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R1Q3A3636/R1Q3A3618/R1Q3A3609
36 - Mbit的QDR II SRAM
4字突发
REJ03C0295-0003
初步
修订版0.03
2007年7月31日
描述
该R1Q3A3636是1,048,576字由36位中, R1Q3A3618是2,097,152字由18位,而R1Q3A3609是
使用4,194,304字由9位同步四倍数据速率静态RAM制造与先进的CMOS技术
全CMOS六晶体管存储器单元。它集成了独特的同步外围电路和突发计数器。所有
由输入时钟对控制的输入寄存器(K和/ K)和被锁存于K和/ K的正边缘。这些
产品适合于应用程序需要同步操作,高速,低电压,高密度和
宽位配置。这些产品被包装在165引脚塑料FBGA封装。
特点
1.8 V
±
核心0.1 V电源(V
DD
)
1.4 V到V
DD
对于I / O电源(V
DDQ
)
DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来频率缩放
分开独立的读写并发交易数据端口
100%的总线利用率的DDR读写操作
四剔爆,可降低频率地址
两个输入时钟(K和/ K )用于精确DDR定时,只有时钟上升沿
精确的飞行时间和时钟歪斜匹配的时钟和数据两个输出时钟(C和/ C)一起交付给
接收设备
内部自定时写控制
用微秒重启时钟停止功能
用户可编程的输出阻抗
快时钟周期时间: 3.0 ns的( 333兆赫) /3.3纳秒( 300兆赫) /4.0纳秒( 250兆赫) /
5.0纳秒( 200兆赫) /6.0纳秒( 167兆赫)
为便于深度扩展简单的控制逻辑
JTAG边界扫描
注: QDR RAM和四倍数据速率RAM中包含的产品赛普拉斯开发一个新的家庭
半导体, IDT , NEC ,三星和瑞萨科技公司
初步:
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您就近
瑞萨科技公司销售部有关规范。
REJ03C0295-0003 Rev.0.03 2007年7月31日
分页: 24 1
R1Q3A3636/R1Q3A3618/R1Q3A3609
订购信息
型号
R1Q3A3636ABG-30R
R1Q3A3636ABG-33R
R1Q3A3636ABG-40R
R1Q3A3636ABG-50R
R1Q3A3636ABG-60R
R1Q3A3618ABG-30R
R1Q3A3618ABG-33R
R1Q3A3618ABG-40R
R1Q3A3618ABG-50R
R1Q3A3618ABG-60R
R1Q3A3609ABG-30R
R1Q3A3609ABG-33R
R1Q3A3609ABG-40R
R1Q3A3609ABG-50R
R1Q3A3609ABG-60R
组织
1 - M个字
×
36-bit
周期
3.0纳秒
3.3纳秒
4.0纳秒
5.0纳秒
6.0纳秒
3.0纳秒
3.3纳秒
4.0纳秒
5.0纳秒
6.0纳秒
3.0纳秒
3.3纳秒
4.0纳秒
5.0纳秒
6.0纳秒
时钟频率
333兆赫
300兆赫
250兆赫
200兆赫
167兆赫
333兆赫
300兆赫
250兆赫
200兆赫
167兆赫
333兆赫
300兆赫
250兆赫
200兆赫
167兆赫
塑料FBGA 165脚
PLBG0165FB-A
笔记
2 - M个字
×
18-bit
4-M的字
×
9-bit
注:1.型号
(0: 1 )R 1 :瑞萨存储器前缀
( 2 : 3 ) Q2 : QDRII 2字突发SRAM
Q3 : QDRII 4字突发SRAM
Q4 : DDRII 2字突发SRAM
Q5 : DDRII 4字突发SRAM
Q6 : DDRII 2字突发SRAM独立的I / O
(4)
答: V
DD
=1.8V
( 5 : 6 ) 36 :密度= 36MB
72 :密度= 72MB
( 7 : 8 ) 36 :组织= X36
18 :组织= X18
09 :组织= X9
管脚配置
R1Q3A3636
系列
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
/ CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
/ DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
3
NC
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
4
/W
SA
5
/BW2
/BW3
SA
6
/K
K
NC
7
/BW1
/BW0
SA
8
/R
SA
9
SA
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
10
NC
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
V
SS
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
/C
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
SA
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
( TOP VIEW )
REJ03C0295-0003 Rev.0.03 2007年7月31日
分页: 24 2
R1Q3A3636/R1Q3A3618/R1Q3A3609
R1Q3A3618
系列
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
/ CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
/ DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
3
SA
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
4
/W
SA
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
/BW1
NC
SA
6
/K
K
NC
7
NC
/BW0
SA
8
/R
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
/C
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
10
NC
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
( TOP VIEW )
R1Q3A3609
系列
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
/ CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
/ DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS
NC
NC
D5
NC
NC
D6
3
SA
NC
NC
NC
Q5
NC
Q6
4
/W
SA
V
REF
NC
NC
Q7
NC
D8
NC
TCK
V
DDQ
NC
NC
D7
NC
NC
Q8
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
NC
NC
SA
6
/K
K
NC
7
NC
/ BW
SA
8
/R
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
/C
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
10
SA
NC
NC
NC
D3
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
V
REF
Q2
NC
NC
NC
NC
D0
TMS
11
CQ
Q4
D4
NC
Q3
NC
NC
ZQ
D2
NC
Q1
D1
NC
Q0
TDI
( TOP VIEW )
注:为未来更高密度的SRAM 1.地址扩展的顺序(即72MB
144Mb
→ 288MB ) :
(9A
3A
10A)
2A
7A
5B.
