RH118
精度高，速度快
运算放大器连接器
U
W W
顶视图
8
7
6
5
J8套餐
8引脚CERDIP
COMP2
V
+
描述
该RH118是一种精密，高速运算放大器
它提供了高带宽，高转换率。与
许多宽带放大器，该RH118是单位增益稳定
并具有50V / μs的转换速率。
晶圆批次进行处理，凌力尔特公司IN-
家S级溢流产生电路严格可用
军事应用。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
绝对
最大
评级
电源电压................................................ ...... ± 20V
差分输入电流（注1 ） ...................... ± 10毫安
输入电压（注2 ） .......................................... ± 20V
输出短路持续时间.........................印出无限
工作温度范围.............. - 55 ° C至125°C
存储温度范围................. - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
BUR -I电路
（每扩增fi er ）
10k
20V
2
200
3
10k
–20V
–20V
RH118 BI
20V
–
+
7
6
OR
249k
3V
2
–
+
7
6
3
4
4
封装/订购信息
顶视图
COMP2
8
COMP1 1
-IN 2
+ IN 3
4
V
–
（案例）
H封装
8引脚TO- 5金属罐
–
顶视图
7 V
+
6 OUT
5 COMP3
COMP1 1
-IN 2
+ IN 3
V
–
4
NC
COMP1
- 输入
+输入
V
–
OUT
COMP3
W
U
W
U
U
U U
+
301
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
COMP3
V
+
产量
COMP2
W包装
10引脚CERPAC
1
RH118
表1 ：电气特性
符号参数
V
OS
I
OS
I
B
R
IN
A
V
SR
GBW
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压增益V
S
= ± 15V, V
OUT
= ± 10V
R
L
2k
压摆率
增益带宽积
输出电压摆幅
输入电压范围
I
S
电源电流
T
A
= 125°C
CMRR
PSRR
共模抑制
比
电源抑制
比
80
70
1
1
80
70
V
S
= ± 15V ，A
V
= 1
V
S
= ± 15V
V
S
= ± 15V ，R
L
= 2k
V
S
= ± 20V
± 12
± 16.5
8
5
4
1
50
50
15
4
1
1
7
2
2,3
2,3
± 12
± 16.5
5,6
2,3
1
25
2,3
条件
笔记
（预辐射） （注3 ）
T
A
= 25°C
最小典型最大
4
50
250
SUB -
= 55 ° （C T）
A
125°C
集团最小值典型值最大值
1
1
1
6
100
500
SUB -
组
2,3
2,3
2,3
单位
mV
nA
nA
M
V / MV
V / μs的
兆赫
V
V
mA
mA
dB
dB
表1A ：电气特性
符号参数
V
OS
I
OS
I
B
R
IN
A
V
SR
GBW
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压增益V
S
= ± 15V, V
OUT
= ± 10V
R
L
2k
压摆率
增益带宽积
输出电压摆幅
输入电压范围
I
S
CMRR
PSRR
电源电流
共模抑制
比
电源抑制
比
80
70
V
S
= ± 15V ，A
V
= 1
V
S
= ± 15V
V
S
= ± 15V ，R
L
= 2k
±12
±16.5
5
4
1
50
50
条件
（照射后） （注6 ）
50Krad （SI ） 100Krad （SI ） 200Krad （SI ）
最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
4
50
250
1
50
50
15(Typ)
±12
±16.5
8
80
70
8
80
70
15(Typ)
±12
±16.5
8
80
70
0.5
50
50
15(Typ)
±12
±15
8
70
60
±12
±12
8
4
50
300
0.5
25
50
15(Typ)
10
100
400
mV
nA
nA
M
V / MV
V / μs的
兆赫
V
V
mA
dB
dB
10Krad(Si)
20Krad(Si)
备注最小值最大值最小值最大值
4
50
250
1
50
50
15(Typ)
4
50
250
2
RH118
电气特性
（续）
注4 ：
由设计，表征或相关的其他保障
测试参数。
注5 ：
压摆率是100 ％，在晶圆测试探针测试。这是QA样品
在成品包装的形式进行测试。
注6 ：
T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 20V, V
CM
= 0V ，除非另有说明。
每注3电源旁路。
注1 ：
输入被分流与背到背齐纳二极管的过压
保护。过大的电流会流，如果不是差分电压较大
5V被施加到输入端。
注2 ：
为供给电压小于±15V ，最大输入电压为
等于电源电压。
注3 ：
这些规范适用于± 5V V
S
± 20V 。电源
电源必须用在一个0.1μF或更大的光盘的旁路电容
4英寸设备。
总剂量偏置电路
10k
15V
2
7
6
10k
8V
3
–
+
4
0.1F
–15V
0.1F
RH118 TDBC
表2 ：电气试验REQUIRE ê TS
MIL -STD- 883测试要求
最后的电气测试要求（方法5004 ）
A组试验要求（方法5005 ）
C组和D终点电气参数
（方法5005 ）
* PDA适用于亚组1.见PDA测试的注意事项。
小组
1*,2,3,4,5,6
1,2,3,4,5,6
1
PDA测试手记
在PDA被指定为基于从A组故障5％ ，子群1 ，
冷却时间为依据的方法最终电气测试后测试
MIL -STD- 883 B类中的5004验证失败（包括三角洲
参数） A组，子组1的后老化的总分割
在很多提交的老化设备的数目应被用于
确定百分比的很多。
凌力尔特公司保留测试更严格的限制权
比给出。
提供的信息由凌力尔特公司被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担供其使用。凌力尔特公司不作任何代表中
塔季翁，其如本文所描述的电路的互连不会对现有的专利权侵犯。
ü W
3
RH118
典型性能特性
输入失调电压
6
4
2
0
–2
–4
–6
V
S
=
±20V
V
CM
= 0V
输入偏置电流（ NA）
输入失调电压（MV ）
400
300
200
100
0
输入失调电流（ NA）
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
开环增益
400
110
共模抑制比（分贝）
100
90
80
70
60
50
40
电源抑制比（dB ）
V
S
=
±15V
V
O
=
±10V
R
L
= 2k
开环增益（V /毫伏）
300
200
100
0
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
4
凌力尔特公司
1630麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-7417
(408) 432-1900
q
传真
: (408) 434-0507
q
TELEX
: 499-3977
ü W
RH118 G01
RH118 G02
输入偏置电流
600
500
V
S
=
±20V
V
CM
= 0V
60
40
20
0
–20
–40
–60
输入失调电流
V
S
=
±20V
V
CM
= 0V
1000
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
1000
RH118 G03
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
1000
RH118 G05
共模抑制比
V
S
=
±20V
V
CM
=
±16.5V
110
100
90
80
70
60
50
电源抑制比
V
S
=
±5V
TO
±20V
40
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
1000
RH118 G06
1000
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
1000
RH118 G04
内径第66-11-0118版本A 0796
LT / HP 0796 REV A 500 美国印刷
凌力尔特公司1989年
QQ：2881677436 复制
