【硅射频功率半导体静电敏感器件观察处理注意事项RA30H1317M1框图23符合RoHS指令，135-】,IC型号RA30H1317M1-201,RA30H1317M1-201 PDF资料,RA30H1317M1-201经销商,ic,电子元器件-51电子网

硅射频功率半导体

静电敏感器件

观察处理注意事项

RA30H1317M1

框图

2

3

符合RoHS指令，

135-175MHz 30W 12.5V 2级放大器。对于移动电

描述

该RA30H1317M1是一个30瓦的射频MOSFET放大器

模块为12.5伏工作于135-到移动无线电

175 - MHz范围内。

电池可以直接连接到的漏电

增强型MOSFET晶体管。的输出功率和

漏电流增加为栅极电压增加。与栅

周围3.5V （最低），输出功率和漏电流电压

大幅增加。标称输出功率变

可在4V （典型值）和5V （最大）。在V

GG

= 5V时，

典型栅极电流为1毫安。

这个模块是专为非线性调频调制。

特点

增强型MOSFET晶体管

(I

DD

0

@ V

DD

=12.5V, V

GG

=0V)

P

OUT

>30W,

η

T

>40 ％@ V

DD

=12.5V, V

GG

= 5V ，P

in

=50mW

宽带频率范围： 135-175MHz

低功耗控制电流I

GG

= 1mA（典型值），在V

GG

=5V

模块尺寸： 67 X 19.4 X 9.9毫米

1

4

5

1

2

3

4

5

RF输入（P

in

)

栅极电压（V

GG

），功率控制

漏极电压（V

DD

），电池

RF输出（P

OUT

)

射频接地（CASE ）

封装代码： H2M

符合RoHS标准

RA30H1317M1-201是符合RoHS标准的产品。

符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。

本产品包括铅在电子部件的玻璃和

铅在电子陶瓷部件。

如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。

1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及

日光灯管。

2.Lead电子陶瓷部件。

订货信息：

订单号

RA30H1317M1-201

供货形式

防静电托盘，

10个模块/托盘

RA30H1317M1

2010年6月24日

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静电敏感器件

观察处理注意事项

硅射频功率半导体

符合RoHS标准

RA30H1317M1

最大额定值

(T

例

= + 25 ℃，除非另有规定）

符号参数

V

DD

V

GG

P

in

P

OUT

T

案例（ OP ）

T

英镑

漏极电压

栅极电压

输入功率

输出功率

操作外壳温度范围

存储温度范围

F = 135-175MHz ，V

GG

<5V

条件

V

GG

<5V ，Z

G

=Z

L

=50

V

DD

<12.5V ，P

in

= 50mW的，Z

G

=Z

L

=50

等级

17

6

100

45

-30到+100

-40到+110

单位

V

mW

W

°C

上述参数是独立保证。

电气特性

(T

例

= + 25 ° C，Z

G

=Z

L

= 50Ω ，除非另有规定）

符号参数

f

P

OUT

η

T

2f

o

3f

o

ρ

in

I

GG

—

频带

输出功率

总有效率

2

nd

rd

条件

民

135

30

40

典型值

-

最大

175

-

-35

-45

3:1

1

单位

兆赫

W

%

dBc的

—

mA

—

谐波

V

DD

=12.5V,V

GG

=5V,P

in

=50mW

-

3谐波

输入VSWR

漏电流

稳定性

负载VSWR容差

V

DD

=12.5V,V

GG

=0V,P

in

=0W

V

DD

= 10.0-15.2V ，P

in

=25-70mW,

P

OUT

<30W （V

GG

控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的

V

DD

= 15.2V ，P

in

= 50毫瓦，P

OUT

= 30W （V

GG

控制），

负载电压驻波比= 20 ：1的

-

无寄生振荡

超过-60dBc

没有退化或破坏

所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。

RA30H1317M1

2010年6月24日

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观察处理注意事项

硅射频功率半导体

符合RoHS标准

RA30H1317M1

典型性能

(T

例

= + 25 ° C，Z

G

=Z

L

= 50Ω ，除非另有规定）

输出功率，总有效率，

和输入VSWR与频率的关系

50

45

40

输出功率P

OUT

(W)

输入VSWR

ρ

in

(-)

