RF3807GaAs
HBT预驱动器
扩音器
RF3807
砷化镓HBT预驱动放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： SOIC - 8
特点
输出P1dB为Power>0.5W
高线性度
高功率附加效率
热增强型封装
宽带平台设计
方法， 450MHz的至2700MHz
RFIN
NC
VREF
1
2
3
4
BIAS
电路
8
VBIAS
7
RFOUT / VCC
6
RFOUT / VCC
5
NC
应用
砷化镓预驱动器，用于基站
放大器器
PA舞台商用无线
较少的基础设施
AB类操作的NMT ，
GSM， DCS，PCS ，UMTS和
WLAN收发器应用
第二/第三级LNA无线
基础设施
NC
包装基地
GND
功能框图
产品说明
该RF3807是GaAs预驱动功率放大器，专为无线设计
基础设施应用。使用高度可靠的GaAs HBT的制造方法，
这种高性能的单级放大器实现了高输出功率超过
宽的频率范围内。该RF3807还提供了出色的效率和热
通过采用热增强型的稳定的表面贴装塑料封装塞
年龄。易于集成是通过优化的结合来实现
评估电路板设计提供了实现正确的50Ω操作。各种evalua-
灰板可应对范围广泛的无线基础设施应用程序
阳离子： NMT的450MHz ， GSM850 ， GSM900 ， DCS1800 ， PCS1900 ，和UMTS2100 。
订购信息
RF3807
RF3807PCK-410
RF3807PCK-411
RF3807PCK-412
RF3807PCK-413
RF3807PCK-414
RF3807PCK-415
砷化镓HBT预驱动放大器
完全组装的评估板，在450MHz
完全组装的评估板， 869MHz至894MHz
完全组装的评估板， 920MHz到960MHz的
完全组装的评估板， 1800MHz至1880MHz
完全组装的评估板， 1930MHz到1990MHZ
完全组装的评估板， UMTS
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A5 DS080220
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1的20
RF3807
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
CC
和V
BIAS
)
参考电流（I
REF
)
直流电源电流
最大输入功率
输出负载VSWR @ P1dB的
工作环境温度
储存温度
等级
9.0
30
250
见下文
4:1
-40至+85
-40到+150
单位
V
mA
mA
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
°C
°C
参数
总体而言 - 450MHz的
频率
P1dB
P
IN
最大
总有效率
总功率附加效率
增益（S21）
二次谐波（ 2FO ）
三次谐波（ 3fo ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
分钟。
420
规范
典型值。
马克斯。
480
单位
兆赫
DBM
条件
I
REF
= 14毫安，V
CC
=8V, V
REF
=8V, V
BIAS
=8V,
Temp=+25°C
+29.0
18
53.5
52.5
16.5
-19.0
-21.0
-13.0
-6.5
40.0
42.0
43.5
44.5
DBM
%
%
dB
dBc的
dBc的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
15dBm/tone
17dBm/tone
19dBm/tone
21dBm/tone
@P1dB
@P1dB
@P1dB
@P1dB
双色调规格
OIP3
2 20
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS080220
RF3807
参数
总体而言 - GSM800
频率
P1dB
P
IN
最大
总有效率
总功率附加效率
增益（S21）
二次谐波（ 2FO ）
三次谐波（ 3fo ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
56
55
16.5
-20.0
-39.0
-18.0
-12.0
38.5
41.0
44.0
45.0
869
+30.5
16
894
兆赫
DBM
DBM
%
%
dB
dBc的
dBc的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
960
+30.5
16
56
55
16.5
-22.0
-30.5
-22.0
-8.5
42.5
43.0
44.0
42.0
兆赫
DBM
DBM
%
%
dB
dBc的
dBc的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
15dBm/tone
17dBm/tone
19dBm/tone
21dBm/tone
@P1dB
@P1dB
@P1dB
@P1dB
15dBm/tone
17dBm/tone
19dBm/tone
21dBm/tone
I
REF
= 14毫安，V
CC
=8V, V
REF
=8V, V
BIAS
=8V,
Temp=+25°C
@P1dB
@P1dB
@P1dB
@P1dB
I
REF
= 14毫安，V
CC
=8V, V
REF
=8V, V
BIAS
=8V,
Temp=+25°C
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
双色调规格
OIP3
总体而言 - GSM900
频率
P1dB
P
IN
最大
总有效率
总功率附加效率
增益（S21）
二次谐波（ 2FO ）
三次谐波（ 3fo ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
920
双色调规格
OIP3
转A5 DS080220
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 20
RF3807
参数
总体而言 - DCS1800
频率
P1dB
P
IN
最大
总有效率
总功率附加效率
增益（S21）
二次谐波（ 2FO ）
三次谐波（ 3fo ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
53.0
52.0
14.5
-36.0
-36.0
-14.0
-6.0
40.0
41.0
42.0
42.0
1805
29.0
18.0
1880
兆赫
DBM
DBM
%
%
dB
dBc的
dBc的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
1990
28.0
18.0
49.0
48.0
14.0
-41.0
-41.0
-12.0
-7.0
39.5
41.5
42.5
41.5
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
15dBm/tone
17dBm/tone
19dBm/tone
21dBm/tone
兆赫
DBM
DBM
%
%
dB
dBc的
dBc的
@P1dB
@P1dB
@P1dB
@P1dB
15dBm/tone
17dBm/tone
