初步
RF2196
3V PCS线性功率放大器
2
典型应用
3V CDMA PCS手机
3V CDMA手机金伯利进程证书制度
3V TDMA /步态PCS手机
3 V CDMA 2000 PCS手机
扩频系统
- 便携式电池供电设备
2
功率放大器
产品说明
3.75
2
0.45
0.28
0.75
0.50
0.80
典型值
1
1
该RF2196是一种高功率，高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓工艺制造，
并已被设计用作最后的RF放大器
3V CDMA和CDMA2000手机以及其它
应用程序在1750MHz至1910MHz ，以波段。该
RF2196具有低功耗模式，以延长电池寿命
在低输出功率的条件。该包是一个
超小型4mmx4mm无铅塑料封装
擦屁股地。
3.75
+
1.60 4.00
12°
1.50 SQ
索引区3
3.20
4.00
1.00
0.90
0.75
0.65
注意事项：
1罩针脚是铅1 。
2
尺寸适用于镀金端子之间测量
0.10毫米和0.25毫米的终端小费。
0.05
0.00
尺寸（mm） 。
终端＃ 1标识符和终端编号约定
3 ，应符合JESD 95-1 SPP- 012 。终端＃1的详细信息
标识符是可选的，但必须位于该区域之内
表示。该标识符可以是一个模具或标记
功能。
4
5
引脚1和9的融合。
封装翘曲： 0.05最高。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
在RF
GND
封装形式： LCC ， 16引脚， 4x4的
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
35 ％的线性效率
低功耗模式（高达20dBm的）
55毫安空闲电流
NC
NC
14
8
RF OUT
1
VPD1 2
模式3
VPD2 4
5
GND
16
15
13
12 VCC1
11 VCC1
10 VCC
6
NC
7
RF OUT
GND
NC
9
订购信息
RF2196
RF2196 PCBA
3V PCS线性功率放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7625
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
冯A0 010518
2-203
RF2196
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
模式电压（V
模式
)
初步
等级
+8.0
+5.2
+4.2
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
湿气敏感度
+3.0
+10
-30到+110
-30至+150
修改JEDEC 2级
参数
高功率状态
(V
模式
低）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ，频率= 1850MHz到
1910MHz （除非另有规定）
1850
25
1910
27
-50
-63
29
35
-46
-62
<2 ： 1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
dBc的
dBc的
P
OUT
=29dBm
ACPR @ 1.25MHz的
ACPR @ 2.25MHz的
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
在80MHz偏移。
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2V至3V ，频率= 1850MHz到
1910MHz （除非另有规定）
-44
-56
10:1
6:1
-141
dBm / Hz计
低功耗状态
(V
模式
HIGH ）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
我最大
CC
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
1850
16
1910
20
-45
-60
20
160
<-50
<-60
2:1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
mA
dBc的
dBc的
16
-46
-58
10:1
6:1
P
OUT
= + 16dBm时（所有电流含税）
ACPR @ 1.25MHz的
ACPR @ 2.25MHz的
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
2-204
冯A0 010518
RF2196
针
1
2
3
功能
GND
VREG1
模式
VREG2
GND
NC
描述
该引脚内部接地到模具的标志。
初步
接口示意图
2
功率放大器
4
5
6
7
RF OUT
8
9
10
11
12
13
14
15
16
RF OUT
GND
VCC
VCC1
VCC1
NC
NC
NC
在RF
掉电控制第一阶段。稳压电源的扩增
费里的偏见。在掉电模式下， V
REG
和V
模式
需要是低
(<0.5V).
对于正常操作（高增益模式） ，V
模式
被设置为低电平。当设置
高电平，驱动器和最终被动态地缩放，以降低器件
大小，其结果，以减少空闲的电流。
掉电控制的第二阶段。稳压电源的
放大器的偏置。在掉电模式下， V
REG
和V
模式
需
LOW （ <0.5V ） 。
连接通过15nH电感接地平面。直流回用于第二
级的偏置电路。
该引脚没有内部粘接;因此，该引脚可以连接
到输出端7 ，连接到接地平面，或者不连接。轻微
输出匹配的调整可能需要由于杂散电容
PIN码。
RF输出和电源，用于最后阶段。这是无与伦比的同事
RF OUT
第二级的讲师输出。直流模块需要继
匹配元件。偏压可以经由平行的L-C提供
设置为谐振于1710MHz的工作频率，以1910MHz 。
偏见
选择电感器带有一个非常低的直流电阻是很重要的
网
1A的额定电流。可替换地，并联微带技术也
适用，提供非常低直流电阻。低频bypass-
ING需要稳定。
同7脚。
见第7脚。
该引脚内部接地到模具的标志。
供应偏置参考电路和控制电路。高频bypass-
荷兰国际集团可能是必要的。
电源的第一级和级间匹配。销11和12
应通过一个共同的跟踪，其中所述销与所述连接
印刷电路板。
同11脚。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN （引脚16）和VCC1引脚改善隔离（销11
和12）。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN （引脚16）和VCC1引脚改善隔离（销11
和12）。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN （引脚16）和VCC1引脚改善隔离（销11
和12）。
RF输入。外部15pF的电容串联，需要一个DC块。
此外，所示的匹配电路是必需的，以提高输入
VSWR 。
VCC1
15 pF的
在RF
3.6 pF的
GND1
从
BIAS
阶段
TL
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
2-206
冯A0 010518
初步
RF2196
