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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第519页 > RSF014N03
RSF014N03
晶体管
4V驱动N沟道MOSFET
RSF014N03
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
TUMT3
0.85Max.
0.77
2.0
特点
1)低导通电阻。
2 )节省空间,小型表面贴装封装( TUMT3 ) 。
3 ) 4V的驱动器。
( 1 )门
0.3
(3)
1.7
0.2
(1)
(2)
2.1
0~0.1
0.65 0.65
1.3
0.17
应用
开关
( 2 )资料来源
( 3 )排水
缩写符号: PN
包装规格
TYPE
RSF014N03
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TL
3000
内部电路
(3)
(1)
1
2
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
0.15Max.
0.2
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
30
20
±1.4
±5.6
0.6
5.6
0.8
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
156
单位
° C / W
Rev.A的
1/4
RSF014N03
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
1
典型值。
170
250
270
70
15
12
6
6
13
8
1.4
0.6
0.3
马克斯。
10
1
2.5
240
350
380
2.0
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 1.4A ,V
GS
= 10V
I
D
= 1.4A ,V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.4A ,V
GS
= 4V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1.4A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V
I
D
= 0.7A
V
GS
= 10V
R
L
=21
R
G
=10
V
DD
15V
L
=11
V
GS
= 5V
R
G
=10
I
D
= 1.4A
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 0.6A ,V
GS
=0V
Rev.A的
2/4
RSF014N03
晶体管
电气特性曲线
1000
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
10
Ta=25°C
9 V
DD
=15V
I
D
=1.4A
8
R
G
=10
7脉冲
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
100
t
f
100
C
国际空间站
t
D(关闭)
10
C
OSS
C
RSS
10
t
D(上)
t
r
1
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压: V
DS
(V)
1
0.01
0.1
1
10
图1典型电容
与漏源电压
漏电流:我
D
(A)
门源电压: V
GS
(V)
电容:C (PF )
切换时间: T( NS )
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图2开关特性
图3动态输入特性
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
10
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
Ta=25°C
900脉冲
800
700
600
500
I
D
=0.7A
I
D
=1.4A
10
V
GS
=0V
脉冲
1
源电流:我
S
(A)
漏电流:我
D
(A)
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
0.1
0.01
0.001
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压: V
GS
(V)
门源电压: V
GS
(V)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
导通状态电阻
与栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
V
GS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻,R
DS ( OM )
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
10000
10000
10000
V
GS
=4V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
1000
1000
100
100
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图7静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
Ι
)
图8静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
ΙΙ
)
图9静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
ΙΙΙ
)
Rev.A的
3/4
RSF014N03
晶体管
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
1000
Ta=25°C
脉冲
V
GS
=4V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
100
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
图10静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
Ι
)
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RSF014N03
晶体管
4V驱动N沟道MOSFET
RSF014N03
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
TUMT3
特点
1)低导通电阻。
2 )节省空间,小型表面贴装封装( TUMT3 ) 。
3 ) 4V的驱动器。
( 1 )门
应用
开关
( 2 )资料来源
( 3 )排水
缩写符号: PN
包装规格
TYPE
RSF014N03
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TL
3000
内部电路
(3)
0.2Max.
(1)
1
2
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
30
20
±1.4
±5.6
0.6
5.6
0.8
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
156
单位
° C / W
REV.B
1/4
RSF014N03
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
1
典型值。
170
250
270
70
15
12
6
6
13
8
1.4
0.6
0.3
马克斯。
10
1
2.5
240
350
380
2.0
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 1.4A ,V
GS
= 10V
I
D
= 1.4A ,V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.4A ,V
GS
= 4V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1.4A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V
I
D
= 0.7A
V
GS
= 10V
R
L
=21
R
G
=10
V
DD
15V
L
=11
V
GS
= 5V
R
G
=10
I
D
= 1.4A
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 0.6A ,V
GS
=0V
REV.B
2/4
RSF014N03
晶体管
电气特性曲线
1000
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
10
Ta=25°C
9 V
DD
=15V
I
D
=1.4A
8
R
G
=10
7脉冲
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
100
t
f
100
C
国际空间站
t
D(关闭)
10
C
OSS
C
RSS
10
t
D(上)
t
r
1
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压: V
DS
(V)
1
0.01
0.1
1
10
图1典型电容
与漏源电压
漏电流:我
D
(A)
门源电压: V
GS
(V)
电容:C (PF )
切换时间: T( NS )
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图2开关特性
图3动态输入特性
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
10
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
Ta=25°C
900脉冲
800
700
600
500
I
D
=0.7A
I
D
=1.4A
10
V
GS
=0V
脉冲
1
源电流:我
S
(A)
漏电流:我
D
(A)
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
0.1
0.01
0.001
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压: V
GS
(V)
门源电压: V
GS
(V)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
导通状态电阻
与栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
V
GS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻,R
DS ( OM )
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
10000
10000
10000
V
GS
=4V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
1000
1000
100
100
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图7静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
Ι
)
图8静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
ΙΙ
)
图9静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
ΙΙΙ
)
REV.B
3/4
RSF014N03
晶体管
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
1000
Ta=25°C
脉冲
V
GS
=4V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
100
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
图10静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
Ι
)
REV.B
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RSF014N03
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
RSF014N03
ROHM/罗姆
21+
6240
SOT23
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:183166527 复制 点击这里给我发消息 QQ:3404987807 复制
电话:0755-83515980
联系人:陈先生
地址:深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
RSF014N03
ROHM/罗姆
21+
43733
SOT-323T
原装正品
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