R1LV1616R系列
16MB先进LPSRAM （ 1M wordx16bit / 2M wordx8bit ）
REJ03C0101-0300Z
Rev.3.00
2007.08.28
描述
该R1LV1616R系列是由16位组织为1048576字的低电压16兆位静态RAM中，
瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1LV1616R系列是适用于存储应用中一个简单的接口，电池的工作和
备用电池是重要的设计目标。
该R1LV1616R系列封装在一个52pin微型薄型小尺寸封装器件[ μTSOP / 10.79毫米X
10.49毫米同为0.4mm引脚间距] ，一个48PIN薄型小尺寸封装器件[ TSOP / 12毫米X 20毫米与引脚
0.5毫米间距]或48balls细间距球栅阵列[F - BGA / 7.5mmx8.5mm在0.75mm和6×8球间距
阵列。它给出了安装区域的压实的最佳解决方案的布线图案以及灵活性的印刷
电路板。
特点
单2.7-3.6V电源
小待机电流： （ 3.0V ，典型值） 2μA
数据保持电源电压= 2.0V
没有时钟，没有刷新
所有输入和输出为TTL兼容
通过CS1 ＃ ， CS2 ， LB ＃和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE＃防止数据冲突的I / O总线上
工艺技术： 0.15um CMOS
REJ03C0101-0300Z Rev.3.00 2007.08.28
分页： 15 1
R1LV1616R系列
订购信息
型号
R1LV1616RSD-5S%
R1LV1616RSD-7S%
R1LV1616RSD-8S%
R1LV1616RBG-5S%
R1LV1616RBG-7S%
R1LV1616RBG-8S%
R1LV1616RSA-5S%
R1LV1616RSA-7S%
R1LV1616RSA-8S%
存取时间
55纳秒（ Note0 ）
70纳秒
85纳秒
55纳秒（ Note0 ）
70纳秒
85纳秒
55纳秒（ Note0 ）
70纳秒
85纳秒
包
350万52引脚塑料μ - TSOP （ II ）
（正常弯曲型） （ 52PTG ）
7.5mmx8.5mm F- BGA 0.75毫米间距48ball
12毫米X 20毫米塑料TSOP （ I）
（正常弯曲型） （ 48P3R ）
Note0
.
55ns份可在输入的定时限制朝向的SRAM的条件下得到支持
客户的系统。请联系我们的销售办公室在您所在的地区，如研讯为55ns部分。
％ - 温度版本;见下面的表
%
R
I
温度范围
0 ~ +70 C
-40 ~ +85 C
REJ03C0101-0300Z Rev.3.00 2007.08.28
分页： 15 2
R1LV1616R系列
管脚配置
52针μTSOP
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
CS1#
WE＃
NC
NC
VCC
CS2
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
A16
BYTE ＃
UB ＃
VSS
磅＃
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
NC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
NC
A0
48引脚FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
磅＃
2
OE ＃
3
A0
A3
A5
A17
VSS
or
NC
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS1#
6
CS2
DQ0
DQ15
UB ＃
DQ13
DQ14
DQ1
DQ2
VSS
VCC
DQ10
DQ12
DQ3
VCC
VSS
DQ5
DQ11
DQ4
DQ9
A19
A8
A14
A12
A9
DQ6
DQ8
WE＃
A11
DQ7
A18
北卡罗来纳州
48针TSOP
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE＃
CS2
NC
UB ＃
磅＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CS1#
A0
REJ03C0101-0300Z Rev.3.00 2007.08.28
第15 3
R1LV1616R系列
引脚说明
引脚名称
A0到A19
DQ 0到DQ15
CS1 ＃ &CS2
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
VCC
VSS
BYTE ＃
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
电源
地
字节（ x8模式）使能输入
无连接
框图
感测放大器。
DQ0
数据选择器
产量
卜FF器
地址缓冲器
A0
存储阵列
解码器
感测放大器。
A19
CS2
CS1#
磅＃
UB ＃
BYTE ＃
WE＃
OE ＃
产量
卜FF器
1048576字
X 16位
OR
2097152字
X 8位
时钟
发电机
DQ7
DQ8
DQ15
/ A-1
数据选择器
数据输入
卜FF器
VCC
VSS
注。 BYTE ＃引脚只有TSOP和uTSOP类型支持。
REJ03C0101-0300Z Rev.3.00 2007.08.28
第15 4
数据输入
卜FF器
x8/x16
开关
电路
R1LV1616R系列
手术台
CS1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃
X
X
H
H
H
X
H
H
H
H
L
L
磅＃
X
X
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
UB ＃
X
X
H
H
H
X
L
L
L
L
L
L
WE＃
X
X
X
L
H
H
L
H
L
H
L
H
OE ＃
X
X
X
X
L
H
X
L
X
L
X
L
DQ0-7
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
DQ8-14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DQ15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
A-1
A-1
手术
