【RJK0305DPB硅N沟道功率MOS FET电源开关REJ03G1353-0900Rev.9.00】,IC型号RJK0305DPB,RJK0305DPB PDF资料,RJK0305DPB经销商,ic,电子元器件-51电子网

RJK0305DPB

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1353-0900

Rev.9.00

2006年4月19日

特点

高速开关

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

DS （ ON）

= 6.7 m

（典型值）。（在V

= 10 V)

概要

瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A

（包名称： LFPAK ）

1, 2, 3

来源

门

漏

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

3， TC = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

AP注2

AR注2

PCH

Note3

θch -C

总胆固醇

TSTG

Note1

评级

+16/-12

120

2.78

150

-55到+150

单位

° C / W

°C

Rev.9.00 2006年4月19日第1页6

RJK0305DPB

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

—

1.2

—

典型值

—

6.7

1250

530

0.6

3.6

1.5

7.0

3.0

0.85

最大

—

± 0.1

2.5

8.0

—

1.08

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= +16/–12 V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 15 A，V

= 10 V

Note4

= 15 A，V

= 4.5 V

Note4

= 15 A，V

= 10 V

Note4

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 10 V, V

= 4.5 V,

= 30 A

= 10 V，I

= 15 A,

10 V ，R

= 0.67

RG = 4.7

IF = 30 A，V

= 0

Note4

IF = 30 A，V

= 0

/ DT = 100 A /

Rev.9.00 2006年4月19日第2页6

RJK0305DPB

主要特点

功率与温度降额

1000

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

100

散热通道

漏电流

1毫秒

操作

DS （ ON）

100

150

200

TC = 25°C

0.1 1次脉冲

0.1

100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

4.5 V

10 V

脉冲测试

3.1 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

2.9 V

(A)

漏电流

2.7 V

25°C

TC = 75℃

–25°C

= 2.5 V

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

200

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

100

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

脉冲测试

150

= 4.5 V

100

= 10 A

10 V

100

300 1000

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.9.00 2006年4月19日第3页6

RJK0305DPB

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

10000

3000

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(m)

典型的电容比。

漏源极电压

电容C （PF ）

= 2 A, 5 A, 10 A

= 4.5 V

西塞

1000

科斯

300

100

= 0

F = 1 MHz的

2 A, 5 A, 10 A

–25

10 V

CRSS

100 125 150

外壳温度

(

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

(V)

动态输入特性

(V)

反向漏电流I

(A)

