RF3145Quad-

BAND

GSM / EDGE / G

SM850/DCS/

PCS电源

放大器MOD-

ULE

RF3145

四频GSM / EDGE / GSM850 / DCS / PCS

功率放大器模块

符合RoHS &无铅产品

封装形式：模块（10毫米×10毫米）

特点

集成的功率控制&乐队

SELECT

单一3.0V至4.8V电源电压

AGE

+ 35.0dBm的输出GSM在压水堆

3.5V

+ 33dBm的DCS / PCS输出在压水堆

3.5V

+为29dBm输出8PSK压水堆

53％的GSM和50％的DCS / PCS

PAE

NC

12

DCS在1

频段选择2

TX ENABLE 3

VBATT 4

VMODE 5

VRAMP 6

GSM在

7

8

NC

9 GSM OUT

10 NC

11

DCS

OUT

应用

3V双/三/四频模式

手机

便携式电池供电分析装备

换货

GSM850和GSM900产品

商业和消费系

TEMS

EDGE和GPRS 12级的COM

兼容

DCS / PCS产品

功能框图

产品说明

该RF3145是一种高功率，集成了高效率的功率放大器模块

功率控制。这个模块是自包含与50Ω的输入和输出端子。

该设备是在一个事先砷化镓异质结连接双极制造

拉尔晶体管（ HBT）的过程，并且已被设计为用作为最终的双模式

GMSK / 8PSK RF放大器在GSM，DCS和PCS手持式蜂窝设备和

其他应用在824MHz至849MHz ， 880MHz至915MHz ，而在

1710MHz至1910MHz频段。内部带选择提供控制选择

GSM850 / GSM900和DCS / PCS频段。该器件采用超小型LCC ，

最大限度地减少所需的电路板空间。

订购信息

RF3145

四频GSM / EDGE / GSM850 / DCS / PCS功率放大器

模块

功放模块， 5件样品包

完全组装的评估板

RF3145PCBA-41X

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A4 DS050919

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1 18

RF3145

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

坡道

)

频段选择

TX启用

RF - 输入功率

最大占空比

输出负载VSWR

工作温度

储存温度

等级

-0.3到+6.0

-0.3到+1.8

3.0

3.0

12.0

50

10:1

-30至+90

-55到+150

单位

V

V

V

V

DBM

%

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

美国GSM频段为850MHz

工作频率范围

最大输出功率

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

CC

= 3.5V ， BandSel =低，

V

模式

=低，V

坡道

=V

RAMP ， MAX

, P

IN

=+4dBm

频率= 824MHz到849MHz ，占空比为25％ ，

脉冲宽度= 1154μs ， TX EN =高

824

+34.5

+35.4

+32.5

849

兆赫

DBM

DBM

温度= 25 ° C，V

CC

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

Temp=+85

o

C，V

BATT

=3.0V, V

坡道

=V

RAMP ， MAX

V

坡道

=0.2V

在P

OUT

,

最大

, V

CC

=3.5V

在P

OUT

=31.5dBm

F

0

= 849MHz ，在其它信号829MHz -

40dBm的，在869MHz的100kHz的测量

RBW （最大功率）

RBW = 100kHz时， 869MHz至894MHz ，

P

OUT

>+5dBm

Tx_enable时= 0V ，V

坡道

=0.2, P

IN

=+6dBm

在所有功率水平

在所有功率水平

测量DCS / PCS端口。在所有电源列弗

ELS 。

在所有功率水平

Spurious<-36dBm ，V

坡道

= 0.2V至1.6V ，

RBW=3MHz

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

0

总有效率（ PAE ）

输入电源的最大输出

折叠转换增益

45

+2

51

35

+4

-5

+6

DBM

%

%

DBM

dB

输出噪声功率

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波杂散

交叉带耦合2F

0

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

输出负载耐用

输出负载阻抗

注： V

RAMP ， MAX

=3/8*V

BATT

+0.18<1.6V

-86

-84

-25

-5

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

-30

-7

-36

-20

50

2.5:1

6:1

10:1

50

2 18

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A4 DS050919

RF3145

参数

功率控制V

坡道

,

GSM850 GMSK模式

功率控制“开”

功率控制“关”