支持
支持
支持
写低字节
读低字节
输出禁用
写在高位字节
从高字节读取
写
读
写
读
注意事项1. H： VIH L： VIL X： VIH或VIL
2. BYTE ＃引脚只有TSOP和uTSOP类型支持。当应用BYTE ＃ = “ L” ，请指定LB ＃ = UB ＃ = “ L” 。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相端电压toVss
功耗
工作温度
储存温度
下偏置存储温度范围
符号
VCC
V
T
P
T
版本。
TOPR
我版本。
TSTG
版本。
Tbias
我版本。
价值
-0.5到+4.6
-0.5*
1
到Vcc + 0.3 *
2
0.7
0至+70
-40至+85
-65到+150
0至+70
-40至+85
单位
V
V
W
C
C
C
C
C
注1： -2.0V的情况下， AC（脉冲宽度
≤
30ns)
2.最大电压为+ 4.6V
REJ03C0101-0300Z Rev.3.00 2007.08.28
第15个5
R1LV1616R系列
16MB superSRAM （ 1M wordx16bit ）
REJ03C0101-0100Z
Rev.1.00
2004.04.13
描述
该R1LV1616R系列是由16位组织为1048576字的低电压16兆位静态RAM中，
瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1LV1616R系列是适用于存储应用中一个简单的接口，电池的工作和
备用电池是重要的设计目标。
该R1LV1616R系列封装在一个52pin微型薄型小尺寸封装器件[ μTSOP / 10.79毫米X
10.49毫米与销间距0.4毫米杂志或48balls精细间距球栅阵列并[f -BGA / 7.5mmx8.5mm与球间距
为0.75mm和6×8阵列。它给出了安装区域的压实的最佳解决方案的布线以及灵活性
印刷电路板的图案。
特点
单2.7-3.6V电源
小待机电流： （ 3.0V ，典型值） 2μA
数据保持电源电压= 2.0V
没有时钟，没有刷新
所有输入和输出为TTL兼容
通过CS1 ＃ ， CS2 ， LB ＃和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE＃防止数据冲突的I / O总线上
工艺技术： 0.15um CMOS
Rev.1.00
2004.04.13
第16页1
R1LV1616R系列
订购信息
型号
R1LV1616RSD-7S%
R1LV1616RSD-8S%
R1LV1616RBG-7S%
R1LV1616RBG-8S%
存取时间
70纳秒
85纳秒
70纳秒
7.5mmx8.5mm F- BGA 0.75毫米间距48ball
85纳秒
包
350万52引脚塑料μ - TSOP （ II ）
（正常弯曲型） （ 52PTG ）
％ - 温度版本;见下面的表
%
R
W
I
温度范围
0 ~ +70 C
-20 ~ +85 C
-40 ~ +85 C
Rev.1.00
2004.04.13
第16页2
R1LV1616R系列
手术台
CS1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃
X
X
H
H
H
X
H
H
H
H
L
L
磅＃
X
X
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
UB ＃
X
X
H
H
H
X
L
L
L
L
L
L
WE＃
X
X
X
L
H
H
L
H
L
H
L
H
OE ＃
X
X
X
X
L
H
X
L
X
L
X
L
DQ0-7
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
DQ8-14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DQ15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
A-1
A-1
手术
支持
支持
支持
写低字节
读低字节
输出禁用
写在高位字节
从高字节读取
写
读
写
读
注意事项1. H： VIH L： VIL X： VIH或VIL
2. BYTE ＃引脚只有TSOP类型的支持。当应用BYTE ＃ = “ L” ，请指定LB ＃ = UB ＃ = “ L” 。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相端电压toVss
功耗
符号
VCC
V
T
P
T
版本。
价值
-0.5到+4.6
-0.5*
1
到Vcc + 0.3 *
2
0.7
0至+70
-20至+85
-40至+85
-65到+150
版本。
0至+70
-20至+85
-40至+85
单位
V
V
W
C
C
C
C
C
C
C
工作温度
TOPR
W版本。
我版本。
储存温度
TSTG
下偏置存储温度范围
Tbias
W版本。
我版本。
注1： -2.0V的情况下， AC（脉冲宽度
≤
30ns)
2.最大电压为+ 4.6V
Rev.1.00
2004.04.13
第16页5
R1LV1616RBA-5SI
16MB先进LPSRAM （ 1M wordx16bit / 2M wordx8bit ）
REJ03C0340-0001
Rev.0.01
2007.10.31
描述
该R1LV1616R系列是由16位组织为1048576字的低电压16兆位静态RAM中，
瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1LV1616R系列是适用于存储应用中一个简单的接口，电池的工作和
备用电池是重要的设计目标。
该R1LV1616RBA系列封装在一个48balls晶圆级芯片尺寸封装[ WL- CSP / 5.62毫米X 5.84毫米
与球间距的0.55毫米和0.79毫米的高度。它给出了安装区域的压实的最佳解决方案
以及印刷电路板的布线图案的灵活性。
特点
单2.7-3.6V电源
小待机电流： （ 3.0V ，典型值） 2μA
数据保持电源电压= 2.0V
没有时钟，没有刷新
所有输入和输出为TTL兼容
通过CS1 ＃ ， CS2 ， LB ＃和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE＃防止数据冲突的I / O总线上
工艺技术： 0.15um CMOS
REJ03C0340-0001 Rev.0.01 2007.10.31
第14页1
R1LV1616RBA系列
订购信息
型号
R1LV1616RBA-5SI
