三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA08N1317M
135-175MHz 8W 9.6V PORTABLE RADIO
框图
2
3
描述
该RA08N1317M是一个8瓦的射频MOSFET放大器模块
9.6伏的工作在135-到175 - MHz的便携式收音机
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压(V
GG
= 0V)时,只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围2.5V (最低),输出功率和漏栅电压
目前的大幅增加。额定输出功率
在3V (典型值)和3.5V (最大)变为可用。在
V
GG
= 3.5V ,典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制,但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=9.6V, V
GG
=0V)
P
OUT
>8W @ V
DD
=9.6V, V
GG
= 3.5V ,P
in
=20mW
η
T
>50 %@ P
OUT
= 8W (V
GG
控制) ,V
DD
= 9.6V ,P
in
=20mW
宽带频率范围: 135-175MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA(典型值),在V
GG
=3.5V
模块尺寸: 30 ×10× 5.4毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入(P
in
)
栅极电压(V
GG
) ,功率控制
漏极电压(V
DD
) ,电池
RF输出(P
OUT
)
射频接地(CASE )
订货信息:
订单号
RA08N1317M-E01
RA08N1317M-01
(日本 - 包装无干燥器)
供货形式
防静电托盘,
25模块/托盘
RA08N1317M
三菱电机
1/9
2002年12月23日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA08N1317M
等级
16
4
30
10
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃,除非另有规定)
符号
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例( OP )
T
英镑
参数
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<3.5V
V
DD
<9.6V ,P
in
=0mW
f=135-175MHz,
Z
G
=Z
L
=50
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 4.8-15V ,P
in
= 10-30mW ,P
OUT
<8W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 4 :1的
V
DD
= 13.2V ,P
in
= 20毫瓦,P
OUT
= 8W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 20 :1的
P
OUT
= 8W (V
GG
控制) ,
V
DD
=9.6V,
P
in
=20mW
1
无寄生振荡
没有退化或
破坏
V
DD
=9.6V,V
GG
= 3.5V ,P
in
=20mW
条件
民
135
8
50
典型值
最大
175
单位
兆赫
W
%
-25
4:1
dBc的
—
mA
—
—
所有参数,条件,收视率,并限制如有变更,恕不另行通知。
RA08N1317M
三菱电机
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观察处理注意事项
RA08N1317M
135-175MHz 8W 9.6V PORTABLE RADIO
框图
2
3
描述
该RA08N1317M是一个8瓦的射频MOSFET放大器模块
9.6伏的工作在135-到175 - MHz的便携式收音机
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压(V
GG
= 0V)时,只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围2.5V (最低),输出功率和漏栅电压
目前的大幅增加。额定输出功率
在3V (典型值)和3.5V (最大)变为可用。在
V
GG
= 3.5V ,典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制,但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=9.6V, V
GG
=0V)
P
OUT
>8W @ V
DD
=9.6V, V
GG
= 3.5V ,P
in
=20mW
η
T
>50 %@ P
OUT
= 8W (V
GG
控制) ,V
DD
= 9.6V ,P
in
=20mW
宽带频率范围: 135-175MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA(典型值),在V
GG
=3.5V
模块尺寸: 30 ×10× 5.4毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入(P
in
)
栅极电压(V
GG
) ,功率控制
漏极电压(V
DD
) ,电池
RF输出(P
OUT
)
射频接地(CASE )
订货信息:
订单号
RA08N1317M-E01
RA08N1317M-01
(日本 - 包装无干燥器)
供货形式
防静电托盘,
25模块/托盘
RA08N1317M
三菱电机
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静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA08N1317M
等级
16
4
30
10
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃,除非另有规定)
符号
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例( OP )
T
英镑
参数
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<3.5V
V
DD
<9.6V ,P
in
=0mW
f=135-175MHz,
Z
G
=Z
L
=50
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 4.8-15V ,P
in
= 10-30mW ,P
OUT
<8W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 4 :1的
V
DD
= 13.2V ,P
in
= 20毫瓦,P
OUT
= 8W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 20 :1的
P
OUT
= 8W (V
GG
控制) ,
V
DD
=9.6V,
P
in
=20mW
1
无寄生振荡
没有退化或
破坏
V
DD
=9.6V,V
GG
= 3.5V ,P
in
=20mW
条件
民
135
8
50
典型值
最大
175
单位
兆赫
W
%
-25
4:1
dBc的
—
mA
—
—
所有参数,条件,收视率,并限制如有变更,恕不另行通知。
RA08N1317M
三菱电机
2/9
2002年12月23日