RF2480Direct
QUADRATURE
调制器
RF2480
直接正交调制器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： SOIC -16
特点
典型的运营商
Suppression>35dBc过
温度随高度线性
手术
单5V电源
集成RF正交网络
工作
数控电源
Down模式
800MHz至2500MHz的操作
化
I REF
Q REF
GND2
GND2
GND2
LO
VCC1
PD
1
2
3
4
5
6
7
8
动力
控制
16
15
14
我SIG
Q SIG
GND1
GND1
GND1
VCC2
GND1
RF OUT
Σ
13
12
11
10
9
-45°
+45°
应用
双频CDMA基地桩号
系统蒸发散
TDMA / TDMA -EDGE基桩号
系统蒸发散
GSM - EDGE / EGSM基地桩号
系统蒸发散
的W-CDMA基站
WLAN和WLL系统
TETRA系统
功能框图
产品说明
该RF2480是一个单片集成正交调制器IC能够
普遍的直接调制为高频AM，PM或化合物的
运营商。这种低成本的IC具有出色的线性度，噪声基底和
过热抑制载波的性能。该器件imple-
ments差动放大器，用于调制输入端，90°的载波相位
移网络，运营商限幅放大器，两个匹配的双平衡
混频器，加法放大器，和一个输出端的RF放大器，其将驱动
50Ω从800MHz至2500MHz的。元件匹配被用来获得
优异的振幅平衡和相位精度。
订购信息
RF2480
RF2480 PCBA
直接正交调制器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A4 DS060329
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
RF2480
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入LO和RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+7.5
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
载波输入
频带
功率级
输入VSWR
分钟。
800
-6
规范
典型值。
马克斯。
2500
+6
单位
兆赫
DBM
条件
T = 25℃ ，V
CC
=5V
4.5:1
2:1
2:1
在900MHz无与伦比
在1800MHz的无与伦比
在2500MHz的无与伦比
250
兆赫
V
V
REF
±1.0
V
dB
°
kΩ
40
μA
LO = 800MHz的， -5dBm ; SSB
DBM
DBM
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
-145
dBm / Hz计
TETRA I&Q振幅= 2V
PP
在工作温度。
TETRA I&Q幅度= 1.1V
PP
用的ACPR
-47dBc 。在工作温度。
TETRA调制应用与P
OUT
=-5dBm.
在工作温度。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
未经调整的表现。
未经调整的表现。
26MHz的与TETRA信号施加偏置
P
OUT
=-5dBm.
调制输入
频带
参考电压（V
REF
)
最大调制（ I&Q ）
增益不对称
正交相位误差
输入阻抗
输入偏置电流
0.2
3
30
DC
3.0
射频输出（ 800MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
邻道
电源抑制
输出P1dB为
IM3抑制
IM5抑制
IM7抑制
载波抑制
边带抑制
宽带本底噪声
-3
-6
-47
+2
-39
-49
-49
-25
-25
0
-5
-52
+3
-40
-59
-71
-30
-30
-150
+2
2第8
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RF2480
参数
射频输出（ 900MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
载波抑制
50
35
0
+4
-11
DBM
DBM
dB
dB
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
LO = 880MHz ， -5dBm ; SSB
I&Q振幅= 2V
PP
I&Q振幅= 0.325V
PP
中T = 25 ℃; P
OUT
