R1RW0416DI系列
工作温度范围宽版
4M高速SRAM （ 256千字
×
16-bit)
REJ03C0109-0100Z
1.00版
Mar.12.2004
描述
该R1RW0416DI是4兆高速静态RAM举办256千字
×
16位。它实现了高
通过采用CMOS工艺（ 6晶体管存储单元）和高速电路的速度存取时间
设计技术。它最适合于需要高速，高密度的应用
存储器和宽位宽度配置，例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该R1RW0416DI
包装在400万44引脚SOJ和400万44引脚塑料TSOPII高密度表面安装。
特点
3.3 V单电源： 3.3 V
±
0.3 V
访问时间： 12纳秒（最大）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流： 130毫安（最大值）
TTL待机电流： 40毫安（最大值）
CMOS待机电流5mA （最大）
中心V
CC
和V
SS
类型引脚出
温度范围：
40
至+ 85°C
订购信息
型号
R1RW0416DGE-2PI
R1RW0416DSB-2PI
存取时间
12纳秒
12纳秒
包
400万44引脚塑料SOJ （ 44P0K ）
400万44引脚塑料TSOPII （ 44P3W -H ）
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ，第12页1
R1RW0416DI系列
管脚配置
44引脚SOJ
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE ＃
UB ＃
磅＃
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44针TSOP
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE ＃
UB ＃
磅＃
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A14
A13
A12
A11
A10
（ TOP VIEW ）
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
A0到A17
I / O1到I / O16
CS ＃
OE ＃
WE＃
UB ＃
磅＃
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
高字节选择
低字节选择
电源
地
无连接
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 12第2页
R1RW0416DI系列
框图
（ LSB ）
A14
A13
A12
A5
A6
A7
A11
A10
A3
（MSB） A 1
I/O1
.
.
.
I/O8
I/O9
.
.
.
I/O16
WE＃
CS ＃
磅＃
UB ＃
V
CC
ROW
解码器
存储矩阵
1024行
×
32列
×
8块
×
16位
（ 4,194,304位）
V
SS
CS
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
CS
（ LSB ）
A8 A9 A17 A15 A16 A0 A2 A4
（MSB）
OE ＃
CS
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 12第3页
R1RW0416DI系列
手术床
CS ＃ OE ＃ WE＃ LB ＃瑞银模式
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
×
H
L
L
L
L
×
×
×
×
×
H
H
H
H
H
L
L
L
L
×
×
L
L
H
H
L
L
H
H
×
×
L
H
L
H
L
H
L
H
待机
输出禁用
读
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I/O1I/O8
高-Z
高-Z
产量
产量
高-Z
高-Z
输入
输入
高-Z
高-Z
I/O9I/O16
高-Z
高-Z
产量
高-Z
产量
高-Z
输入
高-Z
输入
高-Z
参考文献。周期
读周期
读周期
读周期
写周期
写周期
写周期
低字节读取I
CC
高字节读取I
CC
写
I
CC
I
CC
低字节写入I
CC
高字节的写入I
CC
I
CC
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
0.5
到4.6
0.5*
到V
CC
+ 0.5*
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
°C
1.0
40
+85
55
+125
40
+85
注意事项： 1， V
T
（分钟） =
2.0
V脉冲宽度（下拍摄）
≤
6纳秒
2. V
T
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）
≤
6纳秒
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 12的第4页
R1RW0416DI系列
建议的直流工作条件
（大=
40
至+ 85°C ）
参数
电源电压
符号
V
CC
*
V
SS
*
输入电压
注：1 。
2.
3.
4.
