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RFM04U6P

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

RFM04U6P

VHF波段和UHF波段放大器的应用

单位：mm

（注）本文档中列出的东芝产品用于高

电信频功率放大器equipment.These

东芝的产品既不打算，也没有必要对任何其他

除了use.Do不使用这些列出的东芝产品本文档中

电信设备高频功率放大器。

输出功率：P

= 4.3W （典型值）

GAIN ：

= 13.3分贝（典型值）

漏极效率：

= 70 ％（典型值）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

增益电压源

漏电流

功耗

通道温度

存储温度范围

符号

DSS

GSS

（注1 ）

英镑

等级

150

单位

°C

PW- MINI

JEDEC

JEITA

东芝

―

SC-62

2-5K1D

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

重量0.05克（典型值）。

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）是

内的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ： TC = 25 ° C（当安装在0.4毫米的玻璃环氧树脂印刷电路板与散热片）

记号

产品型号（或缩写代码）

Ｗ

Ｆ

LOT号

1.门

2.源

3.排水

注意事项：

该器件对静电放电敏感。

请赚到足够的工具和设备接地，当你处理。

2009-11-03

RFM04U6P

电气特性

（大

25°C)

特征

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

阈值电压

输出功率

漏EF网络效率

功率增益

符号

DSS

GSS

测试条件

10 V, V

0 V

3 V

6.0 V，I

0.5mA

6.0 V,

空闲

500毫安（V

调整），

470兆赫，P

200毫瓦，

= Z

= 50

6.0 V,

4 W （P

调整），

空闲

500毫安（V

调整），

470兆赫，

负载VSWR 20 ： 1的所有阶段

民

0.2

3.5

12.4

典型值。

0.7

4.3

13.3

最大

1.2

单位

μA

负载不匹配

没有退化

注2：这些特性值是使用东芝指定的测量工具测量。

（测试条件：F

470兆赫，V

6.0 V，I

空闲

500毫安，P

0.2 W)

输出功率测试夹具

R1 ： 6.8千欧

R2: 56

C1 ： 20 pF的

C2 ： 8 pF的

C3 ： 18 pF的

C4 ： 1 pF的

C5 ： 2200 pF的

C6 ： 2200 pF的

C7 ： 10000 pF的

C8 ： 2200 pF的

C9 ： 10000 pF的

L1:

φ0.6

mm的漆包线， 5.5ID ， 5T

L2:

φ0.6

mm的漆包线， 5.5ID ， 7T

行：2毫米

2009-11-03

RFM04U6P

宝-Pi

-Pi

F = 470MHz的

Iidle=500mA

F = 470MHz的

Iidle=500mA

输出功率Po （ W）

漏effcieny

D(%)

Vds=7.2V

Vds=6.0V

Vds=4.5V

Vds=3.6V

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

Vds=7.2V

Vds=6.0V

Vds=4.5V

Vds=3.6V

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

输入功率Pi （ W）

宝-Pi

-Pi

F = 470MHz的

Vds=6.0V

F = 470MHz的

Vds=6.0V

输出功率Po （ W）

漏effcieny

D(%)

Iidle=700mA

Iidle=500mA

Iidle=300mA

Iidle=700mA

Iidle=500mA

Iidle=300mA

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

输入功率Pi （ W）

VGS - IIDLE

VDS - IDS

1.8

1.6

1.4

F = 470MHz的

Vds=6.0V

Vgs=1.0V

Vgs=1.5V

Vgs=2V

2.5

1.2

0.8

0.6

0.4

IIDLE （ A）

1.5

0.5

0.2

0.5

1.5

2.5

栅极电压Vgs （ V）

IDS （ A）

漏极电压VDS （ V）

2009-11-03

RFM04U6P

西塞-Vds

科斯-Vds

F = 1MHz的

西塞（PF ）

COSS （PF ）

VDS （ V）

CRSS -Vds

VDS （ V）

F = 1MHz的

CRSS （PF ）

VDS （ V）

注3 ：

这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线。

2009-11-03

RFM04U6P

限制产品使用

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人身伤害或财产损失，包括数据丢失或损坏。在客户使用的产品，创造设计包括

产品，或纳入产品到他们自己的应用程序，用户还必须参考，并符合第（一）的最新版本

所有相关的东芝信息，包括但不限于本文件，规格，数据表和应用说明

对于产品，并提出了“东芝半导体可靠性手册”中的注意事项和条件，（二）

与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的

自己的产品设计和应用，包括但不限于：（ a）确定在这样的使用本产品的适当性

设计或应用程序; （二）评估和确定的任何信息本文件所载的适用性，或图表，

图表，程序，算法，样本应用电路，或任何其他引用的文件; （三）确认所有操作

参数对这样的设计和应用。

东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或

应用程序。

产品适用于一般电子设备的应用程序（使用例如，计算机，个人设备，办公设备，测量

设备，工业机器人和家用电子电器），或针对特定应用本文件中的明确规定。

产品既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高的质量水平和/或

可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命，人身伤害，严重财产损失或严重损失

公众的影响（ “误用”）。意想不到的用途包括，但不限于核设施中使用的设备，二手设备

在航空航天工业，医疗设备，用于汽车，火车，轮船等运输，交通信号设备

设备，用来控制发火或爆炸，安全装置，电梯和自动扶梯设备，相关电力设备

电力，装备财务相关领域。不要使用产品的误用，除非在此特别许可

文档。

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适用于特定用途，精度信息，或不侵权的。

不要使用或以其他方式提供产品或相关软件或技术进行任何军事目的，包括但

限制，在设计，开发，使用，核武器，化学武器或生物武器或导弹储存或生产

技术产品（大规模杀伤武器）。产品及相关软件和技术可根据被控制

日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品

或相关软件或技术被严格禁止的项目除外遵守所有适用的出口法律和法规。

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品，

包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任

不遵守适用的法律和法规。

2009-11-03