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RF2196
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
3V CDMA PCS手机
3V CDMA手机金伯利进程证书制度
3V TDMA /步态PCS手机
产品说明
该RF2196是一种高功率,高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓工艺制造,
并已被设计用作最后的RF放大器
3V CDMA和CDMA2000手机以及其它
应用程序在1750MHz至1910MHz ,以波段。该
RF2196具有低功耗模式,以延长电池寿命
在低输出功率的条件。该包是一个
超小型4mmx4mm , 16引脚QFN封装的塑料带
擦屁股地。
0.10 C B
-B-
3V PCS线性功率放大器
3V CDMA 2000 PCS手机
扩频系统
- 便携式电池供电设备
4.00
0.10 C B
2 PLCS
3.75
2 PLCS
2.00
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
尺寸(mm) 。
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
3.20
2 PLCS
2.00
0.10 C A
2 PLCS
阴影针脚是铅1 。
12°
最大
0.05
0.00
0.10 M C A B
1.00
0.90
0.75
0.65
C
0.05
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: QFN , 16引脚, 4x4的
特点
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
35 %的线性效率
在RF
GND
NC
NC
NC
低功耗模式(高达20dBm的)
55毫安空闲电流
1
VPD1 2
模式3
VPD2 4
5
GND
16
15
14
13
12 VCC1
11 VCC1
10 VCC
订购信息
6
NC
7
RF OUT
8
RF OUT
9
GND
RF2196
3V PCS线性功率放大器
RF2196PCBA - 41X完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A2 060918
2-345
RF2196
绝对最大额定值
参数
电源电压( RF关闭)
电源电压(P
OUT
≤31dBm)
模式电压(V
模式
)
控制电压(V
REG
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
等级
+8.0
+5.2
+4.2
+3.0
+10
-30到+110
-30至+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
(在此打印的时间) 。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
高功率状态
(V
模式
低)
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
( CDMA调制)
总的线性效率
邻道功率Rejec-
输入VSWR
输出VSWR
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
1850
25
1910
27
-50
-63
29
35
-46
-62
<2 : 1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
dBc的
dBc的
P
OUT
=29dBm
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
在80MHz偏移。
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2V至3V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
-44
-56
10:1
6:1
-141
dBm / Hz计
低功耗状态
(V
模式
HIGH )
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
( CDMA调制)
我最大
CC
邻道功率Rejec-
输入VSWR
输出VSWR
1850
16
1910
20
-45
-60
20
160
<-50
<-60
2:1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
mA
dBc的
dBc的
16
-46
-58
10:1
6:1
P
OUT
= + 16dBm时(所有电流含税)
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
2-346
转A2 060918
RF2196
参数
高功率状态CDMA
2000 1X (V
模式
低)
频带
线性增益
试点+ DCCH 9600
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率Rejec-
试点FCH + 9600 + 9600 SCH0
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率Rejec-
1850
27
26.5
-49
-61
29
-46
-63
1910
兆赫
dB
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
包括IS95D 5.4分贝高峰2.5分贝退避
到平均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
4.5分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2V至3V ,频率= 1850MHz到
1910MHz
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
低功耗状态CDMA
2000 1X (V
模式
HIGH )
频带
线性增益
试点+ DCCH 9600
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率Rejec-
试点FCH + 9600 + 9600 SCHO
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率Rejec-
1850
19
16
20
-52
-65
16
20
-52
-65
1910
兆赫
dB
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
4.2
V
mA
mA
mA
mA
μA
V
V
V
V
5.4分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
4.5分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
DC电源
电源电压
静态电流
V
REG
当前
V
模式
当前
总电流(关机)
V
REG
“低”电压
V
REG
“高”电压
V
模式
“低”电压
V
模式
“高”电压
3.0
3.4
185
55
5
V
模式
ULOW
V
模式
0
2.75
0
2.0
2.85
10
1
10
0.5
2.95
0.5
3.0
V
REG
ULOW
转A2 060918
2-347
RF2196
1
2
3
4
5
6
功能
GND
VREG1
模式
VREG2
GND
NC
描述
该引脚内部接地到模具的标志。
掉电控制第一阶段。稳压电源的扩增
费里的偏见。在掉电模式下, V
REG
和V
模式
需要是低
(<0.5V).
对于正常操作(高增益模式) ,V
模式
被设置为低电平。当设置
高电平,驱动器和最终被动态地缩放,以降低器件
大小,其结果,以减少空闲的电流。
掉电控制的第二阶段。稳压电源的
放大器的偏置。在掉电模式下, V
REG
和V
模式
LOW ( <0.5V ) 。
连接通过15nH电感接地平面。直流回用于第二
级的偏置电路。
该引脚没有内部粘接;因此,该引脚可以连接
到输出端7 ,连接到接地平面,或者不连接。轻微
输出匹配的调整可能需要由于杂散电容
PIN码。
RF输出和电源,用于最后阶段。这是无与伦比的同事
RF OUT
第二级的讲师输出。直流模块需要继
匹配元件。偏压可以经由平行的L-C提供
设置为谐振于1710MHz的工作频率,以1910MHz 。
偏见
选择电感器带有一个非常低的直流电阻是很重要的
1A的额定电流。可替换地,并联微带技术也
适用,提供非常低直流电阻。低频bypass-
ING需要稳定。
同7脚。
见第7脚。
该引脚内部接地到模具的标志。
供应偏置参考电路和控制电路。高频bypass-
荷兰国际集团可能是必要的。
电源的第一级和级间匹配。销11和12
应通过一个共同的跟踪,其中所述销与所述连接
印刷电路板。
同11脚。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚改善隔离(销11
和12)。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚改善隔离(销11
和12)。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚改善隔离(销11
和12)。
RF输入。外部15pF的电容串联,需要一个DC块。
此外,所示的匹配电路是必需的,以提高输入
VSWR 。
接口示意图
7
RF OUT
8
9
10
11
12
13
14
15
16
RF OUT
GND
VCC
VCC1
VCC1
NC
NC
NC
在RF
VCC1
15 pF的
在RF
3.6 pF的
GND1
BIAS
阶段
TL
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘,其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
2-348
转A2 060918
RF2196
应用原理
美国 - CDMA
在RF
匹配网络
最佳的输入回波损耗
15 pF的
3.6 pF的
旁路为
V
REG1
和V
REG2
间调谐定心
频率响应
RF扼流圈 - 偏置电感
用于放大器级间
TL4
+
VREG
1
μF
跨接器
跨接器
1 kΩ
15 pF的
1
2
3
4
16
15
14
13
12
11
10
11 pF的
TL
3
10 nF的
铁素体
10
Ω
绕过了V
CC
VMODE
1
μF
+
VCC
15 pF的
15 pF的
5
6
7
8
9
偏回归
12 nH的
匹配网络
最佳负载阻抗
4.7 pF的
TL
2
2.2 pF的
TL
1
2.5 nH的
15 pF的
2.2 pF的
10 nF的
4.7
μF
15 pF的
管脚1和9在内部接地到模具标志。
传输
线长
RF OUT
CDMA (美国)
TL
1
30 MILS
TL
2
140密耳
TL
3
15密耳
TL
4
200密耳
转A2 060918
2-349
查看更多RF2196_06PDF信息
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RF2196_06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
RF2196_06
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