= -11dBm （满足CDMA基站
站要求）;优化的I ，Q DC偏移
温度过高（温度从循环 -
40 ° C至+ 85°C在T = 25 ℃，优化后;
P
OUT
=-11dBm)
中T = 25 ℃; P
OUT
= -11dBm ;优化的I ，Q DC摘
套
温度过高（温度从循环 -
40 ° C至+ 85°C在T = 25 ℃，优化后;
P
OUT
=-11dBm)
在20MHz偏移，V
CC
= 5V ;连接到V
REF
： ISIG ，
QSIG ， IREF和QREF 。
LO = 2000MHz的， -5dBm ; SSB
I&Q振幅= 2V
PP
I&Q振幅= 0.325V
PP
中T = 25 ℃; P
OUT
= -17dBm ;优化的I ，Q DC摘
套
从-40 ° C至+ 85 ° C温度循环后
在T优化= 25°C ; P
OUT
=-17dBm
中T = 25 ℃; P
OUT
= -17dBm ;优化的I ，Q DC摘
套
从-40 ° C至+ 85 ° C温度循环后
在T优化= 25°C ; P
OUT
=-17dBm
在20MHz偏移，V
CC
= 5V ;连接到V
REF
： ISIG ，
QSIG ， IREF和QREF 。
边带抑制
50
35
dB
dB
输出阻抗
宽带本底噪声
13-j:25
-153.0
Ω
dBm / Hz计
射频输出（ 2000MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
载波抑制
50
35
边带抑制
50
40
输出阻抗
宽带本底噪声
58-j11
-158.0
-7
-3
-17
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
Ω
dBm / Hz计
掉电
开/关时间
PD输入电阻
功率控制“开”
功率控制“关”
1.0
1.2
5
4.5
当前
50
25
6.0
50
2.8
100
ns
kΩ
V
V
V
V
mA
μA
阈值电压
阈值电压
特定网络阳离子
操作限制
操作
掉电
电源
电压
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3 8
RF2480
针
1
功能
I REF
描述
参考电压的I混频器。该电压应为相同的
提供给I SIG引脚的直流电压。建议使用3.0V的电压。
的SIG和REF输入是一个差分放大器的输入。因此，
REF和SIG的输入是可以互换的。如果换了我和SIG I REF
销时，Q SIG和Q REF也需要被交换，以维持正确
阶段。另外，也可以驱动SIG和REF输入端以平衡
模式。这将增加的增益。
为了获得最佳的载波抑制，对我REF ，Q REF ，我SIG直流电压
和Q SIG应略作调整，以补偿固有undes-
红外发光二极管内部直流偏移;最佳边带抑制，相位和显
在IREF ，Q REF最终的幅度，我SIG和Q SIG应略作调整，以
弥补固有的不期望的内部偏移。见RFMD AN0001的
更多的细节。
参考电压为Q混频器。该电压应为相同的
提供给Q SIG销的直流电压。建议使用3.0V的电压。
见引脚1的更多细节。
接口示意图
我SIG
100
Ω
I REF
100
Ω
425
Ω
425
Ω
2
Q REF
Q SIG
100
Ω
Q REF
100
Ω
425
Ω
425
Ω
3
4
5
6
7
8
GND2
GND2
GND2
LO
VCC1
PD
在LO移相网络的接地连接。该引脚应CON
直接，连接到该接地平面。
一样的3脚。
一样的3脚。
所述移相网络的输入端。该引脚有一个内部DC块级
荷兰国际集团的电容器。此端口的电压驱动，匹配不同frequen-
连锁商店不是必需的。
电源除了为RF输出级的电路。一个外部电容
器是必要的，如果没有其他低频旁路电容就在附近。
掉电控制。当该引脚为"low" ，所有的电路都切断。一个"low"
通常是1.2V或更低，在室温temperature.When该引脚为"high" （V
CC
),
所有电路均正常运行。如果PD低于V
CC
，输出功率和
性能会下降。工作在这个区域是不推荐
修补，尽管它可能在某些应用中是有用的，其中功率
控制是必需的。
RF输出。该引脚有一个内部隔直电容。在某些frequen-
连锁商店，外部匹配，可能需要优化的输出功率。
L
O
V
CC
200
Ω
PD
9
RF OUT
RF OUT
10
11
12
13
14
GND3
VCC2
GND1
GND1
GND1
接地连接的RF输出级。该引脚应连接
直接到接地平面。
电源为RF输出放大器。一个外部电容是必要的，如果
没有其他的低频旁路电容酒店附近。
接地连接于所述本振和基带放大器，并且对所述混频器。
