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RF2301
4
典型应用
本地振荡器缓冲放大器
FDD和TDD通信系统
商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
无线局域网
ISM频段应用
高隔离缓冲放大器
产品说明
的RF2301是一个高反向隔离缓冲放大器。
该装置被制造上的低成本镓Ars-
enide MESFET制程,并且已被设计为用
如在高端通信的通用缓冲
系统从低于300MHz的操作频率
比2500MHz的高。与+ 5dBm的输出功率,它
也可使用如在发送器应用的驱动器。
该器件采用8引脚塑料封装。该
产物是自包含的,仅需一个电阻和
隔直电容来操作。输出功率,COM的
软硬件就可以为50分贝反向隔离在900MHz允许
LO优秀的缓冲来源阻抗变化。
该装置可在3V电池应用中使用。该
单元具有17分贝的总增益与从只14毫安电流
3V电源。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
砷化镓HBT
的SiGe HBT
硅CMOS
0.008
0.004
0.018
0.014
-A-
4
通用
放大器器
0.196
0.189
0.050
0.157
0.150
0.244
0.229
尺寸(mm)
0.068
0.053
8 MAX
0 ° MIN
0.034
0.016
0.009
0.007
注意事项:
1.阴影铅引脚1 。
2.所有尺寸均不含
塑模的毛边。
3.引脚共面性 -
0.005相对于基准"A" 。
ü
砷化镓MESFET
封装形式: SOIC - 8
特点
单2.7V至6.0V电源
+ 4dBm的输出功率
21分贝小信号增益
50分贝反向隔离在900MHz
低直流电流14毫安消费
300MHz至2500MHz的运行
GND 1
GND 2
RF IN 3
GND 4
8 VDD1
7 VDD2
6 RF输出
5 GND
订购信息
RF2301
RF2301 PCBA
高隔离缓冲放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A8 010717
4-37
RF2301
绝对最大额定值
参数
电源电压(V
DD
)
直流电源电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.5
60
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
mA
DBM
°C
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
300 2500
-8
8
<2 : 1
<2 : 1
2.7 6.0
单位
兆赫
DBM
dB
条件
T = 25℃ ,V
DD
=5V
DC
4
通用
放大器器
整体
额定频率范围
输入IP
3
噪声系数
输入VSWR
输出VSWR
电源电压
在一个50Ω系统
在一个50Ω系统
V
使用宽带应用电路,
V
DD
=5V
DC
,频率= 2500MHZ ,T = 25°C
标称5V配置
收益
P
1dB
输出功率
电源电流
反向隔离
21
10
24
+4
30
50
50
40
40
26
40
dB
DBM
mA
dB
dB
dB
dB
标称3V配置
收益
P
1dB
输出功率
电源电流
反向隔离
15
17
0
14
50
50
40
40
dB
DBM
mA
dB
dB
dB
dB
900MHz的,没有RF输入
900MHz的,有RF输入,饱和
2500MHz的,没有RF输入
至2500MHz ,与RF输入,饱和
使用宽带应用电路,
V
DD
=3V
DC
,频率= 2500MHZ ,T = 25°C
900MHz的,没有RF输入
900MHz的,有RF输入,饱和
2500MHz的,没有RF输入
至2500MHz ,与RF输入,饱和
4-38
转A8 010717
RF2301
1
2
3
功能
GND
GND
在RF
描述
低电感接地连接。使用单独的过孔背面
接地平面,置于销着陆的内0.030"对于优化性能
曼斯。
相同的引脚1 。
直流耦合的射频输入端。宽带阻抗匹配是由生产
内置分流电阻反馈。 DC电平是0V。如果直流电压是
从连接电路目前,外部隔直流电容器
所需的适当的直流工作点。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
漏极开路输出的射频。宽带阻抗匹配是由生产
外部100Ω电阻供电,如图中的应用
在增益和输出示意图1.进行大约3dB的改善
功率至少可以得到超过20%的带宽,通过更换
电阻电源与外部片式电感器网络
在应用原理图如图2所示。外部隔直流电容器
如果需要以下电路没有直流阻断。
V
DD1
V
DD2
接口示意图
4
5
6
GND
GND
RF OUT
4
RF OUT
在RF
7
8
VDD2
VDD1
电源连接。旁路与外部的片状电容器和
通过向背面接地层的人。
电源连接。旁路与外部的片状电容器和
通过向背面接地层的人。
转A8 010717
4-39
通用
放大器器
RF2301
应用原理图1
宽带匹配
V
DD
1 nF的
1
2
8
7
6
100 pF的
4
5
100
RF OUT
4
通用
放大器器
在RF
100 pF的
3
应用原理图2
最佳匹配
V
DD
100 pF的
1
2
在RF
100 pF的
4
5
3
8
7
6
L2
RF OUT
L1
100 pF的
频率
900兆赫
2500兆赫
L1
18 nH的
----
L2
22 nH的
2.7 nH的
4-40
转A8 010717
RF2301
评估板电路图
(从www.rfmd.com下载材料清单)。
P1-1
C3
100 pF的
1
C1
100 pF的
2
3
4
8
7
6
5
A
B
见下图
C2
100 pF的
C
C4
1 nF的
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
J1
在RF
50
Ω μstrip
4
通用
放大器器
2301400A
频率
BAND
宽带
(默认配置)。
部件
A
100
不适用
2.7 nH的
B
0
18 nH的
0
C
不适用
22 nH的
不适用
P1-1
P1
1
2
3
VDD
GND
900兆赫
2450兆赫
评估板布局
1.43” x 1.43”
板厚度0.031 “ ;板材FR- 4
转A8 010717
4-41
查看更多RF2301PDF信息
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RF2301
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    -
    -
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人:李小姐
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联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
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普通
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
RF2301
RFMD
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地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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