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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第435页 > RB451F
RB451F
二极管
肖特基二极管
RB451F
!
应用
低功耗整改
!
外形尺寸
（单位：毫米）
2.0
±
0.2
1.3
±
0.1
0.9
±
0.1
0.3
0.6
0.3
±
0.1
0.15
±
0.05
（所有的引脚具有相同的尺寸）
!
施工
硅外延平面
ROHM ： UMD3
EIAJ ： SC - 70
JEDEC ： SOT - 323
!
电路
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
峰值反向电压
采用直流反接电压
意思是整流电流
峰值正向浪涌电流
结温
储存温度
60HZ 1
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
TSTG
范围
40
40
0.1
1
125
40
~
+125
单位
V
V
A
A
°C
°C
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
符号
V
F1
V
F2
I
R
C
T
分钟。
典型值。
6.0
马克斯。
0.55
0.34
30
单位
V
V
A
pF
I
F
=100mA
I
F
=10mA
V
R
=10V
条件
V
R
=10V,
f=1MHz
注） ESD敏感产品处理要求。
0.1Min.
3C
!
特点
1 ）小型表面安装型。 （ UMD3 ）
2 ）低V
F
. (V
F
= 0.45V典型值。在100mA时）
3）高可靠性。
0.65
0.65
1.25
±
0.1
2.1
±
0.1
0
~
0.1
RB451F
二极管
!
电气特性曲线
（ TA = 25°C ）
典型值。
脉冲测量
反向电流：我
R
(A)
典型值。
脉冲测量
Ta=125°C
100m
1m
电容之间端子：C
T
（PF ）
1
10m
100
正向电流：我
F
(A)
10
10m
100
75°C
Ta
25
°
C
°
C
75
1m
=
1
2
°
C
5
°
C
10
2
5
1
25°C
1
100
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
0.1
0
5
10
15
20
25
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
反向电压： V
R
(V)
图。 1正向特性
图。 2反向特性
图。 3间电容
终端特性
100
io的电流（ ％）
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
环境温度： TA（
°C)
图。 4降额曲线
（安装在玻璃环氧树脂印刷电路板）
SMD型
肖特基二极管
RB451F
二极管
特点
小型表面安装型。 （ UMD3 ）
低V
F
. (V
F
= 0.45V典型值。在100mA时）
高可靠性。
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
P·E A K重; V。E RS电子V LTA克é
D C重; V。E RS电子V LTA克é
M E A N重 tify在克碳④此吨
P·E A K FO RW一个RD的SuI RG权证④此T *
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
* 6 0 H FO ，R 1
S YM BOL
V
RM
V
R
I
O
I
F S M
T
j
T
s TG
L IM其
40
40
0 .1
1
125
-4 0至+ 1 2 5
加利IT
V
V
A
A
电气特性TA = 25
参数
正向电压
反向电流
终端之间Capacitence
符号
V
F
I
R
C
T
条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安
V
R
=10 V
V
R
= 10 V ， F = 1MHz的
6.0
民
典型值
最大
0.55
0.34
30
A
pF
单位
V
记号
记号
3C
www.kexin.com.cn
1
RB451F
二极管
肖特基势垒二极管
RB451F
应用
低电流整流
外形尺寸
（单位：毫米）
铅尺寸图
（单位：毫米）
1.3
2.0±0.2
0.3±0.1
各リードとも
每根导线具有相同的尺寸
同寸法
(3)
1.25±0.1
2.1±0.1
特点
1 ）小型模具类型。 （ UMD3 ）
2 ）低V
F
3）高可靠性。
(2)
0.65
0.9MIN.
