RF6100-1
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
3V CDMA / AMPS蜂窝手机
3V CDMA20001 / X蜂窝手机
扩频系统
3V 900MHZ线性电源
扩增fi er模块
产品说明
该RF6100-1是一种高功率，高效率的线性
功放模块专为3V手持式设计
系统。该设备采用先进的制造
第三代的GaAs HBT工艺制造，并且被设计
用作在3V的最终RF放大器的IS-95 / CDMA 2000
1X / AMPS手持式数字蜂窝设备，电子数
光谱系统，并在824MHz的其他应用程序
至849MHz频段。该RF6100-1具有数字控制线
针对低功耗应用，以降低静态电流。该
装置被自包含与50Ω的输入和输出是
相匹配，以获得最佳的功率，效率和直链
性。该模块是一个4mmx4mm栅格阵列与背景
侧接地。该RF6100-1是兼容的足迹
行业标准4mmx4mm的CDMA模块，并
只需要一个去耦电容器。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
1
4.00
± 0.10
1.40
1.25
4.00
± 0.10
0.450
± 0.075
0.500 TYP
0.600 TYP
2.975
R0.20 TYP
1
3.900 TYP
2.425
2.200
1.800
1.525
1.350
0.950
0.500 TYP
0.100 TYP
0.000
3.549
3.500
3.050
2.650
2.400 TYP
2.200
1.800
1.650
1.350
0.950
0.725
0.125
封装形式：模块（ 4mmx4mm ）
特点
输入/输出内部匹配50Ω @
28dBm的线性输出功率
40 ％的峰值效率线
-50dBc ACPR @ 885kHz
VREG 1
VMODE 2
GND 3
RF IN 4
VCC1 5
BIAS
10 GND
9 GND
8 RF OUT
7 GND
6 VCC2
29分贝线性增益
53 ％的AMPS效率
订购信息
RF6100-1
3V 900MHz的线性功率放大器模块
RF6100-1PCBA - 41X完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
3.000
典型值
3.200
3.500 TYP
3.900 TYP
0.000
0.775
1.000典型值
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
冯A1 050929
2-689
RF6100-1
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
模式电压（V
模式
)
工作温度
储存温度
等级
+8.0
+5.2
+4.2
+10
+3.5
-30到+110
-40到+150
单位
V
V
V
DBM
V
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
高功率模式
(V
模式
低）
工作频率范围
线性增益
二次谐波
第三谐波
最大线性输出
线性效率
我最大
CC
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1.98MHz
输入VSWR
在乐队稳定性
稳定的带外
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 0V ，而P
OUT
= 28dBm的所有
参数（除非另有规定） 。
824
27
849
29
-35
-40
40
465
-50
-58
2:1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
%
mA
dBc的
dBc的
无oscillation>-70dBc
无损伤
在45MHz的偏移量。
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 2.8V ，和P
OUT
= 18dBm的所有
参数（除非另有规定） 。
28
35
530
-46
-55
6:1
10:1
-133
dBm / Hz计
低功耗模式
(V
模式
HIGH ）
工作频率范围
线性增益
二次谐波
第三谐波
最大线性输出
我最大
CC
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1.98MHz
输入VSWR
输出VSWR稳定性
824
24
849
26
-35
-40
135
-50
-60
2:1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
mA
dBc的
dBc的
18
P
OUT
=16dBm
-46
-56
6:1
10:1
无oscillation>-70dBc
无损伤
2-690
冯A1 050929
RF6100-1
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
PKG
BASE
功能
VREG
VMODE
GND
在RF
VCC1
VCC2
GND
RF OUT
GND
GND
GND
描述
稳压电源的放大器的偏置。在掉电模式下，
V
REG
和V
模式
需要是低（ <0.5V ） 。
对于正常操作（高功率模式） ，V
模式
被设置为低电平。当
设为高电平时，器件被偏置下，以提高效率。
接地连接。连接到封装基地地面。为了获得最佳的perfor-
曼斯，保持身体的痕迹短并立即连接到
接地平面。
RF输入内部匹配至50Ω 。该输入在内部交流耦合。
第一阶段收集器供电。低频去耦电容
（例如4.7μF ），可能需要。
输出级集电极供电。低频去耦电容
（例如4.7μF ）是必需的。
接地连接。连接到封装基地地面。为了获得最佳的perfor-
曼斯，保持身体的痕迹短并立即连接到
接地平面。
RF输出内部匹配至50Ω 。这个输出是内部
AC耦合。
接地连接。连接到封装基地地面。为了获得最佳的perfor-
曼斯，保持身体的痕迹短并立即连接到
接地平面。
接地连接。连接到封装基地地面。为了获得最佳的perfor-
曼斯，保持身体的痕迹短并立即连接到
接地平面。
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
接口示意图
2-692
冯A1 050929
QQ：2880707522 复制
