初步
数据表
RJH60D5DPQ-E0
600V - 37A - IGBT
应用:变频器
特点
短路耐受时间( 5
s
TYP 。 )
低集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
= 1.6 V (典型值) 。 (在我
C
= 37 A,V
GE
= 15 V , TA = 25 ° C)
内置快速恢复二极管( 100纳秒TYP。)在一个封装
沟槽栅和薄晶圆技术
高速开关
t
f
= 40纳秒(典型值) 。 (在V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V,I
C
= 37 A, RG = 5
,
TA = 25 ° C,电感性负载)
R07DS0738EJ0100
Rev.1.00
2012年4月19日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003ZE -A
(包名称: TO- 247 )
C
4
G
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集
E
1 2
3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
集电极到发射极电压/二极管的反向电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25°C
TC = 100℃
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流
集电极到发射极二极管的正向电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻( IGBT )
结到外壳热阻(二极管)
结温
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
CES
/ V
R
V
GES
I
C
I
C
集成电路(峰值)
Note1
I
DF
i
DF
(峰值)
Note1
Note2
P
C
θJ -C
Note2
θJ -CD
Note2
Tj
TSTG
评级
600
±30
75
37
150
30
120
200
0.63
2.1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
° C / W
°C
°C
R07DS0738EJ0100 Rev.1.00
2012年4月19日
第1页9