【初步数据表RJK0202DSP硅N沟道功率MOS FET电源开关特点高速开关能够2.5 V门极驱动低】,IC型号RJK0202DSP-00-J0,RJK0202DSP-00-J0 PDF资料,RJK0202DSP-00-J0经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RJK0202DSP

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

特点

高速开关

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 5.0 m

（典型值）。（在V

GS

= 4.5 V)

R07DS0238EJ0220

Rev.2.20

2011年1月5日

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8<FP - 8DAV> ）

5

76

4

G

5 6 7 8

D D D D

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

8

3

12

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到环境热阻

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

I

AP注2

E

AR注2

PCH

Note3

θch -A

Note3

总胆固醇

TSTG

Note1

评级

20

±12

16

128

16

15

45

2.0

62.5

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

° C / W

C

注意事项： 1， PW

10

s,

占空比

1%

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

50

3.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW

10s

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2011年1月5日

第1页6

RJK0202DSP

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Rg

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

20

—

0.4

—

典型值

—

5.0

6.2

55

3650

640

330

1.4

31

6.2

6.9

20

40

72

18

0.75

50

最大

—

± 0.1

1

1.4

6.3

8.7

—

0.98

—

单位

V

A

V

m

S

pF

nC

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 8 A，V

GS

= 4.5 V

Note4

I

D

= 8 A，V

GS

= 2.5 V

Note4

I

D

= 8 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 16 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 8 A

V

DD

10 V

R

L

= 1.25

RG = 4.7

IF = 16 A，V

GS

= 0

Note4

IF = 16 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A /

s

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第2 6

RJK0202DSP

初步

主要特点

功率与温度降额

4.0

500

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

3.0

10

μs

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

100

漏电流I

D

(A)

10

DC

PW

Op

ERA

TIO

10

=1

1m

0

μ

s

0m

s

2.0

n(

s

1

PW

1.0

0.1

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1次脉冲

0.3

1

3

N

＆ LT ; 1

OTE

0s

5

)

0

50

100

150

200

0.01

0.1

10

30

100

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

DS

(V)

注5：当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

典型的输出特性

20

10, 4.5 V

脉冲测试

典型的传输特性

20

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

12

1.4 V

漏电流I

D

(A)

16

1.5 V

16

12

8

TC = 75℃

8

4

V

GS

= 1.3 V

4

25°C

–25°C

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

100

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极电压V

DS （ ON）

（毫伏）

200

脉冲测试

160

脉冲测试

50

20

10

5

120

V

GS

= 2.5 V

80

I

D

= 10 A

40

4.5 V

2

1

10

100

1000

5A

2A

0

4

8

12

16

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

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RJK0202DSP

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

12

10000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

脉冲测试

I

D

= 2A, 5A,10 A

西塞

电容C （PF ）

10

3000

1000

300

8

科斯

V

GS

= 2.5 V

6

CRSS

100

30

10

2 A, 5 A, 10 A

4

2

-25

4.5 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

5

10

15

20

25

30

0

25

50

75

100 125 150

外壳温度

Tc

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

反向漏电流 -

源极到漏极电压

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

50

40

30

20

反向漏电流I

DR

(A)

I

D

= 16 A

20

16

12

8

20

16

10 V

V

GS

= 0 V

V

DD

= 10 V

5V

V

GS

12

8

V

DS

10

V

DD

= 10 V

5V

4

0

100

4

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0

20

40

60

80

栅极电荷Qg （ NC ）

源极到漏极电压V

SD

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

50

40

I

AP

= 15 A

V

DD

= 15 V

值班< 0.1 ％

RG > 50

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

沟道温度Tch （ ° C）

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第4 6

RJK0202DSP

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

10

初步

归瞬态热阻抗

γs

(t)

1

D=1

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

0.01

0.02

0.01

0.001

1s

h

p

ot

ULS

e

θch

- F（T） =

γs

（T ）×

θch

- f

θch

- F = 100 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）

PDM

PW

T

D=

PW

T

0.0001

1

μ

10

μ

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

E

AR

=

雪崩波形

1

2

L

I

AP

2

V

DSS

V

DSS

- V

DD

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

V

（ BR ） DSS

I

AP

V

DD

I

D

V

DS

Rg

VIN

D. U.牛逼

50

Ω

0

V

DD

开关时间测试电路

输入电压监视器

Rg

D.U.T.

R

L

V

DS

= 10 V

VIN

VOUT

VIN

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

90%

TD （上）

tr

90%

TD （关闭）

tf

10%

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