功率控制范围

V

坡道

输入电容

V

坡道

输入电流

开/关时间

0.2

33

15

10

4

1.6

0.25

V

V

dB

pF

μA

μS

马克斯P

OUT

电路，电压提供给输入

最低P

OUT

电路，电压供给输入。

V

坡道

= 0.2V至1.6V

DC至2MHz

V

坡道

=1.6V

V

坡道

= 0V至1.6V

温度= + 25 ° C，V

CC

= 3.5V ， BandSelect =低，

V

模式

=高，V

坡道

=V

RAMP ， MAX

,

频率= 824MHz到849MHz ，占空比为25％ ，

脉冲宽度= 1154μs

824

+28.5

+26.5

总有效率（ PAE ）

收益

增益温度COEF网络cient

RMS EVM

28.0

25

30.0

28.5

-0.03

2.0

3.5

5.0

ACPR和频谱屏蔽

-36

-60

-34

-56

-63

输出噪声功率

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

输出负载耐用

输出负载阻抗

6:1

10:1

50

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

50

2.5:1

-85

-40

-84

-30

-7

-7

-36

31.5

+29.0

849

兆赫

DBM

DBM

%

dB

dB

分贝/ Ω

%

%

dBc的

dBc的

dBc的

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

在所有功率水平

Spurious<-36dBm ，V

坡道

= 0.2V至1.6V ，

RBW=3MHz

温度= -20 ° C至+ 85°C

温度= -20 ° C至+ 85°C ，V

CC

= 3.2V至4.8V

P

OUT

<28.5dBm

P

OUT

<26.5dBm ，V

CC

= 3.2V至4.8V ，

<2.5 ： 1VSWR ，所有角度

在200kHz频率在30kHz的带宽，P

OUT

<28.5dBm

以400kHz速率在30kHz的带宽，P

OUT

<28.5dBm

在600kHz的到1800kHz在30kHz的带宽，

P

OUT

<28.5dBm

RBW = 100kHz时， 869MHz至894MHz ，

P

OUT

>+5dBm

TX启用= 0V ，V

坡道

= 0.2V ，P

IN

=+6dBm

在所有功率水平

在所有功率水平

温度= -20 ° C至+ 85°C ，V

CC

=3.2V

在P

出，最大

, V

CC

=3.5V

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

美国GSM频段为850MHz 8PSK

模式

工作频率范围

输出功率满足EVM和

ACPR频谱

转A4 DS050919

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

3 18

RF3145

参数

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

CC

=3.5V,

BandSelect =低，V

模式

=低，

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

, P

IN

=+4dBm

频率= 880MHz至915MHz ，占空比为25％ ，

脉冲宽度= 1154μs ， TX EN =高

880

+34.5

+35.0

+32.5

0

总有效率（ PAE ）

输入电源的最大输出

折叠转换增益

45

+2

55

35

+4

+6

-5

915

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

%

DBM

dB

F

0

= 915MHz频段，在-40dBm其它信号895MHz ，

在935MHz的100kHz的RBW （最大测量

电源）

RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，

P

OUT

>+5dBm

RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，

P

OUT

>+5dBm

Tx_enable时= 0V ，V

坡道

=0.2, P

IN

=+6dBm

在所有功率水平

在所有功率水平

测量DCS / PCS端口。在所有电源列弗

ELS 。

在所有功率水平

Spurious<-36dBm ，V

坡道

= 0.2V至1.6V ，

RBW=3MHz

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

温度= 25 ° C，V

CC

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

Temp=+85

o

C，V

BATT

=3.0V, V

坡道

=V

RAMP ， MAX

V

坡道

=0.2V

在P

OUT

,

最大

, V

CC

=3.5V

在P

OUT

=31.5dBm

美国的GSM 900MHz频段

工作频率范围

最大输出功率

输出噪声功率

-82

-86

-80

-84

-25

-5

-7

-36

-20

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波杂散

交叉带耦合2F

0

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

输出负载耐用

输出负载阻抗

注： V

RAMP ， MAX

=3/8*V

BATT

+0.18<1.6V

6:1

10:1

50

50

2.5:1

功率控制V

坡道

,

GSM900 GMSK模式

功率控制“开”

功率控制“关”

