RF2370
3V低噪声放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： SOT 6引脚
特点
低噪声，高拦截
点
可调偏置电流
掉电控制
低插入损耗绕道
特征
1.8V至5V工作电压（见
注：第2页）
1.5GHz至3.8GHz的操作
BIAS 1
逻辑
控制
6增益选择
GND1 2
5 GND2
RF IN 3
4 RF OUT
应用
WLAN LNA与旁路为特色的
TURE
CDMA PCS LNA具有旁路
特征
MMDS LNA与旁路为特色的
TURE
通用扩增
化
商业和消费
系统
功能框图
产品说明
的RF2370是一个可开关的低噪声放大器，具有非常高的动态
一系列专为数字蜂窝和WLAN应用。该装置
作为一个优秀的前端的低噪声放大器。偏置电流
可外部设定。该IC的特点是在一个标准的SOT 6引脚塑料
封装。
订购信息
RF2370
RF2370PCBA-410
3V低噪声放大器
完全组装的评估板（ WLAN）可用的
1.9GHz的至4GHz标准调整
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A7 DS071115
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 6
RF2370
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入RF电平
漏电流，我
CC
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.0
5 （见注）
32
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
mA
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
注：超过任何一个或以上的最大额定值lim-的组合
它可能会造成永久性的损害。 RF输入瞬变+ 15dBm的不会
害设备。对于以投入持续经营> + 5dBm的，小滴
电阻，建议在系列与V
CC
为了限制电流，由于
自偏置到<32毫安。
参数
工作范围
频带
分钟。
900
规范
典型值。
马克斯。
4000
单位
兆赫
兆赫
条件
T
AMB
= + 25 ° C，V
CC
=3.0V
WLAN低噪声放大器
频率
高增益模式
收益
噪声系数
输入IP3
输出VSWR
漏电流
旁路模式
收益
输入IP3
输出VSWR
漏电流
-4.0
+16.0
-3.0
+20.0
1.6:1
2.0
3
0.8
1.8
0
10
3.0
mA
V
V
V
μA
高增益模式。
Select<0.8V ，V
BIAS
=3V
低增益模式。
Select>1.8V ，V
BIAS
=0V
增益Select<0.8V ，V
BIAS
=0V, V
CC
=3.0V
-2.0
dB
DBM
12.0
14.0
1.3
+7.0
1.7:1
7
2:1
mA
增益Select>1.8V ，V
BIAS
=0V
注：旁路模式的插入损耗会降低
逐渐为V
CC
低于2.7V 。
1.5
dB
dB
DBM
IIP3会改善，如果国际刑事法院的上述7毫安提高。
2450
增益Select<0.8V ，V
BIAS
= 3V ， T = + 25°C
电源
电压（V
CC
)
V
SELECT
低
V
SELECT
高
掉电
偏注：由于ESD保护电路的RF2370的存在，集电极最大允许偏置电压（引脚4 ）为4.0V 。更高
电源电压，如5V是允许的，如果串联电阻是用来砸V
CC
以<4.0V对于给定的我
CC
.
2 6
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF2370
针
1
功能
BIAS
描述
对于低噪声放大器的应用，此引脚用于控制偏置电流
租。一个外部电阻器可用于设置偏置电流的任何V
BIAS
电压。
接口示意图
V B IA s
2
3
GND1
在RF
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
射频输入引脚。这部分被设计为使得50Ω的最佳来源
阻抗为最佳噪声系数。最佳噪声系数达到只用一个
串联电容器上的输入。
在RF
偏置
电路
RF OUT
4
RF OUT
5
GND2
放大器的输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须被偏置
到V
CC
通过扼流器或匹配电感。该引脚匹配到50Ω
带分流L时， L系列拓扑通过提高对设备的稳定性
减少高频增益6GHz以上。
见GND1 。
6
增益选择
该引脚选择高增益和旁通模式。
增益Select<0.8V ，高增益。
增益Select>1.8V ，低增益。
100Ω的串联电阻需要在这个引脚，以增强稳定性。
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3 6
RF2370
封装图
1.80
1.40
0.50
0.35
0.10
马克斯。
TEXT *
1.90
3.10
2.70
3.00
2.60
阴影铅引脚1 。
尺寸（mm） 。
0.90
0.70
1.30
1.00
9°
1°
0.25
0.10
0.37 MIN 。
*当引脚1是在左上角，
文本向下读
（如图所示） 。
4 6
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF2370
评估板电路图
VREF
1
C1
DNI
R1
1.8 kΩ
2
C2