0.8MIN
0½0.1
0.1Min
(1)
（0.65）
0.7±0.1
0.9±0.1
UMD3
施工
硅外延刨床
（0.65）
1.3±0.1
结构
ROHM ： UMD3
JEDEC ： SOT- 323
JEITA ： SC- 70
点（年周厂）
大坪尺寸
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
0.3±0.1
1.75±0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
2.4±0.1
5.5±0.2
2.25±0.1
　　　　 0
4.0±0.1
φ0.5±0.05
0½0.1
2.4±0.1
1.25±0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压（重复峰值）
反向电压（DC）的
平均正向电流整流
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹· 1cyc ）
结温
存储Temperatue
符号
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
40
40
100
1
125
-40到+125
单位
V
V
mA
A
℃
℃
电气特性
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
符号
V
F
1
V
F
2
I
R
Ct
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
6.0
马克斯。
0.55
0.34
30
-
单位
V
V
A
pF
条件
I
F
=100mA
I
F
=10mA
V
R
=10V
V
R
= 10V ， F = 1MHz的
REV.B
1.6
0.15±0.05
1/3
RB451F
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
100
10000
Ta=125℃
Ta=125℃
100
f=1MHz
正向电流IF （MA ）
反向电流： IR （ UA）
10
Ta=75℃
Ta=75℃
100
10
1
Ta=-25℃
Ta=25℃
1
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
1000
10
0.1
0.1
0.01
0.01
0
100
200
300
400
500
600
1
0
5
10 15 20 25
30
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
35
0
10
20
30
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
470
正向电压VF （MV ）
正向电压VF （MV ）
310
300
290
280
270
AVE ： 281.5mV
30
反向电流： IR （ UA）
Ta=25℃
IF=10mA
n=30pcs
460
450
440
430
AVE ： 439.5mV
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
25
20
15
10
5
0
AVE ： 0.928uA
Ta=25℃
VR=10V
n=10pcs
420
260
VF色散图
VF色散图
IR色散图
20
20
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
30
IFSM
1cyc
8.3ms
18
之间的电容
端子的CT （PF ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
CT色散图
Ta=25℃
f=1MHz
VR=10V
n=10pcs
RESERVE恢复时间： TRR （ NS ）
25
20
15
10
5
15
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
10
5
AVE ： 5.50A
0
IFSM DISRESION地图
AVE ： 5.81pF
AVE ： 6.20ns
0
TRR色散图
15
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
15
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
t
1000
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
Rth的第（j-一）
10
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
时间
5
5
10
1ms
300us
0
0.1
1
10
周期数
IFSM周期特征
100
0
0.1
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
1
10
100
1
0.001
10
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
REV.B
2/3
RB451F
二极管
0.1
0.08
0.07
0.3
平均整流
正向电流IO（ A）
0.06
0.25
0.2
0.15
D=1/2
0.1
0.05
0
Sin(θ＝180)
DC
反向功率
耗散：P
R
(W)
前进动力
耗散：PF （ W）
DC
D=1/2
Sin(θ＝180)
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
0.05
0.04
Sin(θ＝180)
0.03
0.02
0.01
0
DC
D=1/2
0.06
0.04
0.02
0
0
0.1
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
0.2
0
10
20
30
0
反向电压VR （ V）
VR -P
R
特征
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线（ IO- Ta）的
125
0.3
平均整流
正向电流IO（ A）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
25
DC
D=1/2
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
Sin(θ＝180)
50
75
100
125
北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）
降额曲线（IO -TC）
REV.B
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
数据表
肖特基二极管
RB451F
■应用
低电流整流
尺寸
（单位：毫米）
Land
尺寸图
（单位：毫米）
1.3
2.0±0.2
0.3± 0.1
各リ ード とも
每根导线具有相同的尺寸
同寸 法
(3)
0.65
0.9MIN.