该引脚应直接连接到接地平面。
同销12 。
同销12 。
4 8
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RF2480
针
15
功能
Q SIG
描述
基带输入到Q混频器。该引脚为直流耦合。最大输出
当输入信号具有一个峰值到峰值振幅功率得到
2V ;对于高线性操作中，输入信号（输出功率）必须
适当降低。该引脚的推荐DC电平为3.0V 。该
该引脚上的最小峰值电压（V
REF
- 峰值幅度调制）
绝不能低于2.0V 。该引脚上的最大峰值电压
(V
REF
+峰值调制幅度）不能超过4.0V 。见销1
了解更多详情。
基带输入到I混频器。该引脚为直流耦合。最大输出
当输入信号具有一个峰值到峰值振幅功率得到
2V ;对于高线性操作中，输入信号（输出功率）必须
适当降低。该引脚的推荐DC电平为3.0V 。该
该引脚上的最小峰值电压（V
REF
- 峰值幅度调制）
绝不能低于2.0V 。该引脚上的最大峰值电压
(V
REF
+峰值调制幅度）不能超过4.0V 。见销1
了解更多详情。
接口示意图
Q SIG
100
Ω
Q REF
100
Ω
425
Ω
425
Ω
16
我SIG
我SIG
100
Ω
I REF
100
Ω
425
Ω
425
Ω
封装图
-A-
0.157
0.150
0.008
0.004
0.393
0.386
0.018
0.014
0.050
0.244
0.229
8 MAX
0 ° MIN
0.009
0.007
0.068
0.053
注意事项：
1.阴影铅引脚1 。
2.所有尺寸均不含
塑模的毛边。
3.引脚共面性 - 与0.005
对于基准"A" 。
0.034
0.016
转A4 DS060329
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5 8
RF2480
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入LO和RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+7.5
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
载波输入
频带
功率级
输入VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
800
-6
4.5:1
2:1
2:1
DC
3.0
V
REF
±1.0
0.2
3
30
40
-3
-6
0
-5
+2
250
2500
+6
单位
兆赫
DBM
条件
T = 25℃ ，V
CC
=5V
在900MHz无与伦比
在1800MHz的无与伦比
在2500MHz的无与伦比
兆赫
V
V
dB
°
kΩ
μA
DBM
DBM
LO = 800MHz的， -5dBm ; SSB
TETRA I&Q振幅= 2V
PP
在工作温度。
TETRA I&Q幅度= 1.1V
PP
有
ACPR -47dBc的。在工作温度
真实存在。
TETRA调制与应用
P
OUT
= -5dBm 。在工作温度。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
未经调整的表现。
未经调整的表现。
26MHz的与TETRA信号施加偏置
P
OUT
=-5dBm.
调制输入
频带
参考电压（V
REF
)
最大调制（ I&Q ）
增益不对称
正交相位误差
输入阻抗
输入偏置电流
射频输出（ 800MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
邻道
电源抑制
输出P1dB为
IM3抑制
IM5抑制
IM7抑制
载波抑制
边带抑制
宽带本底噪声
-47
+2
-39
-49
-49
-25
-25
-52
+3
-40
-59
-71
-30
-30
-150
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
-145
5-24
转A4 060329
RF2480
参数
射频输出（ 900MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
载波抑制
0
50
+4
-11
DBM
DBM
dB
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
LO = 880MHz ， -5dBm ; SSB
I&Q振幅= 2V
PP
I&Q振幅= 0.325V
PP
中T = 25 ℃; P
OUT
= -11dBm （满足CDMA基站
