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首字符R的型号第187页
> RFUS10TF4S
数据表
超快速恢复二极管
RFUS10TF4S
L系列
标准的快速恢复
lDimensions
(单位:毫米)
lStructure
lApplications
一般整顿
lFeatures
1 )单一型( TO- 220 )
2)高开关速度
RFUS10
TF4S
①
②
lConstruction
硅外延刨床
ROHM : TO220NFM
①
②
生产年份
制造周
lAbsolute
最大额定值
(Tc=25C)
参数
符号
V
RM
反向重复峰值电压
V
R
反向电压
平均正向电流整流
Io
正向电流浪涌峰值
结温
储存温度
I
FSM
Tj
TSTG
条件
Duty≤0.5
60Hz的正弦半波阻性负载,
Tc=82°C
60Hz的正弦半波,不重复
一个周期的峰值, TJ = 25°C
范围
430
430
10
80
150
-55
to
+150
单位
V
V
A
A
C
C
lElectrical
特征
(Tj=25C)
参数
符号
V
F
正向电压
反向电流
反向恢复时间
热阻
I
R
TRR
RTH (J -C )
条件
I
F
=10A
V
R
=430V
I
F
=0.5A,I
R
=1A,Irr=0.25×I
R
结到外壳
分钟。
-
-
-
-
典型值。
1.45
0.05
19
-
马克斯。
1.7
10
30
3
单位
V
μA
ns
° C / W
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1/4
2011.10 - Rev.A的
RFUS10TF4S
数据表
100
100000
Tj=150°C
正向电流:I
F
(A)
Tj=150°C
10
反向电流:我
R
( nA的)
Tj=125°C
10000
Tj=125°C
1000
Tj=75°C
100
Tj=25°C
10
Tj=25°C
Tj=75°C
1
0.1
0
1
2
3
1
0
100
200
300
400
反向电压: V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
正向电压: V
F
(V)
V
F
-I
F
特征
1000
f=1MHz
正向电压: V
F
(毫伏)
之间的电容
端子的CT (PF )
1700
1650
1600
1550
1500
1450
1400
1350
1300
1250
AVE : 1436mV
I
F
=10A
Tj=25°C
100
10
1
0
5
10
15
20
25
30
1200
V
F
色散图
反向电压: V
R
(V)
V
R
-ct特性
100
V
R
=430V
Tj=25°C
反向电流:我
R
( nA的)
之间的电容
端子的CT (PF )
250
240
230
220
210
200
190
180
170
160
AVE : 182.2pF
f=1MHz
V
R
=0V
Tj=25°C
10
AVE : 13.6nA
1
I
R
色散图
150
CT色散图
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2/4
2011.10 - Rev.A的
RFUS10TF4S
数据表
300
30
I
F
=0.5A
I
R
=1.0A
Irr=0.25×I
R
Tj=25°C
20
它有能力峰值浪涌
正向电流:I
FSM
(A)
250
反向恢复时间: TRR ( NS )
I
FSM
25
8.3ms
1cyc.
200
AVE : 134.5A
150
15
AVE : 17.9ns
10
100
50
5
0
I
FSM
色散图
0
TRR色散图
1000
1000
峰值浪涌
正向电流:I
FSM
(A)
100
峰值浪涌
正向电流:I
FSM
(A)
100
10
1
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
10
1
10
时间: T(毫秒)
I
FSM
-t特性
100
10
10
短暂
热阻抗:的Rth ( ° C / W)
静电
放电测试ESD ( KV )
8
RTH (J -C )
6
1
4
AVE:0.66kV
2
AVE:4.5kV
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
ESD色散图
时间: T( S)
RTH- T特性
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2011.10 - Rev.A的
RFUS10TF4S
数据表
40
35
D=0.8
30
前进动力
耗散:PF ( W)
D=0.5
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
平均整流
正向电流IO( A)
IO -PF特性
D=0.05
正弦半波
D=0.2
D=0.1
平均整流
正向电流IO( A)
特区
12
特区
10
D=0.8
D=0.5
8
正弦半波
0A
0V
t
T
Io
V
R
D = T / T
V
R
=215V
Tj=150°C
6
D=0.2
4
D=0.1
D=0.05
2
0
0
30
60
90
120
150
环境温度: TA( ° C)
降额曲线( IO- Ta)的
18
16
平均整流
正向电流IO( A)
14
t
12
10
正弦半波
8
6
4
2
0
0
30
60
90
120
150
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.5
T
特区
D=0.8
0A
0V
Io
V
R
D = T / T
V
R
=215V
Tj=150°C
CASE温度T ( ℃)
降额曲线(IO -TC)
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2011.10 - Rev.A的
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笔记
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-
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-
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