功率控制范围

V

坡道

输入电容

V

坡道

输入电流

开/关时间

0.2

33

15

10

4

1.6

0.25

V

V

dB

pF

μA

μS

马克斯P

OUT

电路，电压提供给输入

最低P

OUT

电路，电压供给输入。

V

坡道

= 0.2V至1.6V

DC至2MHz

V

坡道

=1.6V

V

坡道

= 0V至1.6V

4 18

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A4 DS050919

RF3145

参数

GSM 900MHz频段

8PSK模式

工作频率范围

输出功率满足EVM和

ACPR频谱

总有效率（ PAE ）

收益

增益温度COEF网络cient

RMS EVM

28.0

880

+28.5

+26.5

25

29.5

28.0

-0.03

2.0

3.5

5.0

ACPR和频谱屏蔽

-36

-60

-34

-56

-63

输出噪声功率

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

输出负载耐用

输出负载阻抗

6:1

10:1

50

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

50

2.5:1

-85

-84

-25

-7

-7

-36

31.0

+29.0

915

兆赫

DBM

DBM

%

dB

dB

分贝/ Ω

%

%

dBc的

dBc的

dBc的

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

在所有功率水平

Spurious<-36dBm ，V

坡道

= 0.2V至1.6V ，

RBW=3MHz

温度= -20 ° C至+ 85°C

温度= -20 ° C至+ 85°C ，V

CC

= 3.2V至4.8V

P

OUT

<28.5dBm

P

OUT

<26.5dBm ，V

CC

= 3.2V至4.8V ，

<2.5 ： 1VSWR ，所有角度

在200kHz频率在30kHz的带宽，P

OUT

<28.5dBm

以400kHz速率在30kHz的带宽，P

OUT

<28.5dBm

在600kHz的到1800kHz在30kHz的带宽，

P

OUT

<28.5dBm

RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，

P

OUT

>+5dBm

TX启用= 0V ，V

坡道

= 0.2V ，P

IN

=+6dBm

在所有功率水平

在所有功率水平

温度= -20 ° C至+ 85°C ，V

CC

=3.2V

在P

出，最大

, V

CC

=3.5V

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

CC

=3.5V,

BandSelect =低，V

模式

=高，

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

, P

IN

=+4dBm

频率= 880MHz至915MHz ，占空比为25％ ，

脉冲宽度= 1154μs

转A4 DS050919

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 18

RF3145

0

典型应用

3V双/三/四频模式手机商业和消费系统

- 便携式电池供电设备

GSM850和GSM900产品

产品说明

该RF3145是一种高功率，高效率电源扩增

费里的模块集成功率控制。这个模块是

自包含具有50Ω的输入和输出端子。该

设备上预先砷化镓制造

异质结双极晶体管（HBT）的过程，并具有

被设计用作最后的双模式

GMSK / 8PSK RF放大器在GSM，DCS和PCS手工

手持蜂窝设备和在其它应用中

824MHz至849MHz ， 880MHz至915MHz ，而在

1710MHz至1910MHz频段。内部带选择亲

志愿组织控制选择GSM850 / GSM900或

DCS / PCS频段。该器件封装上的超小

LCC ，最大限度地减少所需的电路板空间。

符合RoHS &无铅产品

四频GSM / EDGE / GSM850 / DCS / PCS

功率放大器模块

EDGE和GPRS 12级兼容

DCS / PCS产品

1

1.70

1.45

10.00±0.10

0.450±0.075

10.00±0.10

1.275

7.227

7.325

7.500 TYP

8.275

8.300 TYP

9.204

9.242

9.646

1

9.600 TYP

8.800 TYP

8.200 TYP

7.400 TYP

6.800 TYP

6.000 TYP

5.475

4.525

4.000 TYP

3.200 TYP

2.600 TYP

1.800 TYP

1.200 TYP

0.400 TYP

0.000

0.000

0.400 TYP

1.200 TYP

1.797 TYP

2.600 TYP

3.200 TYP

4.000 TYP

4.600 TYP

5.400 TYP

6.000 TYP

6.800 TYP

7.330

8.280

8.800 TYP

9.600 TYP

8.725

6.155

6.100

5.925

5.400 TYP

4.600 TYP

4.075

3.955

1.275

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

封装形式：模块（ 10mmx10mm ）

特点

集成的功率控制&波段选择

单3.0V至4.8V电源电压

NC

+ 35.0dBm的输出GSM压水堆在3.5V

+ 33dBm的DCS / PCS输出压水堆在3.5V

11 DCS OUT

12

DCS在1

频段选择2

TX ENABLE 3

VBATT 4

VMODE 5

VRAMP 6

GSM在

7

8

NC

9 GSM OUT

10 NC

+为29dBm输出8PSK压水堆

53％的GSM和50％的DCS / PCS PAE

订购信息

RF3145

四频GSM / EDGE / GSM850 / DCS / PCS电源

扩增fi er模块

功放模块， 5件样品包

RF3145PCBA - 41XFully组装的评估板

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

功能框图

转A4 050919

2-519

RF3145

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

坡道

)

