【RJK0302DPB硅N沟道功率MOS FET电源开关REJ03G1340-0600Rev.6.00】,IC型号RJK0302DPB-00-J0,RJK0302DPB-00-J0 PDF资料,RJK0302DPB-00-J0经销商,ic,电子元器件-51电子网

RJK0302DPB

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1340-0600

Rev.6.00

2006年4月19日

特点

高速开关

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

DS （ ON）

= 2.6 m

（典型值）。（在V

= 10 V)

概要

瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A

（包名称： LFPAK ）

1, 2, 3

来源

门

漏

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

3， TC = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

AP注2

AR注2

PCH

Note3

θch -C

总胆固醇

TSTG

Note1

评级

+16/-12

200

2.09

150

-55到+150

单位

° C / W

°C

Rev.6.00 2006年4月19日第1页6

RJK0302DPB

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

—

1.2

—

典型值

—

2.6

3.5

4200

1380

210

0.7

6.0

4.0

5.5

0.84

最大

—

± 0.1

2.5

3.1

4.6

—

1.10

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= +16/–12 V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 25 A，V

= 10 V

Note4

= 25 A，V

= 4.5 V

Note4

= 25 A，V

= 10 V

Note4

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 10 V, V

= 4.5 V,

= 50 A

= 10 V，I

= 25 A,

10 V ，R

= 0.4

RG = 4.7

IF = 50 A，V

= 0

Note4

IF = 50 A，V

= 0

/ DT = 100 A /

Rev.6.00 2006年4月19日第2页6

RJK0302DPB

主要特点

功率与温度降额

1000

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

100

散热通道

漏电流

操作

限于由R

DS （ ON）

100

150

200

TC = 25°C

0.1 1次脉冲

0.1

100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

100

4.5 V

10 V

3.1 V

100

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

2.9 V

(A)

漏电流

2.7 V

脉冲测试

= 2.5 V

TC = 75℃

25°C

–25°C

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

200

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

100

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

脉冲测试

150

100

= 4.5 V

10 V

100

300 1000

= 20 A

10 A

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.6.00 2006年4月19日第3页6

RJK0302DPB

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

10000

3000

西塞

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(m)

典型的电容比。

漏源极电压

电容C （PF ）

1000

科斯

300

100

= 0

F = 1 MHz的

CRSS

= 5 A, 10 A, 20 A

= 4.5 V

–25

10 V

5 A, 10 A, 20 A

100 125 150

外壳温度

(

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

(V)

100

动态输入特性

(V)

反向漏电流I

(A)

= 50 A

= 25 V

10 V

脉冲测试

10 V

漏源极电压

栅极至源极电压

= 0, –5 V

= 25 V

10 V

100

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷

QG （ NC ）

源极到漏极电压V

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

= 20 A

= 15 V

值班< 0.1 ％

≥

100

125

150

沟道温度Tch （ ° C）

Rev.6.00 2006年4月19日第4 6

RJK0302DPB

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

θch

- C （T ） =

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 2.09 ° C / W ，TC = 25°C

10 m

100 m

0.05

0.03

0.0

LSE

吨PU

0.0

0.01

100

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

MONITOR

D. U.牛逼

VIN

15 V

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

= 10 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

Rev.6.00 2006年4月19日第5 6

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