19dBm/tone
21dBm/tone
I
REF
= 14毫安，V
CC
=8V, V
REF
=8V, V
BIAS
=8V,
Temp=+25°C
@P1dB
@P1dB
@P1dB
@P1dB
I
REF
= 14毫安，V
CC
=8V, V
REF
=8V, V
BIAS
=8V,
Temp=+25°C
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
双色调规格
OIP3
总体而言 - PCS1900
频率
P1dB
P
IN
最大
总有效率
总功率附加效率
增益（S21）
二次谐波（ 2FO ）
三次谐波（ 3fo ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
1930
双色调规格
OIP3
4 20
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS080220
RF3807
参数
UMTS 2100
频率
P1dB
P
IN
最大
总有效率
总功率附加效率
增益（S21）
二次谐波（ 2FO ）
三次谐波（ 3fo ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
12.5
46
45
14.0
-35.0
-56.0
-16.0
-11.0
38.5
39.5
40.5
42.0
40.5
15
2110
+28.0
+28.5
18
2170
兆赫
DBM
DBM
%
%
dB
dBc的
dBc的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
9.0
130
30
V
mA
mA
μA
V
CC
=V
REF
=V
BIAS
= 8V ，R
BIAS
=340Ω
V
CC
=V
REF
=V
BIAS
= 8V ，R
BIAS
=340Ω
V
REF
=0V, V
CC
=8V
15dBm/tone
17dBm/tone
19dBm/tone
21dBm/tone
@P1dB
@P1dB
@P1dB
@P1dB
I
REF
= 14毫安，V
CC
=8V, V
REF
=8V, V
BIAS
=8V,
Temp=+25°C
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
双色调规格
OIP3
电源
电源电压
电源电流（I
CC
+I
BIAS
)
控制电流（I
REF
)
掉电电流
4.5
95
8.0
112
14
偏置表
V
CC
8
5
V
BIAS
8
5
V
REF
8
5
R
BIAS
340
43
I
REF
14
24
I
CQ
111
111
评论
对于相当于我
CQ
到8V的情况下
转A5 DS080220
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 20
RF3807
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
砷化镓预驱动器，用于基站放大器
PA舞台商用无线基础设施
AB类操作的NMT ， GSM ， DCS ， PCS ，
UMTS和WLAN的收发器应用
砷化镓HBT预驱动放大器
产品说明
该RF3807是GaAs预驱动功率放大器， specifi-
美云专为无线基础设施应用。
使用高度可靠的GaAs HBT的制造方法，
这种高性能的单级放大器实现
高输出功率在一个宽的频率范围内。该
RF3807还提供了优异的效率和热
通过采用热增强型surface-的稳定性
安装塑料塞包。易于集成的是accom-
plished通过优化evalua-的掺入
灰板设计提供了实现正确的50Ω
操作。各种评估板可用来
满足各种无线基础设施应用
系统蒸发散： NMT 450MHz的; GSM850 ; GSM900 ; DCS1800 ;
PCS1900 ; UMTS2100 ;并且， WLAN2400 。
0.157
0.150
0.0192
0.0138
0.004
0.002
-A-
0.196
0.189
0.050
0.244
0.230
阴影铅引脚1 。
0.066
0.056
裸露
DIE FLAG
0.126
0.088
8 MAX
0 ° MIN
0.0098
0.0075
0.035
0.016
0.099
0.061
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： SOIC - 8
特点
输出P1dB为Power>0.5W
- 高线性度
高功率附加效率
耐热增强型封装
宽带平台的设计方式，
在450MHz至2500MHz
VREF
1
2
3
4
BIAS
电路
8
VBIAS
7
RFOUT / VCC
6
RFOUT / VCC
5
NC
NC
RFIN
NC
订购信息
RF3807
RF3807PCK-410
RF3807PCK-411
RF3807PCK-412
RF3807PCK-413
RF3807PCK-414
RF3807PCK-415
包装基地
GND
砷化镓HBT预驱动放大器
完全组装的评估板，在450MHz
完全组装的评估板， 869MHz至894MHz
完全组装的评估板， 920MHz到960MHz的
完全组装的评估板， 1800MHz至1880MHz
完全组装的评估板， 1930MHz到1990MHZ
完全组装的评估板， UMTS
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A4 050912
4-623
RF3807
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
CC
和V
BIAS
)
功率控制电压（V
REF
)
直流电源电流
最大输入功率
输出负载VSWR @ P1dB的
工作环境温度
储存温度
等级
9.0
9.0
250
见下文
4:1
-40至+85
-40到+150
单位
V
V
mA
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
°C
°C
参数
总体而言 - 450MHz的
频率
P1dB
P
IN
最大
总有效率
总功率附加效率
增益（S21）
二次谐波（ 2FO ）
三次谐波（ 3fo ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
420
+28.5
51.0
50.0
16.0
-21.0
-25.0
-15.0
-8.0
38.0
39.5
41.0
42.5
+29.0
53.5
52.5
16.5
-19.0
-21.0
-13.0
-6.5
40.0
42.0
43.5
44.5
480
+29.5
16
55.0
54.0
17.0
-18.5
-20.0
-11.0
-6.0
单位
兆赫
DBM
DBM
%
%
dB
dBc的
dBc的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
条件
I
REF
= 14毫安，V
CC
=8V, V
REF
=8V, V
BIAS
=8V,
Temp=+25°C
@P1dB
@P1dB
@P1dB
@P1dB
双色调规格
OIP3
15dBm/tone
17dBm/tone
19dBm/tone
21dBm/tone
4-624
转A4 050912
QQ：2880707522 复制