存取时间
55纳秒
包
5.62mmx5.84mm WL -CSP与0.55毫米间距48balls
管脚配置
48引脚WL- CSP （底视图）
6
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
CS1#
5
A4
A5
A6
A7
A8
CS2
A9
A10
4
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
3
BYTE ＃
2
1
瑞银LB ＃
DQ7
DQ15/
A-1
DQ14
WE＃
DQ5
DQ13
DQ6
VCC
VSS
A1
A2
A3
DQ4
DQ12
VSS
VCC
DQ2
VSS
DQ9
DQ11
DQ10
DQ8
DQ3
OE ＃
A19
DQ1
DQ0
REJ03C0340-0001 Rev.0.01 2007.10.31
第14页2
R1LV1616RBA系列
引脚说明
引脚名称
A0到A19
DQ 0到DQ15
CS1 ＃ &CS2
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
VCC
VSS
BYTE ＃
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
电源
地
字节（ x8模式）使能输入
无连接
框图
感测放大器。
DQ0
数据选择器
产量
卜FF器
地址缓冲器
A0
存储阵列
解码器
感测放大器。
A19
CS2
CS1#
磅＃
UB ＃
BYTE ＃
WE＃
OE ＃
产量
卜FF器
1048576字
X 16位
OR
2097152字
X 8位
时钟
发电机
DQ7
DQ8
DQ15
/ A-1
数据选择器
数据输入
卜FF器
VCC
VSS
REJ03C0340-0001 Rev.0.01 2007.10.31
第14页3
数据输入
卜FF器
x8/x16
开关
电路
R1LV1616RBA系列
手术台
CS1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃
X
X
H
H
H
X
H
H
H
H
L
L
磅＃
X
X
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
UB ＃
X
X
H
H
H
X
L
L
L
L
L
L
WE＃
X
X
X
L
H
H
L
H
L
H
L
H
OE ＃
X
X
X
X
L
H
X
L
X
L
X
L
DQ0-7
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
DQ8-14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DQ15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
A-1
A-1
手术
支持
支持
支持
写低字节
读低字节
输出禁用
写在高位字节
从高字节读取
写
读
写
读
注意事项1. H： VIH L： VIL X： VIH或VIL
2.当应用BYTE ＃ = “ L” ，请指定LB ＃ = UB ＃ = “ L” 。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相端电压toVss
功耗
工作温度
储存温度
下偏置存储温度范围
符号
VCC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+4.6
-0.5*
1
到Vcc + 0.3 *
2
0.7
-40至+85
-65到+150
-40至+85
单位
V
V
W
C
C
C
注1： -2.0V的情况下， AC（脉冲宽度
≤
30ns)
2.最大电压为+ 4.6V
REJ03C0340-0001 Rev.0.01 2007.10.31
第14页4
R1LV1616RBA系列
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
环境温度范围
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
Ta
分钟。
2.7
0
2.4
-0.2
-40
典型值。
3.0
0
-
-
-
马克斯。
3.6
0
Vcc+0.2
0.4
+85
单位
V
V
V
V
C
记
1
2
注1： -2.0V的情况下， AC（脉冲宽度
≤
30ns)
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
|I
LI
|
|I
Lo
|
分钟。
-
-
典型值。
*1
-
-
马克斯。
1
1
单位
A
A
测试条件
*2
VIN = VSS到Vcc
CS1 ＃ = V
IH或
CS2=V
IL或
OE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IL
or
LB ＃ = UB ＃ = V
IH ，
V
I / O
= VSS到Vcc
分钟。周期，占空比= 100 ％
I
I / O
= 0 mA时， CS1 ＃ = V
IL
,
CS2=V
IH
其他= V
IH
/ V
IL
周期时间= 1微秒，
I
I / O
= 0 mA时，
CS1 ＃ ≤ 0.2V ， CS2
≥
V
CC
-0.2V
V
IH
≥
V
CC
-0.2V , V
IL
≤
0.2V,
duty=100%
CS2=V
IL
~+25C
V在
≥
0V
~+40C
~+70C
~+85C
（1） 0V≤CS2≤0.2V或
（2） CS2≥Vcc - 0.2V ，
CS1#
≥Vcc-0.2V
or
（ 3 ） LB ＃ = UB ＃
≥Vcc-0.2V,
CS2≥Vcc-0.2V,
CS1#
≤0.2V
平均值
ICC
1
平均开工
当前
-
25
40
mA
ICC
2
待机电流
-
2
5
mA
I
SB
-
-
-
0.1
2
4
-
-
-
-
0.3
6
12
25
40
-
0.4
mA
A
A
A
A
V
V
待机电流
I
SB1
-
-
输出通断电压
输出低电压
V
OH
V
OL
2.4
-
I
OH
= -1mA
I
OL
= 2毫安
注1：典型参数指示分布在3.0V （ TA = 25的中心价值
C
） ，而不是100 ％测试。
2. BYTE ＃
≥
VCC- 0.2V或BYTE ＃
≤
0.2V
REJ03C0340-0001 Rev.0.01 2007.10.31
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