RFHA1020
280W的GaN宽波段脉冲
功率放大器
包装方式：法兰瓷， 2针
特点
宽带运营： 1.2GHz的
至1.4GHz
先进的GaN HEMT
技术
先进的散热器
技术
支持多脉冲
条件
在RF
VG
引脚1 （ CUT ）
GND
BASE
RF OUT
VD
销2
10％至20 ％占空比
100s 1ms的脉冲宽度
功能框图
综合匹配
高组件
终端阻抗
50V的典型操作
性能：
产品说明
该RFHA1020是50V 280W高功率分立放大器，设计用于L波段
脉冲雷达，空中交通管制和监视以及通用宽带
放大器应用。采用先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的
半导体工艺，这些高性能放大器实现高输出
功率，高效率，和平坦的增益在很宽的频率范围中的单个封装
年龄。该RFHA1020是匹配功率晶体管封装在一个密封，法兰
陶瓷封装。包通过使用提供优异的热稳定性
先进的散热和功耗的技术。易于集成的是
通过单一的，优化的匹配网络的结合来实现
提供在单一放大器的宽带增益和功率性能。
输出脉冲功率： 280W
脉冲宽度： 100s ，占空比
10%
小信号增益： 15分贝
高效率（ 55％）的
- 40 ° C至85 ° C工作
温度
应用
雷达
空中交通管制和
监控
通用宽带
放大器器
订购信息
RFHA1020S2
RFHA1020SB
RFHA1020SQ
RFHA1020SR
RFHA1020TR13
RFHA1020PCBA-410
2件样品袋
5件包
25连体袋
50件7 “短盘
250件13 “卷轴
完全组装的评估板的1.2GHz至1.4GHz ; 50V
手术
优化匹配技术
应用的
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2012 ， RF Micro Devices公司
DS120508
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
1 10
RFHA1020
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
D
)
栅极电压（V
G
)
栅极电流（I
G
)
工作电压
耐用性（驻波比）
存储温度范围
工作温度范围（T
C
)
工作结温（T
J
)
人体模型
平均无故障时间（T
J
< 200 ° C）
平均无故障时间（T
J
< 250℃）
热电阻，的Rth （结
以案例）
T
C
只= 85°C ，直流偏置
T
C
= 85 ℃， 100s脉冲， 10 ％的占空
周期
0.90
0.18
° C / W
等级
150
-8至+2
155
55
10:1
-55到+125
-40至+85
250
1A级
3.0E + 06
1.4E + 05
单位
V
V
mA
V
°C
°C
°C
小时
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
RFMD绿：每个符合RoHS欧盟指令2002/95 / EC ，无卤素合规
符合IEC 61249-2-21 ， < 1000ppm的每个三氧化二锑在聚合物中
材料和红磷作为阻燃剂，和<2 ％的锑中
焊料。
0.34
T
C
= 85 ℃， 1毫秒脉冲， 10 ％的占空
周期
*平均无故障时间 - 平均无故障时间的磨损出的故障模式（30％予
DSS
降解），通过该技术工艺的可靠性来确定。
请参阅产品合格报告FIT （随机）的故障率。
该设备超出这些限制的任何一个操作可能会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行，设备的电压
和电流不能超过最大操作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：P
DISS
< （T
J
- T
C
)/R
第j个-C
和T
C
= T
例
参数
漏极电压（V
DSQ
)
栅极电压（V
GSQ
)
漏极偏置电流
操作的频率
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
50
单位
V
V
mA
兆赫
mA
mA
V
V
V
G
= -8V, V
D
= 0V
条件
推荐工作条件
-8
1200
-3
440
1400
2
2.5
-3.5
0.28
-2
DC功能测试
I
G（ OFF）
- 栅极泄漏
I
D（关闭）
- 漏极漏电
V
GS （ TH）
=门限电压
V
DS （ ON）
- 漏极电压的高
当前
V
G
= -8V, V
D
= 50V
V
D
= 50V ，我
D
= 40毫安
V
G
= 0V时，我
D
= 1.5A
[1], [2]
14
12.3
-8
54
48
50
- 5.5
dB
dB
dB
DBM
%
F = 1200MHz的，P
IN
= 30dBm的
F = 1200MHz的，P
IN
= 41.7dBm
F = 1200MHz的，P
IN
= 41.7dBm
F = 1200MHz的，P
IN
= 41.7dBm
F = 1200MHz的，P
IN
= 41.7dBm
RF功能测试
小信号增益
功率增益
输入回波损耗
输出功率
漏EF网络效率
2 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
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RFHA1020
参数
RF功能测试
（续）
小信号增益
功率增益
输入回波损耗
输出功率
漏EF网络效率
小信号增益
功率增益
输入回波损耗
输出功率
漏EF网络效率
54
48
1200
15
13
-0.015
54.50
280
漏EF网络效率
55
[1]测试条件： PW = 100s ，DC = 10 ％ ，V
DSQ
= 50V ，我
DQ
= 440毫安，T = 25 ℃。
[2]在一个标准的调谐测试夹具的性能。
55
1400
12.3
-8
-5.5
54
48
55
14
12.3
-10
-6
15
dB
dB
dB
DBM
%
dB
dB
dB
DBM
%
兆赫
dB
dB
分贝/°C的
DBM
W
%
P
IN
= 30dBm的
P
OUT
= 54.50dBm
在峰值输出功率
峰值输出功率
峰值输出功率
在峰值输出功率
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
