硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA45H4045MR
框图
符合RoHS指令，
400-450MHz 45W 12.5V ， 3级放大器。对于移动电
描述
该RA45H4045MR是一个45瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于400-到移动无线电
450 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>45W,
η
T
>35 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 400-450MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 66 ×21× 9.88毫米
反向PIN型
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2RS
符合RoHS标准
RA45H4045MR - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA45H4045MR-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA45H4045M
2010年6月25日
1/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA45H4045MR
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
f=400-450MHz,
Z
G
=Z
L
=50
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
等级
17
6
100
55
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
以上的参数被独立地保证
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
400
45
典型值
-
-
-
-
-
1
最大
450
-
-
-25
3:1
-
单位
兆赫
W
%
dBc的
—
mA
—
—
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
35
-
-
-
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<55W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 45W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有的参数，条件，评分和限制如有变更，恕不另行通知
RA45H4045MR
2010年6月25日
2/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA45H4045MR
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率，
和输入VSWR与频率的关系
80
输出功率P
OUT
(W)
70
输入VSWR
ρ
in
(-)
60
50
40
30
20
10
ρ
in
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
P
OUT
2
nd
， 3次谐波与频率的关系
-20
谐波（ DBC）
-30
-40
-50
-60
-70
390
2
nd
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
rd
80
70
总有效率
η
T
(%)
60
50
η
T
40
30
20
10
3
rd
0
0
390 400 410 420 430 440 450 460
频率f（ MHz）的
400
410 420 430 440
频率f（ MHz）的
450
460
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
Gp
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
漏电流I
DD
(A)
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
I
DD
f=430MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
P
OUT
Gp
24
20
16
12
I
DD
f=400MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
24
20
16
12
8
4
0
20
漏电流
I
DD
(A)
漏电流I
DD
(A)
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
8
4
0
10
15
输入功率P
in
（ dBm的）
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
Gp
P
OUT
24
20
16
12
I
DD
f=450MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
8
4
0
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
输出功率和漏电流
与漏极电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
f=400MHz,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
P
OUT
漏电流I
DD
(A)
输出功率和漏电流
与漏极电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
输出功率P
OUT
(W)
f=430MHz,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
I
DD
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
P
OUT
I
DD
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
输出功率P
OUT
(W)
4
6
8
10 12 14
漏极电压V
DD
(V)
漏电流I
DD
(A)
4
6
8
10 12 14
漏极电压V
DD
(V)
RA45H4045MR
2010年6月25日
3/9
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA45H4045MR
框图
符合RoHS指令，
400-450MHz 45W 12.5V ， 3级放大器。对于移动电
描述
该RA45H4045MR是一个45瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于400-到移动无线电
450 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>45W,
η
T
>35 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 400-450MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 66 ×21× 9.88毫米
反向PIN型
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
符合RoHS标准
RA45H4045MR - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA45H4045MR-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA45H4045M
三菱电机
1/8
2006年1月24日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA45H4045MR
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
f=400-450MHz,
Z
G
=Z
L
=50
等级
17
6
100
55
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
以上的参数被独立地保证
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
400
45
典型值
最大
450
单位
兆赫
W
%
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
35
-25
3:1
1
dBc的
—
mA
—
—
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<55W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 45W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有的参数，条件，评分和限制如有变更，恕不另行通知
RA45H4045MR
三菱电机
2/8
2006年1月24日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA45H4045MR
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率，
和输入VSWR与频率的关系
80
输出功率P
OUT
(W)
70
输入VSWR
ρ
in
(-)
60
50
40
30
20
10
ρ
in
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
P
OUT
2
nd
， 3次谐波与频率的关系
-20
谐波（ DBC）
-30
-40
-50
-60
-70
390
2
nd
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
rd
80
70
总有效率
η
T
(%)
60
50
η
T
40
30
20
10
3
rd
0
0
390 400 410 420 430 440 450 460
频率f（ MHz）的
400
410 420 430 440
频率f（ MHz）的
450
460
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
Gp
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
漏电流I
DD
(A)
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
I
DD
f=430MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
P
OUT
Gp
24
20
16
12
I
DD
f=400MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
24
20
16
12
8
4
0
20
漏电流
I
DD
(A)
漏电流I
DD
(A)
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
8
4
0
10
15
输入功率P
in
（ dBm的）
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
Gp
P
OUT
24
20
16
12
I
DD
f=450MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
8
4
0
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
输出功率和漏电流
与漏极电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
f=400MHz,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
P
OUT
漏电流I
DD
(A)
输出功率和漏电流
与漏极电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
输出功率P
OUT
(W)
f=430MHz,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
I
DD
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
P
OUT
I
DD
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
输出功率P
OUT
(W)
4
6
8
10 12 14
漏极电压V
DD
(V)
漏电流I
DD
(A)
4
6
8
10 12 14
漏极电压V
DD
(V)
RA45H4045MR
三菱电机
3/8
2006年1月24日
QQ：2580480828 复制
