RFFC5071/50
72宽带
Synthe-
测量器/ VCO与
集成
6 GHz的混频器
建议
RFFC5071/5072
宽带频率合成/压控振荡器
综合6 GHz的混频器
包装： QFN ， 32引脚5 x 5毫米
特点
85 MHz至4200 MHz的LO
频带
小数N分频合成器
非常低的杂散电平
典型的步长1.5赫兹
完全集成的低相位噪声
VCO和LO缓冲器
高线性度RF混频器（S ）
30 MHz至6000 MHz的搅拌机
频带
输入IP3 +23 dBm的
混频器偏置可调的低
权力运行
全双工模式（ RFFC5071 ）
2.7 V至3.3 V电源供电
低电流消耗
3线或4线串行接口
功能框图
产品说明
该RFFC5071和RFFC5072可重构变频设备
具有集成的小数N分锁相环（ PLL）合成，电压的转换
受控振荡器（VCO）和一个或两个高线性度混频器。小数N分频
合成器需要一个先进的Σ-Δ调制器，可提供的优点
超精细的步长大小和较低的假产物。该PLL / VCO引擎结合
外部环路滤波器允许用户生成由本地振荡器（LO ）信号的
85兆赫至4200兆赫。本振信号进行缓冲和路由到集成RF mix-
其用于转换频率范围从30MHz到6000MHz的商。该
混频器偏置电流是可编程的，并且可以减少用于需要的应用程序
更低的功耗。
这两个设备可以通过绕过英特被配置工作，作为信号源
磨碎的混频器。器件编程是通过一个简单的3线串行接口来实现。
此外，一个唯一的编程模式允许最多四个设备进行控制
从一个共同的串行总线。这消除了对单独的片选控制
每个设备和主机控制器之间的线。多达6个通用输出
看跌期权提供，它可以被用来访问内部的信号（例如在LOCK显
纳尔）或用于控制前端组件。这两款器件采用2.7 V至3.3 V
电源。
应用
分集接收机
软件定义无线电
宽带收音机
频段移位器
点至点收音机
的WiMax / LTE基础设施
卫星通信
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
LDMOS
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2010 ， RF Micro Devices公司
预赛DS101020
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1的20
RFFC5071/5072
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
）任何引脚
RF / IF混频器的输入功率
工作温度范围
存储温度范围
建议
等级
-0.5到+3.6
-0.3到V
DD
+ 0.3
+15
-40至+85
-40到+150
单位
V
V
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
RoHS状况的基础上欧盟指令2002/ 95 / EC （本文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
ESD Requirementsl
人体模型
机器型号
分钟。
2000
1000
200
100
规范
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
一般
RF引脚
一般
RF引脚
条件
工作条件
电源电压（V
DD
)
温度（T
OP
)
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电压
输出高电压
负载电阻
负载电容
2.7
-40
-0.3
1.5
-10
-10
0
0.8*V
DD
10
20
100
125
待机
掉电电流
2
300
-2
10
13
IIP3
输入端口频率范围
混频器输入回波损耗
输出端口频率范围
30
10
1
500
800
30
10
4500
104
7
1500
MVP -P
AC耦合
+10
+23
6000
3.0
3.3
+ 85
+0.5
V
DD
+10
+10
0.2*V
DD
V
DD
V
°C
V
V
A
A
V
V
kΩ
pF
mA
mA
mA
A
dB
dB
dB
DBM
DBM
兆赫
dB
兆赫
兆赫
100Ω差分
低电流， MIX_IDD = 1 ，一个混合器启用。
高线性度， MIX_IDD = 6，一个混合器使能。
参考振荡器和带隙而已。
