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数据表

10V驱动N沟道MOSFET

R6020ANZ

结构

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

TO-3PF

4.5

5.5

15.5

φ3.6

10.0

3.0

0.75

应用

开关

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

14.8

(1)

(2)

2.5

■特点

1）低导通电阻。

2 ）低输入电容。

3 ）高ESD 。

26.5

16.5

14.5

0.44

16.5

3.5

2.0

2.0 3.0

2.0

(3)

0.9

5.45

5.45

包装规格

TYPE

R6020ANZ

包

CODE

基本订购单位（件）

体积

-

360

内部电路

1

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

(1)

(2)

(3)

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

符号

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

雪崩电流

雪崩能量

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

*2 L

500H ，V

DD

= 50V ，R

G

=25, T

ch

=25°C

1

体二极管

范围

600

30

20

80

20

80

10

26.7

120

150

55

to

150

单位

V

V

A

A

A

A

A

mJ

W

C

C

V

DSS

连续

脉冲

连续

脉冲

V

GSS

I

D

*3

I

DP

I

S

I

SP

*1

*3

*1

I

AS

*2

E

AS

*2

P

D

*4

T

ch

T

英镑

* 3仅受最大通道温度允许的。

*4 T

C

=25°C

热阻

参数

渠道情况

* T

C

=25°C

符号

R

TH（ CH-C ）

*

范围

1.04

单位

C

/ W

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2011.10 - Rev.A的

R6020ANZ

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

　

符号

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

*

R

DS （ ON）

升

fs

l *

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

*

t

r

*

t

D（关闭）

*

t

f

*

Q

g

*

Q

gs

*

Q

gd

*

分钟。

-

600

-

2.95

-

7

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

0.17

-

2040

1660

70

40

60

230

70

65

10

25

马克斯。

100

-

100

4.15

0.22

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

单位

nA

V

A

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

条件

V

GS

=30V, V

DS

=0V

I

D

= 1mA时， V

GS

=0V

V

DS

=600V, V

GS

=0V

V

DS

= 10V ，我

D

=1mA

I

D

= 10A ，V

GS

=10V

V

DS

= 10V ，我

D

=10A

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

DD

300V ，我

D

=10A

V

GS

=10V

R

L

=30

R

G

=10

V

DD

300V

I

D

=20A

V

GS

=10V

数据表

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）

参数

正向电压

*脉冲

符号

V

SD

*

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

1.5

单位

V

条件

I

s

= 20A ，V

GS

=0V

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2011.10 - Rev.A的

R6020ANZ

ⅵELECTRICAL

特性曲线

　

数据表

图1最高安全工作的Aera

100

P

W

=100us

40

35

漏电流：我

D

(A)

漏电流：我

D

(A)

10

P

W

= 10ms的

1

操作在此

面积有限

由R

DS （ ON）

TA = 25°C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

1000

漏源电压： V

DS

( V )

P

W

=1ms

30

25

20

图2 ：典型的输出特性（ Ⅰ ）

V

GS

=10V

V

GS

=8.0V

V

GS

=6.5V

漏电流：我

D

(A)

20

图3 ：典型的输出特性（ Ⅱ ）

TA = 25℃

脉冲

15

V

GS

=10V

V

GS

=8.0V

V

GS

=7.0V

V

GS

=5.5V

V

GS

=7.0V

V

GS

=6.0V

TA = 25℃

脉冲

V

GS

=6.5V

10

V

GS

=6.0V

V

GS

=5.0V

5

V

GS

= 4.5V

0

V

GS

=5.5V

15

10

5

0

0

10

20

30

40

50

漏源电压： V

DS

(V)

V

GS

=5.0V

V

GS

= 4.5V

0.1

0

1

2

3

4

5

漏源电压： V

DS

(V)

图4典型的传输特性

栅极阈值电压： V

GS （ TH）

(V)

100

V

DS

= 10V

脉冲

漏电流：我

D

(A)

10

T

a

=125℃

T

a

= 75℃

T

a

= 25℃

T

a

=

-25℃

6

图5栅极阈值电压

与通道温度

10

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （ ON）

(Ω)