V
IH
V
IL
3
4
民
3.0
0
2.0
0.5*
1
典型值
3.3
0
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.5*
0.8
2
单位
V
V
V
V
V
IL
（分钟） =
2.0
V脉冲宽度（下拍摄）
≤
6纳秒
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）
≤
6纳秒
与所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。
与所有V电源电压
SS
销必须在同一水平上。
DC特性
（大=
40
+ 85℃ ，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CC
民
最大
2
2
130
单位
A
A
mA
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
IN
= V
SS
到V
CC
闵周期
CS ＃ = V
IL
, I
OUT
= 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
闵周期， CS ＃ = V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
F = 0兆赫
V
CC
≥
CS ＃
≥
V
CC
0.2 V,
(1) 0 V
≤
V
IN
≤
0.2 V或
(2) V
CC
≥
V
IN
≥
V
CC
0.2 V
I
OL
= 8毫安
I
OH
=
4
mA
待机电源电流
I
SB
I
SB1
40
5
mA
mA
输出电压
V
OL
V
OH
2.4
0.4
V
V
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容*
注意：
1
1
符号
C
IN
C
I / O
民
最大
6
8
单位
pF
pF
测试条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
输入/输出电容*
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 12第5页
数据表
R1RW0416DI系列
工作温度范围宽版
4M高速SRAM （ 256千字
×
16-bit)
描述
该R1RW0416DI是4兆高速静态RAM举办256千字
×
16位。它实现高速接入
时间通过采用CMOS工艺（ 6晶体管存储单元）和高速电路的设计技术。它是最
适合于需要高速，高密度存储器和宽位宽度配置的应用程序，例如
作为系统缓存和缓冲存储器中。该R1RW0416DI包装在400万44引脚SOJ和400万44针
塑料TSOPII高密度表面安装。
REJ03C0109-0201
Rev.2.01
2010年6月16日
特点
3.3 V单电源： 3.3 V
±
0.3 V
访问时间： 10ns的/ 12纳秒（最大）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流：一百三十零分之一百四十五毫安（最大）
TTL待机电流： 40毫安（最大值）
CMOS待机电流5mA （最大）
中心V
CC
和V
SS
类型引脚出
温度范围：
40
至+ 85°C
订购信息
型号
R1RW0416DGE-0PI
R1RW0416DGE-2PI
R1RW0416DSB-0PI
R1RW0416DSB-2PI
10ns
12纳秒
10纳秒
12纳秒
400万44引脚塑料TSOPII （ 44P3W -H ）
存取时间
包
400万44引脚塑料SOJ （ 44P0K ）
REJ03C0109-0201 Rev.2.01
2010年6月16日
分页： 11 1
R1RW0416DI系列
建议的直流工作条件
（大=
40
至+ 85°C ）
参数
电源电压
输入电压
注：1 。
2.
3.
4.
V
CC
*
V
SS
*
V
IH
V
IL
3
4
符号
3.0
0
民
3.3
0
典型值
3.6
0
最大
V
V
2
单位
2.0
1
0.5*
V
CC
+ 0.5*
0.8
V
V
V
IL
（分钟） =
2.0
V脉冲宽度（下拍摄）
≤
6纳秒
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）
≤
6纳秒
与所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。
与所有V电源电压
SS
销必须在同一水平上。
DC特性
（大=
40
+ 85℃ ，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CC
民
2
2
130
最大
A
A
mA
单位
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
IN
= V
SS
到V
CC
闵周期
CS ＃ = V
IL
, I
OUT
= 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
闵周期， CS ＃ = V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
F = 0兆赫
V
CC
≥
CS ＃
≥
V
CC
0.2 V,
(1) 0 V
≤
V
IN
≤
0.2 V或
(2) V
CC
≥
V
IN
≥
V
CC
0.2 V
I
OL
= 8毫安
I
OH
=
4
mA
待机电源电流
I
SB
I
SB1
40
5
mA
mA
输出电压
V
OL
V
OH
2.4
0.4
V
V
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容*
注意：
1
1
符号
C
IN
C
I / O
民
6
8
最大
pF
pF
单位
测试条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
输入/输出电容*
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
REJ03C0109-0201 Rev.2.01
2010年6月16日
第5
11
QQ：2881677436 复制
