RF6263

3V 900MHZ线性电源

扩增fi er模块

符合RoHS &无铅产品

封装形式： QFN ， 16引脚， 3×3

VCC2L

14

NC

特点

输入内部

Matched@50Ω

输出内部匹配

23 ％的线性效率@

19dBm

40 ％的线性效率@

28dBm

-50dBc ACPR @ 885kHz

在LPM 18毫安空闲电流

NC 1

VREG 2

VMODE 3

RF IN 4

16

15

NC

13

NC

BIAS

12 RF OUT

11 ，电源Vcc2

10 VCC2

9 VCC2

5

VCC1

6

NC

7

NC

8

GND

应用

3V CDMA / AMPS蜂窝

手机

3V CDMA2000 / 1XRTT Cellu-

LAR手机

3V CDMA2000 / 1X -EV -DO US-

蜂窝手机

扩频系统

功能框图

产品说明

该RF6263是一种高功率，高效率的线性放大器模块spe-

cifically专为3V手持系统。该装置被制

上先进的第三代的GaAs HBT工艺，并设计

如在3V的最终RF放大器使用的IS-95 / CDMA2000-1X /

AMPS手持式数字蜂窝设备，扩频系统，以及

其他应用程序在824MHz至849MHz频段。该RF6263具有

这使在数字控制引脚允许放大器工作

高达19dBm的输出功率，降低了电流消耗。低

功率模式的电流消耗可以通过50％以上减少了

的标准功率放大器。的RF6263组装在一个16针，

3mmx3mm ， QFN封装。

订购信息

RF6263

RF6263PCBA-41X

3V 900MHz的线性功率放大器模块

完全组装的评估板

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

冯A0 DS070622

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1第8

RF6263

绝对最大额定值

参数

电源电压（ RF关闭）

电源电压（P

OUT

≤31dBm)

控制电压（V

REG

)

输入射频功率

模式电压（V

模式

)

工作温度

储存温度

湿度敏感度等级

（ IPC / JEDEC J- STD- 20 ）

等级

+8.0

+5.2

+3.9

+10

+3.9

-30到+110

-40到+150

MSL 2 @ 260℃

单位

V

V

V

DBM

V

°C

°C

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而

以往，不承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，

也不对任何侵犯专利或其它第三方权利，造成

从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式

RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利

cuitry ，建议随时申请和规格不

另行通知。

基于EUDirective2002 / 95 / EC （本文件修订版的时候RoHS状况

锡永） 。

注意！ ESD敏感器件。

参数

高功率模式 - CDMA

(V

模式

低）

工作频率范围

线性增益

二次谐波

第三谐波

最大线性输出

线性效率

我最大

CC

ACPR @ 885kHz

ACPR @ 1.98MHz

输入VSWR

在乐队稳定性

稳定的带外

噪声功率

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

T=25

o

C环境，V

CC

=3.4V, V

REG

=2.8V,

V

模式

= 0V ，而P

OUT

= 28dBm的所有参

TER值（除非另有规定） 。

824

28

-35

-40

28

40

465

-50

-58

2:1

849

-30

-30

兆赫

dB

dBc的

dBc的

%

mA

dBc的

dBc的

6:1

10:1

-133

dBm / Hz计

无oscillation>-70dBc

无损伤

在45MHz的偏移量。

T=25

o

C环境，V

CC

=3.4V, V

REG

=2.8V,

V

模式

= 2.8V ，和P

OUT

= 19dBm所有参

ETERS （除非另有规定） 。

低功耗模式 - CDMA

(V

模式

HIGH ）

工作频率范围

线性增益

最大线性输出

线性效率

我最大

CC

ACPR @ 885kHz

ACPR @ 1.98MHz

输入VSWR

输出VSWR稳定性

19

23

100

70

-49

-62

2:1

6:1

10:1

%

mA

mA

dBc的

dBc的

824

18

849

兆赫

dB

P

OUT

=16dBm

无oscillation>-70dBc

无损伤

2第8

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RF6263

参数

FM模式

工作频率范围

放的最大输出功率

AMPS效率

AMPS增益

AMPS二次谐波

AMPS三次谐波

824

30.5

50

28

-35

-40

3.2

3.4

55

18

2.5

500

6

40

0.2

0

2.75

2.7

0

2.0

2.85

2.0

0.5

2.95

3.0

0.5

3.0

-30

-30

4.2

dBc的

dBc的

V

mA

mA

mA

uA

uS

uS

uA

V

V

V

V

V

高增益模式

低增益模式

V

模式

=低V

REG

=2.8V

V

模式

=高和V

REG

=2.8V

V

模式

高

849

兆赫

DBM

%

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

T=25

o

C环境，V

CC

=3.4V, V

REG

=2.8V,

V

模式

= 0V ，而P

OUT

= 30.5dBm所有参

ETERS （除非另有规定） 。

电源

电源电压

高增益空闲电流

低增益空闲电流

V

REG

当前

V

模式

当前

RF开启/关闭时间

DC开启/关闭时间

总电流（关机）

V

REG

低电压

V

REG

高压

（推荐）

V

REG

高压

（操作）

V

模式

电压

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3 8

RF6263

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

PKG

BASE

功能

NC

VREG

VMODE

在RF

VCC1

NC

NC

NC

VCC2

VCC2

VCC2

RF OUT

NC

VCC2L

NC

NC

GND

描述

无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。

稳压电源的放大器偏置电路。在掉电模式下，

双方V

REG

和V

模式

需要是低（ <0.5V ） 。

对于正常操作（高功率模式） ，V

模式

被设置为低电平。当设置

高电平时，器件被偏置下，以提高效率。

RF输入内部匹配至50Ω 。该输入在内部交流耦合。

第一阶段收集器供电。连接一个2200pF和4.7μF的去耦电容

所需。

无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。

无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。

无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。

高功率输出级集电极供电。参见示意图要求

的外部元件。

同销9 。

同销9 。

RF输出。内部交流耦合。

无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。

低功率输出级集电极供电。参见示意图要求

的外部元件。

无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。

无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。

接地连接。包装的背面应焊接到一

顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面具有多个

过孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。

接口示意图

封装图

3.00

引脚1号

A

1.45

引脚1号

3.00

1.45

0.28

典型值

0.18

0.05

0.15 C

2 PLCS

B

0.15 C

2 PLCS

0.40

典型值

0.20

0.10 M C A B

0.50 TYP

0.203 REF

0.08 C

0.08 C

0.925

0.775

阴影区域代表引脚1 。

0.102 REF

尺寸（mm） 。

C

4 8

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RF6263

评估板电路图 - CDMA

C4

2200 pF的

16

VREG

C30

4.7

μF

VMODE

C40

4.7

μF

J1

在RF

3

4

C3

2200 pF的

1

2

15

14

13

J2

RF OUT

L1

2.2 nH的

C1

2200 pF的

BIAS

12

11

10

9

5

VCC1

C20

4.7

μF

C6

DNI

C2

100 pF的

6

7

8

R1

DNI

VCC2

P1

1

2

P1-3

3

4

P1-5

5

CON5

GND

GND

VRE

G

GND

VMODE P2-5

P2-3

P2

1

2

3

4

5

CON5

GND

GND

VCC1

GND

VCC2

C10

22

μF

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