ENBL = 0和REF_STBY = 0
不包括平衡 - 不平衡变换器的损失
低电流设置
高线性度的设置
低电流设置
高线性度的设置
Input=0V
输入= V
DD
逻辑输入/输出（
V
DD
=供应DIG_VDD针）
STATIC
电源电流（I
DD
）采用1GHz的LO
混合器1/2 （混频器输出驱动4 ： 1不平衡变压器）
收益
噪声系数
参考振荡器
外部参考频率
参考分频比
外部基准输入电平
2 20
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建议
参数
合成器的输出频率
鉴相器频率
相位噪声（ LO = 1GHz的）
-108
-108
-135
0.19
相位噪声（ LO = 2GHz的）
-102
-102
-130
0.32
归一化相位噪声楼
-214
RFFC5071/5072
马克斯。
4200
52
分钟。
85
规范
典型值。
单位
兆赫
兆赫
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
°
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
°
dBc的/赫兹
10 kHz偏置
100 kHz偏置
1 MHz偏移
条件
合成器（环路带宽为200千赫兹， 52MHz的参考）
有效值是1千赫集成到40MHz
10 kHz偏置
100 kHz偏置
1 MHz偏移
RMS从1kHz的集成到40MHz
测量在20 kHz至30 kHz偏置
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RFFC5071/5072
建议
针
功能
描述
设备使能引脚。见注1和2 。
1
ENBL/GPO5
外部本地振荡器输入。
2
EXT_LO
3
EXT_LO_DEC
去耦引脚用于外部本地振荡器。
外部的带隙偏置电阻。见注3 。
4
REXT
5
ANA_VDD1
模拟电源。用良好的RF去耦。
相位检测器的输出。低频噪声敏感点。
6
LFILT1
回路滤波器的运算放大器的输出。低频噪声敏感点。
7
LFILT2
VCO控制输入。低频噪声敏感点。
8
LFILT3
9
MODE/GPO6
模式选择引脚。见注1和2 。
参考输入。使用AC耦合电容。
10
REF_IN
11
NC
连接到地面。
12
TM
差分输入1 （见注4 ） 。在RFFC5072该引脚为NC 。
13
MIX1_IPN
差分输入1 （见注4 ） 。在RFFC5072该引脚为NC 。
14
MIX1_IPP
15
GPO1/ADD1
通用输出/多层地址位。
16
GPO2/ADD2
通用输出/多层地址位。
17
MIX1_OPN
差分输出1 （见注5 ） 。在RFFC5072该引脚为NC 。
18
MIX1_OPP
差分输出1 （见注5 ） 。在RFFC5072该引脚为NC 。
数字电源。去耦尽可能靠近引脚放置。
19
DIG_VDD
20
NC
21
NC
22
ANA_VDD2
模拟电源。用良好的RF去耦。
差分输入2 （见注4 ） 。
23
MIX2_IPP
差分输入2 （见注4 ） 。
24
MIX2_IPN
通用输出/频率控制输入。
25
GPO3/FM
26
GPO4/LD/DO
通用输出/锁定检测输出/串行数据输出。
27
MIX2_OPN
差分输出2 （见注5 ） 。
28
MIX2_OPP
差分输出2 （见注5 ） 。
芯片复位（低电平有效） 。连接到DIG_VDD如果不需要异步复位。
29
RESETx
串行接口选择（低电平有效） 。见注1 。
30
ENX
串行接口的时钟。见注1 。
31
SCLK
串行接口的数据。见注1 。
32
SDATA
接地参考，应通过一个低阻抗路径连接到PCB接地。
裸露焊盘
注1：一个RC低通滤波器，可以在这条线用于降低数字噪声。
注2 ：如果该设备是由软件控制，此输入可被配置为通用输出（GPO）。
注3 ：此引脚与地连接一个51 K电阻。该引脚为低频率噪声注入敏感。
注4 ：直流电压应不适用此引脚。使用的AC耦合电容器作为集总元件匹配的部分
网络或变压器（见评估电路板原理图） 。
注5：该引脚必须通过RF扼流圈或中心抽头变压器（参见评估板连接到ANA_VDD2
原理图） 。
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