= 30 A

10 V

脉冲测试

= 25 V

10 V

漏源极电压

栅极至源极电压

= 0, –5 V

= 25 V

10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷

QG （ NC ）

源极到漏极电压V

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

= 10 A

= 15 V

值班< 0.1 ％

≥

100

125

150

沟道温度Tch （ ° C）

Rev.9.00 2006年4月19日第4 6

RJK0305DPB

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

θch

- C （T ） =

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 2.78 ° C / W ，TC = 25°C

10 m

100 m

0.05

0.03

0.0

LSE

吨PU

0.0

0.01

100

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

MONITOR

D. U.牛逼

VIN

15 V

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

= 10 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

Rev.9.00 2006年4月19日第5 6

为了我们的客户，

旧公司名称在产品目录等资料

4月1日

2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技

公司和瑞萨

电子公司

接手两者的所有业务

公司。

因此，尽管老公司的名称仍然是这个文件中，它是一种有效的

瑞萨

电子文档。我们感谢您的理解。

瑞萨电子网站：

http://www.renesas.com

4月1日

, 2010

瑞萨电子公司

由...发出：

瑞萨电子公司

（ http://www.renesas.com ）

任何发送查询

http://www.renesas.com/inquiry 。

通告

本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息，但是，是

如有更改，恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品，请前

确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外，请大家定期和仔细注意

另外，不同的信息由瑞萨电子披露，例如，通过我们的网站上披露。

瑞萨电子不承担侵权的专利，版权或其他知识产权的任何法律责任

第三方通过或从使用瑞萨电子的产品或本文档中描述的技术信息而引起。

没有许可证，明示，暗示或其他，是任何专利，版权或其他知识产权授予兹

瑞萨电子或其他人。

你不应该改变，修改，复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品，不论是全部或部分转载。

仅被提供的电路，软件和本文件中的相关信息的描述来说明的操作

半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路，软件的结合，

而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任

你还是从使用这些电路，软件以及相关信息而产生的第三方。

当出口本文档中描述的产品或技术，你应该遵守适用的出口管制

法律，法规，并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨

电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术

军队，包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品

技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或禁止出售

根据任何适用的国内或外国的法律或法规。

瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息，使用合理的照顾，但瑞萨电子

不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任

招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。

瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为： “标准” ， “高品质” ，而

“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级，

如下所示。在特定的使用它之前，你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级

应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序

瑞萨电子的书面同意。此外，您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序

它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子，不得以任何方式

从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任

应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面

瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ，除非另有

在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定

电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频

设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。

“高品质” ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;反

犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。

“具体” ：

飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或

生命支持系统（如人工生命支持设备或系统），外科手术植入，或保健

介入治疗（如切除等），并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。

您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内，

特别是相对于最大额定值，工作电源电压范围，移动电源电压范围时，热辐射

特点，安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或

由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。

本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品有

具体特点，如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外，

瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，

防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性，并伤害或损坏

瑞萨电子产品，如安全性设计的硬件和软件，包括但不限于冗余，火

控制和故障的预防，对于老化降解或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为

单独微机软件的评价是非常困难的，请评价最终产品或系统的安全性

由你制造的。

请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如环境

每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用

该规范的受控物质列入或使用，包括但不限于欧盟RoHS法规

指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任

适用法律和法规。

本文不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，瑞萨没有事先书面同意

电子产品。

如果需要了解关于本资料的任何问题，请联系瑞萨电子销售办事处

文档或瑞萨电子的产品，或者如果您有任何疑问。

“标准” ：

10.

11.

12.

（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-

资子公司。

（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。

RJK0305DPB

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1353-0900

Rev.9.00

2006年4月19日

特点

高速开关

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

DS （ ON）

= 6.7 m

（典型值）。（在V

= 10 V)

概要

瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A

（包名称： LFPAK ）

1, 2, 3

来源

门

漏

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

3， TC = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

AP注2

AR注2

PCH

Note3

θch -C

总胆固醇

TSTG

Note1

评级

+16/-12

120

2.78

150

-55到+150

单位

° C / W

°C

Rev.9.00 2006年4月19日第1页6

RJK0305DPB

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

—

1.2

—

典型值

—

6.7

1250

530

0.6

3.6

1.5

7.0

3.0

0.85

最大

—

± 0.1

2.5

8.0

—

1.08

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= +16/–12 V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 15 A，V

= 10 V

Note4

= 15 A，V

= 4.5 V

Note4

= 15 A，V

= 10 V

Note4

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 10 V, V

= 4.5 V,

= 30 A

= 10 V，I

= 15 A,

10 V ，R

= 0.67

RG = 4.7

IF = 30 A，V

= 0

Note4

IF = 30 A，V

= 0

/ DT = 100 A /

Rev.9.00 2006年4月19日第2页6

RJK0305DPB

主要特点

功率与温度降额

1000

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

100

散热通道

漏电流

1毫秒

操作

DS （ ON）

100

150

200

TC = 25°C

0.1 1次脉冲

0.1

100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

4.5 V

10 V

脉冲测试

3.1 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

2.9 V

(A)

漏电流

2.7 V

25°C

TC = 75℃

–25°C

= 2.5 V

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

200

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

100

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

脉冲测试

150

= 4.5 V

100

= 10 A

10 V

100

300 1000

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.9.00 2006年4月19日第3页6