3V PCS线性功率放大器
2
典型应用
3V CDMA PCS手机
3V CDMA手机金伯利进程证书制度
3V TDMA /步态PCS手机
3 V CDMA 2000 PCS手机
扩频系统
- 便携式电池供电设备
2
功率放大器
产品说明
3.75
2
0.45
0.28
0.75
0.50
0.80
典型值
1
1
该RF2196是一种高功率，高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓工艺制造，
并已被设计用作最后的RF放大器
3V CDMA和CDMA2000手机以及其它
应用程序在1750MHz至1910MHz ，以波段。该
RF2196具有低功耗模式，以延长电池寿命
在低输出功率的条件。该包是一个
超小型4mmx4mm无铅塑料封装
擦屁股地。
3.75
+
1.60 4.00
12°
1.50 SQ
索引区3
3.20
4.00
1.00
0.90
0.75
0.65
注意事项：
1罩针脚是铅1 。
2
尺寸适用于镀金端子之间测量
0.10毫米和0.25毫米的终端小费。
0.05
0.00
尺寸（mm） 。
终端＃ 1标识符和终端编号约定
3 ，应符合JESD 95-1 SPP- 012 。终端＃1的详细信息
标识符是可选的，但必须位于该区域之内
表示。该标识符可以是一个模具或标记
功能。
4
5
引脚1和9的融合。
封装翘曲： 0.05最高。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
在RF
GND
封装形式： LCC ， 16引脚， 4x4的
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
35 ％的线性效率
低功耗模式（高达20dBm的）
55毫安空闲电流
NC
NC
14
8
RF OUT
1
VPD1 2
模式3
VPD2 4
5
GND
16
15
13
12 VCC1
11 VCC1
10 VCC
6
NC
7
RF OUT
GND
NC
9
订购信息
RF2196
RF2196 PCBA
3V PCS线性功率放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7625
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
冯A0 010518
2-203
RF2196
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
模式电压（V
模式
)
初步
等级
+8.0
+5.2
+4.2
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
湿气敏感度
+3.0
+10
-30到+110
-30至+150
修改JEDEC 2级
参数
高功率状态
(V
模式
低）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ，频率= 1850MHz到
1910MHz （除非另有规定）
1850
25
1910
27
-50
-63
29
35
-46
-62
<2 ： 1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
dBc的
dBc的
P
OUT
=29dBm
ACPR @ 1.25MHz的
ACPR @ 2.25MHz的
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
在80MHz偏移。
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2V至3V ，频率= 1850MHz到
1910MHz （除非另有规定）
-44
-56
10:1
6:1
-141
dBm / Hz计
低功耗状态
(V
模式
HIGH ）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
我最大
CC
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
1850
16
1910
20
-45
-60
20
160
<-50
<-60
2:1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
mA
dBc的
dBc的
16
-46
-58
10:1
6:1
P
OUT
= + 16dBm时（所有电流含税）
ACPR @ 1.25MHz的
ACPR @ 2.25MHz的
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
2-204
冯A0 010518
RF2196
针
1
2
3
功能
GND
VREG1
模式
VREG2
GND
NC
描述
该引脚内部接地到模具的标志。
初步
接口示意图
2
功率放大器
4
5
6
7
RF OUT
8
9
10
11
12
13
14
15
16
RF OUT
GND
VCC
VCC1
VCC1
NC
NC
NC
在RF
掉电控制第一阶段。稳压电源的扩增
费里的偏见。在掉电模式下， V
REG
和V
模式
需要是低
(<0.5V).
对于正常操作（高增益模式） ，V
模式
被设置为低电平。当设置
高电平，驱动器和最终被动态地缩放，以降低器件
大小，其结果，以减少空闲的电流。
掉电控制的第二阶段。稳压电源的
放大器的偏置。在掉电模式下， V
REG
和V
模式
需
LOW （ <0.5V ） 。
连接通过15nH电感接地平面。直流回用于第二
级的偏置电路。
该引脚没有内部粘接;因此，该引脚可以连接
到输出端7 ，连接到接地平面，或者不连接。轻微
输出匹配的调整可能需要由于杂散电容
PIN码。
RF输出和电源，用于最后阶段。这是无与伦比的同事
RF OUT
第二级的讲师输出。直流模块需要继
匹配元件。偏压可以经由平行的L-C提供
设置为谐振于1710MHz的工作频率，以1910MHz 。
偏见
选择电感器带有一个非常低的直流电阻是很重要的
网
1A的额定电流。可替换地，并联微带技术也
适用，提供非常低直流电阻。低频bypass-
ING需要稳定。
同7脚。
见第7脚。
该引脚内部接地到模具的标志。
供应偏置参考电路和控制电路。高频bypass-
荷兰国际集团可能是必要的。
电源的第一级和级间匹配。销11和12
应通过一个共同的跟踪，其中所述销与所述连接
印刷电路板。
同11脚。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN （引脚16）和VCC1引脚改善隔离（销11
和12）。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN （引脚16）和VCC1引脚改善隔离（销11
和12）。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN （引脚16）和VCC1引脚改善隔离（销11
和12）。
RF输入。外部15pF的电容串联，需要一个DC块。
此外，所示的匹配电路是必需的，以提高输入
VSWR 。
VCC1
15 pF的
在RF
3.6 pF的
GND1
从
BIAS
阶段
TL
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
2-206
冯A0 010518
QQ：2881677436 复制