35

30

25

20

15

10

5

0

130

140

150

160

170

频率f（ MHz）的

ρ

in

V

DD

=12.5V

V

GG

=5V

P

in

=50mW

η

½

P

OUT

100

90

80

60

50

40

30

20

10

0

180

谐波（ DBC）

2

nd

, 3

rd

谐波与频率的关系

-20

-25

总有效率

η

t

(%)

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

-65

-70

130

140

150

160

170

180

频率f（ MHz）的

V

DD

=12.5V

V

GG

=5V

P

in

=50mW

70

2

nd

3

rd

输出功率，功率增益和

漏极电流与输入功率

50

45

输出功率P

OUT

（ dBm的）

40

功率增益G

p

（ dB）的

35

30

25

20

15

10

5

0

-10

-5

0

5

10

15

20

输入功率P

in

（ dBm的）

输出功率，功率增益和

漏极电流与输入功率

50

45

输出功率P

OUT

（ dBm的）

40

功率增益G

p

（ dB）的

35

30

25

20

15

10

5

0

-10

-5

0

5

10

15

20

输入功率P

in

（ dBm的）

I

DD

f=175MHz

V

DD

=12.5V

V

GG

=5V

G

p

P

OUT

10

9

8

漏电流I

DD

(A)

7

6

5

4

3

2

1

0

I

DD

f=135MHz

V

DD

=12.5V

V

GG

=5V

G

p

P

OUT

10

9

输出功率P

OUT

（ dBm的）

8

漏电流I

DD

(A)

7

6

5

4

3

2

1

0

功率增益G

p

（ dB）的

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

-10

输出功率，功率增益和

漏极电流与输入功率

10

P

OUT

G

p

9

8

漏电流I

DD

(A)

7

6

5

I

DD

f=155MHz

V

DD

=12.5V

V

GG

=5V

-5

0

5

10

15

20

4

3

2

1

0

输入功率P

in

（ dBm的）

RA30H1317M1

2010年6月24日

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观察处理注意事项

硅射频功率半导体

符合RoHS标准

RA30H1317M1

典型性能

(T

例

= + 25 ° C，Z

G

=Z

L

= 50Ω ，除非另有规定）

输出功率和漏电流

与漏极电压

50

45

40

输出功率P

OUT

(W)

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

10

12

14

漏极电压V

DD

(V)

I

DD

f=135MHz

V

GG

=5V

P

in

=50mW

10

P

OUT

9

8

输出功率P

OUT

(W)

漏电流I

DD

(A)

7

6

5

4

3

2

1

0

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

2

输出功率和漏电流

与漏极电压

f=155MHz

V

GG

=5V

P

in

=50mW

10

P

OUT

9

8

7

I

DD

6

5

4

3

2

1

0

4

6

8

10

12

14

漏极电压V

DD

(V)

漏电流I

DD

(A)

输出功率和漏电流

与漏极电压

50

45

40

输出功率P

OUT

(W)

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

10

12

14

漏极电压V

DD

(V)

I

DD

f=175MHz

V

GG

=5V

P

in

=50mW

10

P

OUT

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

漏电流I

DD

(A)

RA30H1317M1

2010年6月24日

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观察处理注意事项

硅射频功率半导体

符合RoHS标准

RA30H1317M1

典型性能

(T

例

= + 25 ° C，Z

G

=Z

L

= 50Ω ，除非另有规定）

输出功率和漏电流

与栅极电压

50

45

40

输出功率P

OUT

(W)

35

30

25

20

15

10

5

0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

栅极电压V

GG

(V)

f=135MHz

V

DD

=12.5V

P

in

=50mW

P

OUT

10

9

8

输出功率P

OUT

(W)

漏电流I

DD

(A)

7

I

DD

6

5

4

3

2

1

0

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

2.5

输出功率和漏电流

与栅极电压

10

f=155MHz

V

DD

=12.5V

P

in

=50mW

P

OUT

9

8

7

6

I

DD

5

4

3

2

1

0

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

栅极电压V

GG

(V)

漏电流I

DD

(A)

输出功率和漏电流

与栅极电压

50

45

40

输出功率P

OUT

(W)

35

30

25

20

15

10

5

0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

栅极电压V

GG

(V)

f=175MHz

V

DD

=12.5V

P

in

=50mW

P

OUT

10

9

8

7

I

DD

6

5

4

3

2

1

0

漏电流I

DD

(A)

RA30H1317M1

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