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

图6静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

4

3

2

1

0

-50

V

GS

= 10V

脉冲

1

T

a

=125℃

T

a

= 75℃

T

a

= 25℃

T

a

=

-25℃

1

0.1

0.1

0.01

0

1

2

3

4

5

6

7

0

50

100

150

0.01

0.001

0.1

10

栅源电压： V

GS

(V)

通道温度：T已

ch

(°C)

漏电流：我

D

(A)

图7静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

0.5

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （ ON）

(Ω)

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （ ON）

(Ω)

Ta=25°C

脉冲

0.4

0.5

图8静态漏源导通状态

电阻与通道温度

100

V

GS

= 10V

脉冲

正向转移导纳：

| YFS | （ S）

图9正向转移导纳

与漏电流

V

DS

= 10V

脉冲

10

0.4

0.3

I

D

=20A

0.2

I

D

=10A

0.1

0.3

I

D

= 20A

1

0.2

I

D

= 10A

0.1

T

a

=125℃

T

a

= 75℃

T

a

= 25℃

T

a

=

-25℃

0.1

0.01

0

0

5

10

15

栅源电压： V

GS

(V)

0

-50

0

50

100

150

0.001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

通道温度：T已

ch

(°C)

漏电流：我

D

(A)

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2011.10 - Rev.A的

R6020ANZ

　

数据表

图10反向漏电流随

水稻源极 - 漏极电压

100

V

GS

= 0V

脉冲

源电流：我

S

(A)

10

T

a

=125℃

T

a

= 75℃

T

a

= 25℃

T

a

=

-25℃

电容：C （PF ）

1000

10000

图11典型的电容与

漏源电压

10

C

国际空间站

栅源电压： V

GS

(V)

图12动态输入特性

1

100

C

RSS

C

OSS

5

TA = 25℃

V

DD

= 300V

I

D

= 20A

R

G

= 10Ω

脉冲

0

0

10

20

30

40

50

60

70

0.1

10

TA = 25℃

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

0.01

0

0.5

1

1.5

源极 - 漏极电压： V

SD

(V)

1

0.01

0.1

1

10

100

1000

漏源电压： V

DS

(V)

总栅极电荷：Q

g

（ NC ）

图13反向恢复时间

vs.Reverse漏电流

1000

反向恢复时间：吨

rr

（纳秒）

10000

图14开关特性

切换时间： T（ NS ）

t

f

1000

t

D（关闭）

100

TA = 25℃

V

DD

= 300V

V

GS

= 10V

R

G

= 10Ω

脉冲

100

TA = 25℃

的di / dt = 100A / μs的

V

GS

= 0V

脉冲

10

0.1

1

10

100

10

t

r

1

0.01

0.1

1

t

D（上）

10

100

反向漏电流：我

DR

(A)

漏电流：我

D

(A)

图15归瞬态热电阻与脉冲宽度

10

NORMARIZED瞬态热

电阻： R（T ）

TA = 25°C

单脉冲： 1台

第r （ CH-A ）（ t）的=

½（t）×Rth（ch-a）

RTH （ CH-A ） = 27.3

° C / W

0.1

1

0.01

0.001

0.0001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

脉冲宽度： Pw的（ S）

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2011.10 - Rev.A的

R6020ANZ

测量电路

　

数据表

脉冲宽度

V

GS

I

D

R

L

D.U.T.

V

DS

V

GS

V

DS

50%

10%

10%

90%

50%

10%

90%

R

G

V

DD

t

D（上）

t

on

90%

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

V

G

V

GS

I

D

R

L

I

G（常量）。

R

G

D.U.T.

V

DD

V

DS

Q

g

V

GS

Q

gs

Q

gd

收费

图2-1栅极电荷测量电路

图2-2栅极电荷波形

V

GS

I

AS

L

V

DS

V

（ BR ） DSS

I

AS

V

DD

E

AS

=

1

2

L I

AS

2

D.U.T.

R

G

V

DD

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

- V

DD

图3-1雪崩测量电路

3-2雪崩波形

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