站要求）;优化的I ，Q DC摘
套
温度过高（温度从循环
-40 ° C至+ 85°C优化后的
中T = 25 ℃; P
OUT
=-11dBm)
中T = 25 ℃; P
OUT
= -11dBm ;优化的I ，Q DC
OFFSETS
温度过高（温度从循环
-40 ° C至+ 85°C优化后的
中T = 25 ℃; P
OUT
=-11dBm)
在20MHz偏移，V
CC
= 5V ;连接到V
REF
:
ISIG ， QSIG ， IREF和QREF 。
LO = 2000MHz的， -5dBm ; SSB
I&Q振幅= 2V
PP
I&Q振幅= 0.325V
PP
中T = 25 ℃; P
OUT
= -17dBm ;优化的I ，Q DC
OFFSETS
从-40 ° C的温度循环至+ 85°C
在T优化后= 25°C ; P
OUT
=-17dBm
中T = 25 ℃; P
OUT
= -17dBm ;优化的I ，Q DC
OFFSETS
从-40 ° C的温度循环至+ 85°C
在T优化后= 25°C ; P
OUT
=-17dBm
在20MHz偏移，V
CC
= 5V ;连接到V
REF
:
ISIG ， QSIG ， IREF和QREF 。
35
dB
边带抑制
50
35
dB
dB
输出阻抗
宽带本底噪声
13-j:25
-153.0
Ω
dBm / Hz计
射频输出（ 2000MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
载波抑制
-7
50
35
边带抑制
50
40
输出阻抗
宽带本底噪声
58-j11
-158.0
-3
-17
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
Ω
dBm / Hz计
掉电
开/关时间
PD输入电阻
功率控制“开”
功率控制“关”
100
50
2.8
1.0
1.2
5
4.5
当前
50
25
6.0
ns
kΩ
V
V
V
V
mA
μA
阈值电压
阈值电压
特定网络阳离子
操作限制
操作
掉电
电源
电压
转A4 060329
5-25
RF2480
针
1
功能
I REF
描述
参考电压的I混频器。此电压应相同
提供给I SIG销的直流电压。 3.0V的电压是中建议
谁料。的SIG和REF输入是一个差分放大器的输入。
因此，在REF和SIG输入是可以互换的。如果换了
我SIG与I REF引脚，则Q SIG和Q REF也需要被交换
保持正确的相位。另外，也可以驱动SIG与
REF输入端以平衡的方式。这将增加的增益。
为了获得最佳的载波抑制，对我REF ，Q REF ，我直流电压
SIG和Q SIG应略作调整，以补偿固有
不需要内部直流偏移;最佳边带抑制，
上IREF ，Q REF的相位和信号幅度，我SIG和Q SIG应
稍微调整以补偿不需要的固有内部摘
集。见RFMD AN0001的更多细节。
参考电压为Q混频器。此电压应相同
提供给Q SIG销的直流电压。 3.0V的电压是中建议
谁料。见引脚1的更多细节。
接口示意图
我SIG
100
Ω
I REF
100
Ω
425
Ω
425
Ω
2
Q REF
Q SIG
100
Ω
Q REF
100
Ω
425
Ω
425
Ω
3
4
5
6
7
8
GND2
GND2
GND2
LO
VCC1
PD
在LO移相网络的接地连接。该引脚应
直接连接到接地平面。
一样的3脚。
一样的3脚。
所述移相网络的输入端。该引脚有一个内部DC
隔直电容。此端口的电压驱动，匹配不同
的频率并不需要。
电源除了为RF输出级的电路。外部
电容器是必要的，如果没有其他低频旁路电容器是
酒店附近。
掉电控制。当该引脚为"low" ，所有的电路都切断。一
"low"通常是1.2V或更低，在室温temperature.When该引脚为
"high" （V
CC
） ，所有的电路都工作正常。如果PD低于V
CC
，输出
把功率和性能会下降。工作在这个区域
不推荐使用，虽然它可能在某些应用中是有用
当需要的功率控制。
RF输出。该引脚有一个内部隔直电容。在某些频
quencies ，外部匹配，可能需要优化的输出功率。
LO
V
CC
200
Ω
PD
9
RF OUT
RF OUT
10
11
12
13
14
GND3
VCC2
GND1
GND1
GND1
接地连接的RF输出级。该引脚应CON
直接，连接到该接地平面。
电源为RF输出放大器。一个外部电容
如果没有其他的低频旁路电容器附近是必要的。
对于LO和基带放大器的接地连接，并为
混频器。该引脚应直接连接到接地平面。
同销12 。
同销12 。
5-26
转A4 060329
QQ：2880707522 复制
