RF2363
0
典型应用
GSM / DCS双频手机
蜂窝/ PCS双频手机
通用扩增
商业和消费系统
DUAL- BAND 3V低噪声放大器
产品说明
的RF2363是一个双波段低噪声放大器
设计用作一个前端为950MHz的
GSM / 1850MHz的DCS应用和可以用于
双频带蜂窝/ PCS应用程序。 900MHz的低噪声放大器是
一个单级放大器;在1900MHz的低噪声放大器是一个2级
放大器。该部分也可以被调整为在应用程序
其他频带。该器件具有优异的COM
的低噪声指数和高线性度以非常低的bination
电源电流。它被装在一个非常小的行业
标准SOT 8引脚塑料封装。
1.59
1.61
0.365
TEXT *
0.15
0.05
2.80
3.00
0.650
2.60
3.00
3°MAX
0°MIN
1.44
1.04
0.127
*当引脚1为上
左，文字向下读
（如图所示） 。
0.35
0.55
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： SOT ， 8引脚
特点
低噪声和高截点
18分贝增益在900MHz
21分贝增益为1900MHz的
低电源电流
单2.5V至5.0V电源
超小型SOT- 23-8塑料包装
RF OUT1 1
GND 2
RF OUT2 3
EN1 4
8
7
6
5
RF IN1
GND
RF IN2
EN2
订购信息
RF2363
RF2363 PCBA
DUAL- BAND 3V低噪声放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转B3 040114
4-347
RF2363
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.0
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
RF频率范围
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
800至1000
1800年至2000年
单位
兆赫
兆赫
条件
950MHz的性能
收益
隔离
增益步
噪声系数
输出IP3
输入P1dB为
反向隔离
输入VSWR
输出VSWR
16
18
16
34
1.3
+24
-10
20
1.8:1
1.8:1
20
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
T = 25 ° C， RF = 950MHz的，V
CC
=2.8V,
EN1 = 2.8V ， EN2 = 0V
EN1=0V
增益 - 隔离
+17
2:1
2:1
1850MHz性能
收益
隔离
增益步
噪声系数
输出IP3
输入P1dB为
反向隔离
输入VSWR
输出VSWR
20
21.5
10
31.5
1.4
+22
-12
30
1.7:1
1.7:1
24
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
无需外部匹配
随着外部匹配按照GSM / DCS应用程序
阳离子原理
T = 25 ° C， RF = 1850MHz ，V
CC
=2.8V,
EN2 = 2.8V ， EN1 = 0V
EN2=0V
增益 - 隔离
+16
2:1
2:1
无需外部匹配
随着外部匹配按照GSM / DCS应用程序
阳离子原理
V
V
V
V
mA
mA
吨= 25°C
特定网络阳离子
操作限制
900MHz的LNA启用，1900 LNA解散
体健;总的直流电流
1900MHz的LNA启用， 900MHz的低噪声放大器解散
体健;总的直流电流
EN1=EN2=0V
LNA选择
“启用”电压
“禁用”电压
V
CC
0
2.8
2.5 5.0
5
7.5
1
电源
电压
消耗电流
μA
4-348
转B3 040114
RF2363
针
1
功能
RF OUT1
描述
RF输出引脚 900MHz的低噪声放大器。此引脚为集电极开路输出。它
必须被偏置在V
CC
或4脚通过一个扼流圈或匹配
电感器。它通常匹配至50Ω与分流偏置/匹配
电感器和串联阻断/匹配电容。请参考应用程序
原理图。
接地连接。
注：地面跟踪引脚2和7相当于少量
电感（ 0.75nH ） 。是这些线的尺寸如下。
引脚2 ： L = 56mils ， W = 15mils ， H = 31mils
引脚7 ： L = 56mils ， W = 15mils ， H = 31mils
电介质是FR-4 。
RF输出引脚 1900MHz的低噪声放大器。此引脚为集电极开路输出。
它必须被偏置在V
CC
或4脚通过一个扼流圈或匹配
电感器。它通常匹配至50Ω与分流偏置/匹配
电感器和串联阻断/匹配电容。请参考应用程序
原理图。
使能引脚用于 900MHz的低噪声放大器。的电压等于电源电压
LNA 。该引脚应被禁用（ 0V ）时 1900MHz的LNA在
使用。
使能引脚用于 1900MHz的低噪声放大器。的电压等于电源电压
LNA 。该引脚应被禁用（ 0V ）时 900MHz的LNA在
使用。见包图纸针方向的描述。
射频输入引脚 1900MHz的。该引脚匹配到50Ω左右