频段选择

TX启用

RF - 输入功率

最大占空比

输出负载VSWR

工作温度

储存温度

等级

-0.3到+6.0

-0.3到+1.8

3.0

3.0

12.0

50

10:1

-30至+90

-55到+150

单位

V

V

V

V

DBM

%

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC

（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

CC

= 3.5V ， BandSel =低，

V

模式

=低，V

坡道

=V

RAMP ， MAX

,

P

IN

=+4dBm

频率= 824MHz到849MHz ，占空比为25％ ，

脉冲宽度= 1154μs ， TX EN =高

美国GSM频段为850MHz

工作频率范围

最大输出功率

824

+34.5

849

+35.4

+32.5

0

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

%

DBM

dB

温度= 25 ° C，V

CC

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

Temp=+85

o

C，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

V

坡道

=0.2V

在P

OUT

,

最大

, V

CC

=3.5V

在P

OUT

=31.5dBm

F

0

= 849MHz ，在其它信号829MHz -

40dBm的，在869MHz的100kHz的测量

RBW （最大功率）

RBW = 100kHz时， 869MHz至894MHz ，

P

OUT

>+5dBm

Tx_enable时= 0V ，V

坡道

=0.2, P

IN

=+6dBm

在所有功率水平

在所有功率水平

测量DCS / PCS端口。在所有电源

的水平。

在所有功率水平

Spurious<-36dBm ，V

坡道

= 0.2V至1.6V ，

RBW=3MHz

总有效率（ PAE ）

输入电源的最大输出

折叠转换增益

45

+2

51

35

+4

-5

+6

输出噪声功率

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波杂散

交叉带耦合2F

0

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

输出负载耐用

输出负载阻抗

注： V

RAMP ， MAX

=3/8*V

BATT

+0.18<1.6V

-86

-84

-25

-5

-7

-36

-20

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

-30

50

2.5:1

6:1

10:1

50

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

2-520

转A4 050919

RF3145

参数

功率控制V

坡道

,

GSM850 GMSK模式

功率控制“开”

功率控制“关”

