【数据表10V驱动N沟道MOSFETR8002ANX结构硅N沟道MOSFET尺寸（单位：毫米）TO-2】,IC型号R8002ANX,R8002ANX PDF资料,R8002ANX经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

10V驱动N沟道MOSFET

R8002ANX

结构

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

TO-220FM

10.0

3.2

4.5

2.8

■特点

1）低导通电阻。

2 ）低输入电容。

3 ）高ESD 。

15.0

12.0

8.0

14.0

2.5

1.3

1.2

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

0.8

2.54

(1) (2) (3)

2.54

0.75

2.6

应用

开关

包装规格

TYPE

R8002ANX

包

CODE

基本订购单位（件）

体积

500

内部电路

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

符号

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

雪崩电流

雪崩能量

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

*2 L

500H ，V

= 50V ，R

=25, T

=25°C

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

(1)

(2)

(3)

体二极管

范围

800

0.265

150

单位

DSS

连续

脉冲

连续

脉冲

GSS

英镑

* 3仅受最大通道温度允许的。

*4 T

=25°C

热阻

参数

渠道情况

符号

TH（ CH-C ）

范围

3.57

单位

/ W

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2011.10 - Rev.A的

R8002ANX

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

符号

GSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

升

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

800

3.0

0.5

典型值。

3.3

210

130

12.7

2.7

4.3

马克斯。

100

5.0

4.3

单位

条件

=30V, V

=0V

= 1mA时， V

=0V

=800V, V

=0V

= 10V ，我

=1mA

= 1.0A ，V

=10V

= 10V ，我

=1.0A

=25V

=0V

f=1MHz

400V ，我

=1.0A

=10V

=400

=10

400V

=2.0A

=10V

数据表

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

单位

条件

= 2.0A ，V

=0V

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2011.10 - Rev.A的

R8002ANX

ⅵELECTRICAL

特性曲线

(Ta=25C)

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

0.5

=25°C

脉冲

0.4

=10.0V

漏电流：我

[A]

=8.0V

0.3

=7.0V

=6.5V

0.2

=6.0V

=5.5V

0.1

=5.0V

0.2

0.4

0.6

0.8

漏源电压： V

[V]

数据表

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

=25°C

脉冲

1.5

漏电流：我

[A]

=10.0V

=8.0V

=7.0V

=6.5V

=6.0V

0.5

=5.5V

漏源电压： V

[V]

图3典型的传输特性

=10V

脉冲

=125°C

=75°C

=25°C

=-25°C

栅极阈值电压： V

GS （ TH）

[V]

图4栅极阈值电压与通道温度

=10V

=1mA

脉冲

漏Currnt ：我

[A]

0.1

0.01

0.001

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

栅源电压： V

[V]

-50

100

150

通道温度：T已

[℃]

图5静态漏源通态电阻与漏电流

100

=10V

脉冲

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[Ω]

静态漏源通态电阻值：R

DS （ ON）

[Ω]

=125°C

=75°C

=25°C

=-25°C

图6静态漏源导通电阻与通道温度

=2A

=10V

脉冲

=1A

0.1

0.01

0.1

-50

100

150

漏电流：我

[A]

通道温度：T已

[℃]

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2011.10 - Rev.A的

R8002ANX

数据表

图7静态漏源通态电阻与栅源电压

=25°C

脉冲

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[Ω]

正向转移导纳

[S]

图8正向转移导纳主场迎战漏电流

=10V

脉冲

=1.0A

=2.0A

0.1

=125°C

=75°C

=25°C

=-25°C

0.01

栅源电压： V

[V]

0.001

0.01

0.1

漏电流：我

[A]

图9源电流和源极 - 漏极电压

=0V

脉冲

10000

图10典型的电容与漏源电压

=25°C

f=1MHz

=0V

=125°C

=75°C

=25°C

=-25°C

1000

电容： C [ pF的]

国际空间站

源电流：是[ A]

100

0.1

OSS

RSS

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

源极 - 漏极电压： V

[V]

0.01

0.1

100

1000

漏源电压： V

[V]

图11开关特性

10000

≒400V

=10V

=10Ω

=25°C

脉冲

图12动态输入特性

栅源电压： V

[V]

=25°C

=400V

=2A

脉冲

1000

切换时间： T [ NS ]

100

D（关闭）

D（上）

0.01

0.1

漏电流：我

[A]

总栅极电荷：Q

[ NC ]

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2011.10 - Rev.A的

R8002ANX

数据表

图13归瞬态热阻VS脉冲宽度

图14最大安全工作区

100

归瞬态热阻： R（T ）

=25°C

单脉冲

=25°C

单脉冲

漏电流：我

[ A ]

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

= 10V)

0.1

= 100μs

为1ms

0.1

= 10ms的

0.01

0.001

0.01

RTH

（ CH -A ）

=64.2°C/W

RTH

（ CH -A ）

（吨） = R（T） × Rth的

（ CH -A ）

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

0.1

100

1000

脉冲宽度： PW （ S）

漏源电压： V

[ V ]

图15反向恢复时间与源电流

1000

=25°C

=0V

di/dt=100A/ms

脉冲

反向恢复时间：吨

[ NS ]

100

源电流：我

[A]

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