■特点
1 ）小型模具类型。 （ UMD3 ）
2 ）低V
F
3）高可靠性。
1.25±0.1
2.1±0.1
0.8MIN
0½0.1
0.1Min
(2)
（0.65）
（ 0.65）
(1)
UMD3
1.3±0.1
0.7± 0.1
0.9± 0.1
建筑
硅外延刨床
ROHM ： UMD3
JEDEC ： SOT- 323
JEITA ： SC- 70
点（年周厂）
Structure
盘带
特定网络阳离子
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
0.3±0.1
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
2.4±0.1
5.5±0.2
2.25±0.1
　　　　 0
4.0±0.1
φ0.5±0.05
0½0.1
2.4±0.1
1.25±0.1
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压（重复峰值）
反向电压（DC）的
平均正向电流整流
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹· 1cyc ）
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
40
40
100
1
125
40
to
125
单位
V
V
mA
A
°C
°C
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
符号
V
F
1
V
F
2
I
R
Ct
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
6.0
马克斯。
0.55
0.34
30
-
单位
V
V
μA
pF
条件
I
F
=100mA
I
F
=10mA
V
R
=10V
V
R
= 10V ， F = 1MHz的
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
1/3
2011.04 - Rev.B的
1.6
0.15± 0.05
RB451F
数据表
100
10000
Ta=125℃
Ta=125℃
100
f=1MHz
正向电流IF （MA ）
反向电流： IR （ UA）
10
Ta=75℃
Ta=75℃
100
10
1
Ta=-25℃
0.1
0.01
Ta=25℃
1
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
1000
10
0.1
0.01
0
100
200
300
400
500
600
1
0
5
10
15
20
25
30
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
35
0
10
20
30
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
470
310
30
反向电流： IR （ UA）
Ta=25℃
IF=10mA
n=30pcs
正向电压VF （MV ）
正向电压VF （MV ）
460
450
440
430
AVE ： 439.5mV
420
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
300
290
280
270
AVE ： 281.5mV
260
25
20
15
10
5
0
AVE ： 0.928uA
Ta=25℃
VR=10V
n=10pcs
VF色散图
VF色散图
IR色散图
20
20
30
反向恢复时间： TRR （ NS ）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
18
之间的电容
端子的CT （PF ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Ta=25℃
f=1MHz
VR=10V
n=10pcs
IFSM
15
1cyc
8.3ms
25
20
15
10
5
AVE ： 6.20ns
0
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
10
5
AVE ： 5.50A
0
AVE ： 5.81pF
CT色散图
IFSM DISRESION地图
TRR色散图
15
15
IFSM
1000
IFSM
t
10
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
Rth的第（j-一）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
5
5
10
IM=10mA
时间
IF=100mA
1ms
300us
0
0.1
1
10
周期数
IFSM周期特征
100
0
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
1
0.001
10
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
2/3
2011.04 - Rev.B的
RB451F
数据表
0.1
0.08
0.07
0.3
平均整流
正向电流IO（ A）
0.06
0.25
0.2
0.15
D=1/2
0.1
0.05
0
Sin(θ＝180)
DC
反向功率
耗散：P
R
(W)
前进动力
耗散：PF （ W）
DC
D=1/2
Sin(θ＝180)
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
0.05
0.04
Sin(θ＝180)
0.03
0.02
0.01
0
DC
D=1/2
0.06
0.04
0.02
0
0
0.1
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
0.2
0
10
20
30
0
反向电压VR （ V）
VR -P
R
特征
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线（ IO- Ta）的
125
0.3
平均整流
正向电流IO（ A）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
25
DC
D=1/2
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
Sin(θ＝180)
50
75
100
125
北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）
降额曲线（IO -TC）
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
3/3
2011.04 - Rev.B的
通告
笔记
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ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
R1120A
产品speci fi cation
RB451F
特点
小型表面安装型。 （ UMD3 ）
低V
F
. (V
F
= 0.45V典型值。在100mA时）
高可靠性。
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
P·E A K重; V。E RS电子V LTA克é
D C重; V。E RS电子V LTA克é
M E A N重 tify在克碳④此吨
P·E A K FO RW一个RD的SuI RG权证④此T *
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
* 6 0 H FO ，R 1
S YM BOL
V
RM
V
R
I
O
I
F S M
T
j
T
s TG
L IM其
40
40
0 .1
1
125
-4 0至+ 1 2 5
加利IT
V
V
A
A
电气特性TA = 25
参数
正向电压
反向电流
终端之间Capacitence
符号
V
F
I
R
C
T
条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安
V
R
=10 V
V
R
= 10 V ， F = 1MHz的
6.0
民
典型值
最大
0.55
0.34
30
A
pF
单位
V
记号
记号
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