功率控制范围

V

坡道

输入电容

V

坡道

输入电流

开/关时间

0.2

33

15

10

4

1.6

0.25

V

V

dB

pF

μA

μS

马克斯P

OUT

电路，电压提供给输入

最低P

OUT

电路，电压供给到

输入。

V

坡道

= 0.2V至1.6V

DC至2MHz

V

坡道

=1.6V

V

坡道

= 0V至1.6V

温度= + 25 ° C，V

CC

= 3.5V ， BandSelect =低，

V

模式

=高，V

坡道

=V

RAMP ， MAX

,

频率= 824MHz到849MHz ，占空比为25％ ，

脉冲宽度= 1154μs

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

美国GSM频段为850MHz

8PSK模式

工作频率范围

输出功率满足EVM和

ACPR频谱

总有效率（ PAE ）

收益

增益温度COEF网络cient

RMS EVM

824

+28.5

+26.5

28.0

25

30.0

28.5

-0.03

2.0

31.5

849

+29.0

兆赫

DBM

DBM

%

dB

dB

分贝/ Ω

%

%

dBc的

dBc的

dBc的

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

温度= -20 ° C至+ 85°C ，V

CC

=3.2V

在P

出，最大

, V

CC

=3.5V

温度= -20 ° C至+ 85°C

温度= -20 ° C至+ 85°C ，V

CC

= 3.2V至4.8V

P

OUT

<28.5dBm

P

OUT

<26.5dBm ，V

CC

= 3.2V至4.8V ，

<2.5 ： 1VSWR ，所有角度

在200kHz频率在30kHz的带宽，P

OUT

<28.5dBm

以400kHz速率在30kHz的带宽，P

OUT

<28.5dBm

在600kHz的到1800kHz在30kHz的带宽，

P

OUT

<28.5dBm

RBW = 100kHz时， 869MHz至894MHz ，

P

OUT

>+5dBm

TX启用= 0V ，V

坡道

= 0.2V ，P

IN

=+6dBm

在所有功率水平

在所有功率水平

3.5

5.0

-34

-56

-63

-84

-30

-7

-7

-36

2.5:1

ACPR和频谱屏蔽

-36

-60

输出噪声功率

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

输出负载耐用

输出负载阻抗

-85

-40

50

6:1

10:1

50

在所有功率水平

Spurious<-36dBm ，V

坡道

= 0.2V至1.6V ，

RBW=3MHz

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

转A4 050919

2-521

RF3145

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

CC

=3.5V,

BandSelect =低，V

模式

=低，

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

, P

IN

=+4dBm

频率= 880MHz至915MHz ，占空比为25％ ，

脉冲宽度= 1154μs ， TX EN =高

880

+34.5

915

+35.0

+32.5

0

总有效率（ PAE ）

输入电源的最大输出

折叠转换增益

45

+2

55

35

+4

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

%

DBM

dB

温度= 25 ° C，V

CC

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

Temp=+85

o

C，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

V

坡道

=0.2V

在P

OUT

,

最大

, V

CC

=3.5V

在P

OUT

=31.5dBm

F

0

= 915MHz的，其他的信号895MHz

-40dBm ，在100kHz的测量935MHz

RBW （最大功率）

RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，

P

OUT

>+5dBm

RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，

P

OUT

>+5dBm

Tx_enable时= 0V ，V

坡道

=0.2, P

IN

=+6dBm

在所有功率水平

在所有功率水平

测量DCS / PCS端口。在所有电源

的水平。

在所有功率水平

Spurious<-36dBm ，V

坡道

= 0.2V至1.6V ，

RBW=3MHz

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

美国的GSM 900MHz频段

工作频率范围

最大输出功率

+6

-5

输出噪声功率

-82

-86

-80

-84

-25

-5

-7

-36

-20

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波杂散

交叉带耦合2F

0

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

输出负载耐用

输出负载阻抗

注： V

RAMP ， MAX

=3/8*V

BATT

+0.18<1.6V

50

2.5:1

6:1

10:1

50

功率控制V

坡道

,

GSM900 GMSK模式

功率控制“开”

功率控制“关”

功率控制范围

V

坡道

输入电容

V

坡道

输入电流

开/关时间

0.2

33

15

10

4

1.6

0.25

V

V

dB

pF

μA

μS

马克斯P

OUT

电路，电压提供给输入

最低P

OUT

电路，电压供给到

输入。

V

坡道

= 0.2V至1.6V

DC至2MHz

V

坡道

=1.6V

V

坡道

= 0V至1.6V

2-522

转A4 050919

RF3145

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

CC

=3.5V,

BandSelect =低，V

模式

=高，

V

坡道

=V

RAMP ， MAX

, P

IN

=+4dBm

频率= 880MHz至915MHz ，占空比为25％ ，

脉冲宽度= 1154μs

880

+28.5

+26.5

总有效率（ PAE ）

收益

增益温度COEF网络cient

RMS EVM

28.0

25

29.5

28.0

-0.03

2.0

31.0

915

+29.0

兆赫

DBM

DBM

%

dB

dB

分贝/ Ω

%

%

dBc的

dBc的

dBc的

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

温度= -20 ° C至+ 85°C ，V

CC

=3.2V

在P

出，最大

, V

CC

=3.5V

温度= -20 ° C至+ 85°C

温度= -20 ° C至+ 85°C ，V

CC

= 3.2V至4.8V

P

OUT

<28.5dBm

P

OUT

<26.5dBm ，V

CC

= 3.2V至4.8V ，

<2.5 ： 1VSWR ，所有角度

在200kHz频率在30kHz的带宽，P

OUT

<28.5dBm

以400kHz速率在30kHz的带宽，P

OUT

<28.5dBm

在600kHz的到1800kHz在30kHz的带宽，

P

OUT

<28.5dBm

RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，

P

OUT

>+5dBm

TX启用= 0V ，V

坡道

= 0.2V ，P

IN

=+6dBm

在所有功率水平

在所有功率水平

GSM 900MHz频段

8PSK模式

工作频率范围

输出功率满足EVM和

ACPR频谱

3.5

5.0

-34

-56

-63

-84

-25

-7

-7

-36

ACPR和频谱屏蔽

-36

-60

输出噪声功率

正向隔离

二次谐波

三次谐波

所有其他非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR

输出负载耐用

输出负载阻抗

-85

50

2.5:1

6:1

10:1

50

在所有功率水平

Spurious<-36dBm ，V

坡道

= 0.2V至1.6V ，

RBW=3MHz

Ω

在RF OUT垫提出负载阻抗

转A4 050919

2-523