在DCS / PCS频率。外部AC耦合电容是必需
在这个引脚。
相同引脚2 。
射频输入引脚 900MHz的。该引脚匹配到50Ω左右，在
GSM /蜂窝频率。外部AC耦合电容器是
在此引脚必需的。
接口示意图
RF OUT
RF IN1
偏置
电路
2
GND
LNA1
LNA2
销2
7针
3
RF OUT2
EN2
RF OUT2
RF IN2
4
5
6
7
8
EN1
EN2
RF IN2
GND
RF IN1
见3脚。
见3脚。
见第2脚。
见引脚1 。
转B3 040114
4-349
RF2363
操作和应用信息的RF2363理论
该RF2363包含两个独立的低噪声
已优化的双频功率放大器
在GSM应用中（ 905MHz到960MHz的）和
DCS （ 1805MHz至1880MHz ）频段。 Fabri-
cated采用异质结双极晶体管（HBT）
技术， RF2363提供以高线性增益
非常低的噪声系数和低功耗。
内部温度补偿保持增益
严格控制在极端温度（一般
小于增益变化的1分贝从-40 ° C至+ 85°C时
2.8V ） 。一个50Ω输入阻抗允许一部分是
连接到标准的接收器前端的过滤器，而不
额外的匹配元件。
模式控制
该RF2363集成了两个使能引脚（ EN1和
EN2 ）用于偏压所需的低噪声放大器，根据表
下文。
EN1
GND
GND
VCC
EN2
GND
VCC
GND
模式
掉电
1900MHz的LNA在
900MHz的LNA在
1900MHz的低噪声放大器
在1900MHz的低噪声放大器由两个共同实现
发射阶段级联。在第一阶段被偏置
通过在EN2引脚的外部电感器。这
电感器也可作为一个级间匹配;在电阻器
与电感器平行，建议“取消Q'的
电感器，从而提供了一个更宽的频带间
匹配。从输出引脚的外部偏置电感
（射频OUT2）至VCC提供的直流偏压第二
级晶体管和匹配的输出助攻
阻抗到下一接收器级。低和高
高频旁路电容应在使用
无论是EN2和RF OUT2偏向供给方电感
器。 AC耦合电容是必需的射频
IN2引脚。
布局的注意事项
提供增益和线性度， a的最佳平衡
需要在地少量的电感
印刷电路板的迹线。推荐的电感
0.5和1.0nH ，与0.75nH上使用进行评价，间
uation委员会。根据不同的应用，多个增益
用更少的线性度或以上的线性度与更少的增益
不理想。地面的适当调整
电感可以实现这些目标。 Minimiz-
荷兰国际集团的接地电感将最大限度的增益
费用线性的同时增加了接地电感
tance将增加线性度增益为代价的。
重要的是要记住， 7脚接地是非常重要的电感
tance同时影响的LNA的性能，而
2脚接地电感只影响1900MHz的
LNA 。
900MHz的低噪声放大器
在900MHz的低噪声放大器为单级，共发射极
放大器。由于输入引脚包含一个直流偏压，交流
耦合电容是需要在该引脚。外部
从输出端子（RF OUT1）至VCC偏置电感
提供直流偏压的放大器晶体管和
有助于匹配的输出阻抗到下一
接收阶段。具有良好的射频旁路电容器
在操作的频率特性应
放置在尽可能靠近电源电压侧
的偏置电感器;低频旁路电容器
也应被包括。该EN1引脚VCC提供给
LNA和的偏置电路也应该effec-
tively旁路低频和高频
电容器。
4-350
转B3 040114
RF2363
应用原理图（ GSM / DCS ）
EN1
10 nF的
EN2
10 nF的
47 pF的
1k
Ω
3.9 nH的
5
22 nF的
RF IN2
6
7
22 nF的
RF IN1
8
1
12 nH的V
CC
注意的方向
包在这个示意图。
100 pF的
10 nF的
3
1 pF的
2
2 pF的
RF OUT
4
3.3 nH的
V
CC
RF OUT2
100 pF的
47 pF的
10 nF的
评估板电路图
（从www.rfmd.com下载材料清单）。
P2
P2-1
1
2
CON2
注意的方向
包在这个示意图。
EN1
C9
10 nF的
EN2
C12
10 nF的
C11
47 pF的
R1
Ω
1k
L1
3.9 nH的
C1
22 nF的
0.75nH
7
J4
RF IN1
50
Ω μstrip
8
C2
22 nF的
1
L3
12 nH的
C5
2 pF的VCC
2
50
Ω μstrip
J1
RF OUT
5
6
U1
4
3
0.75nH
L2
3.3 nH的
C10
100 pF的
C7
47 pF的
C8
10 nF的
VCC
C6
1 pF的
50
Ω μstrip
VCC
GND
P1-3
P1-4
P1-1
P1
1
2
3
4
CON4
EN2
GND
EN1
VCC
J3
RF IN2
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
注意事项：
引脚2和7接地痕迹都相当于一个小
电感量（-1 NH）的。这些尺寸
线如下。
引脚2 ： L = 56密耳， W = 15密耳， H = 31密耳
引脚7 ： L = 56密耳， W = 15密耳， H = 31密耳
电介质是FR-4
C3
100 pF的
C4
10 nF的
转B3 040114
4-351
QQ：2881677436 复制