[1], [2]
条件
F = 1300MHz ，P
IN
= 30dBm的
F = 1300MHz ，P
IN
= 41.7dBm
F = 1300MHz ，P
IN
= 41.7dBm
F = 1300MHz ，P
IN
= 41.7dBm
F = 1300MHz ，P
IN
= 41.7dBm
F = 1400MHz的，P
IN
= 30dBm的
F = 1400MHz的，P
IN
= 41.7dBm
F = 1400MHz的，P
IN
= 41.7dBm
F = 1400MHz的，P
IN
= 41.7dBm
F = 1400MHz的，P
IN
= 41.7dBm
[1], [2]
典型的射频性能
频带
小信号增益
功率增益
增益随温度的变化
输出功率（P
SAT
)
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RFHA1020
在标准固定Tune测试治具典型性能
（T = 25 ℃，除非另有说明）
增益与输出功率（ F = 1300MHz ）
（脉冲占空比为10％ ， 1毫秒，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
19
70
效率与输出功率（ F = 1300MHz ）
（脉冲占空比为10％ ， 1毫秒，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
18
60
EFF 85°C
EFF 25℃
17
50
增益（dB ）
16
排水 FFI效率（ ％ ）
EFF -40°C
40
15
30
14
获得85°C
获得25℃
13
20
增益-40°C
12
45
46
47
48
49
50
51
输出功率（dBm ）
52
53
54
55
10
45
46
47
48
49
50
51
输出功率（dBm ）
52
53
54
55
输入回波损耗与输出功率（ F = 1300MHz ）
（脉冲占空比为10％ ， 1毫秒，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
-6
-8
-10
-12
IRL ，输入回波损耗（分贝）
-14
-16
-18
-20
-22
-24
增益（dB ）
17
16
15
14
13
12
19
18
小信号性能与频率，P
OUT
= 44dBm
（脉冲占空比为10％ ， 100μS ，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
-2
固定调谐测试电路
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
收益
IRL
输入回波损耗（dB ）
IRL 85°C
-26
-28
-30
45
46
47
48
IRL 25℃
IRL -40°C
11
10
1200
-18
-20
1400
49
50
51
输出功率（dBm ）
52
53
54
55
1220
1240
1260
1280
1300
1320
频率（MHz）
1340
1360
1380
增益/ IRL与频率，P
OUT
= 54dBm
（脉冲10 ％的关税CY乐， 100μS ，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
18
固定调谐测试电路
17
-8
58
输入回波损耗（dB ）
16
-10
57
-6
60
59
漏极效率与频率，P
OUT
= 54dBm
（脉冲占空比为10％ ， 100μS ，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
固定调谐测试电路
排水 FFI效率（ ％ ）
15
增益（dB ）
-12
56
55
54
53
52
14
-14
13
-16
12
收益
IRL
-18
51
EFF
11
1200
1220
1240
1260
1280
1300
1320
频率（MHz）
1340
1360
1380
-20
1400
50
1200
1220
1240
1260
1280
1300
1320
频率（MHz）
1340
1360
1380
1400
4 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
DS120508
RFHA1020
增益/效率与P
OUT
， F = 1300MHz
（脉冲占空比为10％ ， 100μS ，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
18
70
320
310
17
60
300
290
16
增益（dB ）
50
排水 FFI效率（ ％ ）
280
270
P
OUT
(W)
260
250
240
230
13
收益
排水ê FF
20
220
210
输出功率
漏EF网络效率
40
50
55
60
65
P
OUT
/ DE与脉冲宽度， F = 1300MHz
（脉冲占空比10％ ，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
70
15
40
14
30
45
12
45
46
47
48
49
50
51
输出功率（dBm ）
52
53
54
55
10
200
10
100
1000
脉冲宽度（微秒）
P
OUT
/ DE与占空比， F = 1300MHz
（脉冲， 100μs的脉冲，V
D
= 50V ，我
DQ
= 440毫安）
350
70
325
65
300
60
275
55
250
50
225
输出功率
漏EF网络效率
45
200
10
20
30
40
50
60
40
占空比（ ％ ）
脉冲功率耗散德的评价曲线
（基于最大封装温度和Rth ）
1200
1毫秒脉冲宽度，占空比为10％
1000
100秒脉冲宽度，占空比为10％
功耗（ W）
800
600
400
200
0
0
20
40
60
80
100
120
140
最大外壳温度（ ° C）
DS120508
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
漏极效率（ ％ ）
P
OUT
(W)
5 10
漏极效率（ ％ ）
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