REJ03C0295-0003 Rev.0.03 2007年7月31日
第24 3
R1Q3A3636/R1Q3A3618/R1Q3A3609
引脚说明
名字
SA
I / O类型
输入
说明
同步地址输入:这些输入注册的,必须符合设置
时间和保持时间的所有交易数据上操作围绕K的上升沿的脉冲串对四
字(总线活动的两个时钟周期) 。这些输入被忽略,当设备
取消选择。
同步读取:当低,这导致输入要注册的地址输入
并启动一个读周期。该输入必须满足建立和保持时间左右
钾的上升沿,和K上的后续的上升沿被忽略
同步写:当低,这导致输入要注册的地址输入
并发起一个写周期。该输入必须满足建立和保持时间左右
钾的上升沿,和K上的后续的上升沿被忽略
同步字节写操作:当低,这些投入使它们各自的字节是
注册并在写周期写入。这些信号必须满足建立和保持
围绕K和/ K的上升沿次,每次的两个上升沿,包括
写周期。见字节写真值表进行信号数据的关系。
输入时钟:该输入时钟对注册在上升地址和控制输入
K上的上升沿和/ K的上升沿边缘的K ,以及寄存器中的数据。 / K是
理想情况下180度的相位差K.所有同步输入必须满足建立和
持有全天候上升沿时间。这些球无法保持V
REF
的水平。
输出时钟:这个时钟对提供调谐器输出的用户控制手段
数据。的/ C的上升沿被用作第一和第三输出定时基准
输出数据。 C的上升沿被用作用于第二输出定时基准
和第四输出数据。理想情况下, / C为180度的相位差与C C和/℃可
被拉高强制使用的K和/ K作为输出的参考时钟,而不是
有提供C和/ C时钟。如果拉高, C和/ C必须保持高不
设备操作期间进行切换。这些球无法保持V
REF
的水平。
DLL禁用:低时,此输入将导致DLL被绕过稳定,低
频率工作。
输出阻抗匹配输入:该输入用于调整器件输出到
系统数据总线的阻抗。 Q和CQ的输出阻抗设定为0.2 × RQ。其中
RQ是从这场球对地的电阻。这种球可以直接连接到V
DDQ
,
这使得最小阻抗模式。这个球不能直接连接
到V
SS
或悬空。
IEEE1149.1测试输入: 1.8 V的I / O电平。这些球可能会留下无法连接。如果
JTAG的功能没有在电路中使用。
IEEE1149.1时钟输入: 1.8 V的I / O电平。该球必须被连接到V
SS
如果JTAG
功能没有在电路中使用。
同步数据输入:输入数据必须满足建立和保持周围的时代
在写操作期间上涨K和/ K的边缘。见管脚配置数字
单个信号的球位点位置。在× 9设备使用D0到D8 。剩下的信号
不被使用。本× 18设备采用D0到D17 。剩下的信号不被使用。该
× 36设备采用D0到D35 。
同步回波时钟输出:这些输出的边缘紧密地匹配
同步数据输出,并可以被用作一个数据有效指示。这些
信号运行自如,不当Q三态停止。
IEEE 1149.1测试输出: 1.8 V的I / O电平。
同步数据输出:输出数据被同步到各个C和/℃,或
到相应的K和/ K ,如果C和/ C是绑高。该总线响应工作
/ R命令。见引脚排列图单个信号的球选址。
在× 9设备使用Q0为Q8 。剩下的信号不被使用。本× 18设备用途
Q0到Q17 。剩下的信号不被使用。本× 36设备使用Q0到Q35 。
电源: 1.8 V标称。见直流特性和操作条件
范围内。
电源:隔离输出缓冲区的供应。标称1.5 V 1.8 V也
允许的。见直流特性和操作条件范围。
笔记
/R
输入
/W
输入
/ BW
x
输入
K, /K
输入
C, /C
输入
/ DOFF
ZQ
输入
输入
TMS
TDI
TCK
D
0
到D
n
输入
输入
输入
CQ , / CQ
产量
TDO
Q
0
以Q
n
产量
产量
V
DD
V
DDQ
供应
供应
REJ03C0295-0003 Rev.0.03 2007年7月31日
第24 4
R1Q3A3636/R1Q3A3618/R1Q3A3609
名字
V
SS
V
REF
NC
I / O类型
供应
说明
电源:地面上。
HSTL输入参考电压:名义上V
DDQ
/ 2 ,但也可以进行调整,以提高
系统的噪声容限。提供参考电压的HSTL输入缓冲器。
无连接:这些信号没有内部连接。这些信号可以留
浮动或连接到地,以改善封装的散热性。
笔记
注:1.所有电源和地面球必须被连接的设备的正确操作。
框图
( R1Q3A3636 / R1Q3A3618 / R1Q3A3609系列)
18/19/20
地址
/R
/W
K
(/K)
/W
4/2/1
地址
注册处
逻辑
72
/36
/18
18/19/20
ZQ
72
/36
/18
MUX
产量
注册
注册
(数据输入)
/R
K
/K
D
36/18/9
MUX
数据
注册处
逻辑
72
/36
/18
内存
ARRAY
72
/36
/18
产量
SELECT
产量
卜FF器
/ BWX
写入驱动器
SENSE AMP
144
/72
/36
Q
(数据输出)
36/18/9
2
CQ
/ CQ
K
C
C,/C
or
K,/K
REJ03C0295-0003 Rev.0.03 2007年7月31日
第24个5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    R1Q3A3609ABG-50R
    -
    -
    -
    -
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