RF1K49154
数据表
1999年10月
网络文件编号
4143.3
2A ， 60V ， 0.130欧姆，双N沟道，
LittleFET 功率MOSFET
这双N沟道功率MOSFET是采用制造
最新的制造工艺技术。这个过程中，
它使用特征尺寸接近LSI的
集成电路，给出了硅的最佳利用，
保证了出色的性能。它是专为使用
在应用中，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关。这些设备可直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49154 。
特点
2A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.130
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
BRAND
RF1K49154
S1(1)
G1(2)
D1(8)
D1(7)
订购信息
产品型号
RF1K49154
包
MS-012AA
注：订货时，使用整个零件编号。如需订购中
磁带和卷轴，后缀96添加到零件编号，即RF1K4915496 。
D2(6)
D2(5)
S2(3)
G2(4)
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
LittleFET 是Intersil公司的商标。于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
1-888- INTERSIL或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999 。
RF1K49154
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
RF1K49154
60
60
±20
2
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
2
0.016
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时，注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
漏电流连续（脉冲宽度= 5秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
脉冲（图5） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值（图6） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图12）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图11）
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 48V,
I
D
= 2A,
R
L
= 24
（图14）
-
-
-
-
-
-
脉冲宽度= 1秒
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
10
25
70
35
-
26
14
0.8
340
140
40
-
最大
-
4
1
250
±10
0.130
50
-
-
-
-
155
32
17
1.0
-
-
-
62.5
单位
V
V
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
V
GS
=
±20V
I
D
= 2A ，V
GS
= 10V， （图9，图10）
V
DD
= 30V ，我
D
≈
2A,
R
L
= 15, V
GS
= 10V,
R
GS
= 25
（图14）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的（图13）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 2A
I
SD
= 2A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
62
单位
V
ns
2
RF1K49154
典型性能曲线
10
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
5
起始物为
J
= 25
o
C
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
20
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
15
V
GS
= 8V
V
GS
= 9V
V
GS
= 7V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
A
= 25
o
C
V
GS
= 6V
10
5
V
GS
= 5V
0
起始物为
J
= 150
o
C
1
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
7.5
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
r
DS （ ON）
，通态电阻（mΩ ）
20
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
V
DD
= 15V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
-55
o
C
150
o
C
25
o
C
500
I
D
= 0.5A
400
I
D
= 1A
300
16
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
= 4A
I
D
= 2A
12
8
200
4
100
0
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
2
归一化导通电阻
1.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
归一化门
阈值电压
1.25
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.5
1
1
0.5
0.75
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
4
RF1K49154
典型性能曲线
1.5
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
400
C，电容（pF ）
1.25
C
国际空间站
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
500
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
300
C
OSS
200
1
0.75
100
C
RSS
0.5
-80
0
-40
0
40
80
120
160
0
T
J
，结温（
o
C)
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图13.电容VS漏源极电压
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
45
V
DD
= BV
DSS
30
R
L
= 30
I
G（ REF ）
= 0.26毫安
V
GS
= 10V
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.75 BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
7.5
5
15
2.5
0
0
-
20
---------------------
I G
(
法案
)
I G
(
REF
)
T，时间（μs ）
-
80
---------------------
I G
(
法案
)
I G
(
REF
)
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.归开关波形恒门极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图15.松开能源利用检测电路
图16.松开能源波形
5
V
GS
，门源电压（ V）
10
RF1K49154
数据表
2002年1月
2A ， 60V ， 0.130欧姆，双N沟道，
LittleFET 功率MOSFET
这双N沟道功率MOSFET是采用制造
最新的制造工艺技术。这个过程中，
它使用特征尺寸接近LSI的
集成电路，给出了硅的最佳利用，
保证了出色的性能。它是专为使用
在应用中，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关。这些设备可直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49154 。
特点
2A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.130
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
BRAND
RF1K49154
S1(1)
G1(2)
D1(8)
D1(7)
订购信息
产品型号
RF1K49154
包
MS-012AA
注：订货时，使用整个零件编号。如需订购中
磁带和卷轴，后缀96添加到零件编号，即RF1K4915496 。
D2(6)
D2(5)
S2(3)
G2(4)
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
2002仙童半导体公司
RF1K49154版本B
RF1K49154
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
RF1K49154
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时，注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流连续（脉冲宽度= 5秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
脉冲（图5） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值（图6） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
60
60
±20
2
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
2
0.016
-55到150
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
单位
V
V
V
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气规格
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图12）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图11）
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 48V,
I
D
= 2A,
R
L
= 24
（图14）
-
-
-
-
-
-
脉冲宽度= 1秒
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
10
25
70
35
-
26
14
0.8
340
140
40
-
最大
-
4
1
250
±10
0.130
50
-
-
-
-
155
32
17
1.0
-
-
-
62.5
单位
V
V
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
V
GS
=
±20V
I
D
= 2A ，V
GS
= 10V， （图9，图10）
V
DD
= 30V ，我
D
≈
2A,
R
L
= 15, V
GS
= 10V,
R
GS
= 25
（图14）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的（图13）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 2A
I
SD
= 2A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
62
单位
V
ns
2002仙童半导体公司
RF1K49154版本B
RF1K49154
典型性能曲线
10
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
5
起始物为
J
= 25
o
C
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
20
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
15
V
GS
= 8V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
A
= 25
o
C
V
GS
= 6V
V
GS
= 9V
V
GS
= 7V
10
5
V
GS
= 5V
0
起始物为
J
= 150
o
C
1
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
7.5
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
20
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
V
DD
= 15V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
-55
o
C
150
o
C
r
DS （ ON）
，通态电阻（mΩ ）
25
o
C
500
I
D
= 0.5A
400
I
D
= 1A
300
16
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
= 4A
I
D
= 2A
12
8
200
4
100
0
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
2
归一化导通电阻
1.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
归一化门
阈值电压
1.25
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.5
1
1
0.5
0.75
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2002仙童半导体公司
RF1K49154版本B
RF1K49154
典型性能曲线
1.5
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
400
C，电容（pF ）
1.25
C
国际空间站
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
500
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
300
C
OSS
200
1
0.75
100
C
RSS
0.5
-80
0
-40
0
40
80
120
160
0
T
J
，结温（
o
C)
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图13.电容VS漏源极电压
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
10
V
GS
，门源电压（ V）
45
V
DD
= BV
DSS
30
R
L
= 30
I
G（ REF ）
= 0.26毫安
V
GS
= 10V
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.75 BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
20
---------------------
-
I G
(
法案
)
I G
(
REF
)
T，时间（μs ）
7.5
5
15
2.5
0
0
-
80
---------------------
I G
(
法案
)
I G
(
REF
)
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.归开关波形恒门极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图15.松开能源利用检测电路
图16.松开能源波形
2002仙童半导体公司
RF1K49154版本B
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