100 pF的
3
4
C4
DNI
VREF
GND
SELECT
L1
3.3 nH的
C5
100 pF的
R3
0
Ω
VCC
C6
10 nF的
逻辑
控制
R2
100
Ω
6
C3
DNI
SELECT
5
L2
1.2 nH的
C7
2.0 pF的
J1
在RF
J2
RF OUT
P1-1
P1
1
2
P1-3
P1-4
3
VCC
4
HDR_1X4
转A7 DS071115
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 6
RF2370
4
符合RoHS &无铅产品
典型应用
WLAN LNA具有旁路功能
CDMA PCS LNA具有旁路功能
MMDS LNA具有旁路功能
产品说明
该RF2370是一个可开关的低噪声放大器，
设计用于数字蜂窝和非常高的动态范围
WLAN应用。设备作为一个未偿
荷兰国际集团前端的低噪声放大器。的偏置电流可以是
外部设置。该IC的特点是在一个标准的SOT
6引脚塑料封装。
1.80
1.40
0.50
0.35
0.10
马克斯。
3V低噪声放大器
通用扩增
商业和消费系统
TEXT *
1.90
3.10
2.70
3.00
2.60
阴影铅引脚1 。
尺寸（mm） 。
0.90
0.70
1.30
1.00
9°
1°
0.25
0.10
0.37 MIN 。
*当引脚1是在左上角，
文本向下读
（如图所示） 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： SOT 6引脚
特点
低噪声和高截点
可调偏置电流
掉电控制
低插入损耗旁路功能
BIAS 1
逻辑
控制
6增益选择
1.8V至5V的工作电压（见注：第2页）
1.5GHz至3.8GHz的操作
GND1 2
5 GND2
RF IN 3
4 RF OUT
订购信息
RF2370
3V低噪声放大器
RF2370PCBA -410完全组装的评估板（ WLAN）可用
从1.9GHz的至4GHz标准调整
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
功能框图
转A4 050727
1-1
RF2370
绝对最大额定值
参数
等级
单位
注意！
ESD敏感器件。
电源电压
-0.5到+6.0
V
DC
输入RF电平
5 （见注）
DBM
32
mA
漏电流，我
CC
工作环境温度
-40至+85
°C
储存温度
-40到+150
°C
注意：超过任何一种或以上的最大额定值的组合
限制可能会造成永久性的损害。 RF输入瞬变+ 15dBm的意志
不会损害设备。对于在输入> + 5dBm的，一个小的持续运行
降压电阻，建议在系列与V
CC
为了限制
由于目前的自偏置到<32毫安。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
工作范围
频带
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
900
4000
单位
兆赫
条件
T
AMB
= + 25 ° C，V
CC
=3.0V
WLAN低噪声
扩音器
频率
高增益模式
收益
噪声系数
输入IP3
输出VSWR
漏电流
旁路模式
收益
输入IP3
输出VSWR
漏电流
2450
12.0
14.0
1.3
+7.0
1.7:1
7
-3.0
+20.0
1.6:1
2.0
3
0.8
兆赫
增益Select<0.8V ，V
BIAS
= 3V ， T = + 25°C
1.5
2:1
mA
-2.0
dB
DBM
3.0
mA
V
V
增益Select>1.8V ，V
BIAS
=0V
注：旁路模式的插入损耗会
为V逐渐降低
CC
低于2.7V 。
dB
dB
DBM
IIP3会改善，如果国际刑事法院的上述7毫安提高。
-4.0
+16.0
电源
高增益模式。
Select<0.8V ，V
BIAS
=3V
1.8
V
低增益模式。
V
SELECT
高
Select>1.8V ，V
BIAS
=0V
掉电
0
10
μA
增益Select<0.8V ，V
BIAS
=0V, V
CC
=0V
偏注：由于ESD保护电路的RF2370的存在，集电极最大允许偏置电压（引脚4 ）为4.0V 。
较高的电源电压，如5V是允许的，如果串联电阻是用来砸V
CC
以<4.0V对于给定的我
CC
.
电压（V
CC
)
V
SELECT
低
1-2
转A4 050727
RF2370
针
1
功能
BIAS
描述
对于低噪声放大器的应用程序时，该引脚用于控制所述偏置
电流。一个外部电阻器可用于设置偏置电流为任何
V
BIAS
电压。
接口示意图
VBIAS
2
3
GND1
在RF
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
射频输入引脚。这部分被设计为使得50Ω的最佳来源
阻抗为最佳噪声系数。最佳的噪声系数达到只
串联电容器上的输入。
在RF
偏置
电路
RF OUT
4
RF OUT
5
GND2
放大器输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须是
偏置到V
CC
通过扼流器或匹配电感。该引脚
匹配到50Ω与分流L， L系列的拓扑结构，以提高稳定性
该设备通过降低高频增益6GHz以上的。
见GND1 。
6
收益
SELECT
该引脚选择高增益和旁通模式。
增益Select<0.8V ，高增益。
增益Select>1.8V ，低增益。
100Ω的串联电阻需要在这个引脚，以增强稳定性。
转A4 050727
1-3
QQ：2880707522 复制
