D
=
10毫安
1毫安
0.1毫安
反向漏
电流I
DR
(A)
1.6
V
GS
=
0
V
TA =
25
°C
脉冲
TEST
1.2
0.8
0.4
0
0
0.4
0.8
1.2
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极
电压V
SD
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
R07DS0615EJ0100 Rev.1.00
2013年2月12日
第4 6
门源
电压V
GS
(V)
800
16
电容C
（PF ）
RJK6034DPP-E0
归瞬态热阻抗对比
脉冲
宽度
归瞬态热阻抗
γ
s
(t)
10
TC =
25°C
初步
1
D
=
1
0.5
0.2
0.1
0
.
0
5
0.1
0.02
0.01
1shot
脉冲
θ
ch
–
C（ T）
=
γ
s
(t)
θ
ch
–
c
θ
ch
–
c
= 5.92 ° C / W ，TC =
25°C
P
DM
PW
T
D
=
PW
T
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
脉冲
宽度
PW （S ）
开关
时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10
V
V
DD
=
300
V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
t
f
R07DS0615EJ0100 Rev.1.00
2013年2月12日
分页： 5 6
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