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RN1901AFS~RN1906AFS
东芝三极管
NPN硅外延式( PCT程序) (晶体管,内置偏置电阻)
RN1901AFS , RN1902AFS , RN1903AFS
RN1904AFS , RN1905AFS , RN1906AFS
开关,逆变电路,接口电路和驱动程序
电路的应用
1.0±0.05
0.1±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
0.15±0.05
(E1)
(B1)
(C2)
(E2)
(B2)
(C1)
单位:mm
0.35 0.35
1.0±0.05
结合偏置电阻变成晶体管减少了器件数量。
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑的设备,节省组装成本。
0.7±0.05
两个设备被并入到细间距,小型模具(6针)
封装。
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
互补的RN2901AFS RN2906AFS
0.48
-0.04
+0.02
等效电路和偏置电阻值
C
型号
RN1901AFS
RN1902AFS
R2
RN1903AFS
RN1904AFS
E
RN1905AFS
RN1906AFS
R1 ( kΩ的)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值(kΩ )
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
fS6
JEDEC
JEITA
东芝
1. EMITTER1
2. BASE1
3. COLLECTOR2
4.
EMITTER2
5. BASE2
6. COLLECTOR1
2-1F1D
重量:0.001克(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
( Q1 , Q2常见)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1901AFS~1906AFS
RN1901AFS~1906AFS
RN1901AFS~1904AFS
RN1905AFS , 1906AFS
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
80
50
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
等效电路
( TOP VIEW )
6
5
4
Q1
Q2
1
2
3
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :总的评价
1
2007-11-01
RN1901AFS~RN1906AFS
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
收藏家Cuto FF电流
RN1901AFS~1906AFS
RN1901AFS
RN1902AFS
发射Cuto FF电流
RN1903AFS
RN1904AFS
RN1905AFS
RN1906AFS
RN1901AFS
RN1902AFS
直流电流增益
RN1903AFS
RN1904AFS
RN1905AFS
RN1906AFS
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1901AFS
V
CE (SAT)
RN1902AFS~1906AFS
RN1901AFS
RN1902AFS
输入电压( ON)的
RN1903AFS
RN1904AFS
RN1905AFS
RN1906AFS
输入电压(OFF)的
集电极输出
电容
RN1901AFS~1904AFS
RN1905AFS , 1906AFS
RN1901AFS~1906AFS
RN1901AFS
RN1902AFS
输入电阻
RN1903AFS
RN1904AFS
RN1905AFS
RN1906AFS
RN1901AFS~1904AFS
电阻率
RN1905AFS
RN1906AFS
R1/R2
R1
V
我(关闭)
C
ob
V
CE
=
5 V,I
C
=
0.1毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0,
f
=
1兆赫
V
我(上)
V
CE
=
0.2 V,I
C
=
5毫安
I
C
=
5毫安,
I
B
=
0.5毫安
I
C
=
5毫安,
I
B
=
0.25毫安
h
FE
V
CE
=
5 V,I
C
=
10毫安
I
EBO
V
EB
=
10 V,I
C
=
0
符号
I
CBO
I
首席执行官
测试条件
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
0.89
0.41
0.18
0.088
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
0.085
0.08
30
50
70
80
80
80
典型值。
最大
100
500
1.33
0.63
0.29
0.133
0.127
0.121
mA
单位
nA
0.15
V
1.2
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
0.8
0.5
3.76
8
17.6
37.6
1.76
3.76
0.8
0.7
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
2.2
2.6
3.5
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
5.64
12
26.4
56.4
2.64
5.64
1.2
V
pF
V
0.0376 0.0468 0.0562
0.08
0.1
0.12
2
2007-11-01
RN1901AFS~RN1906AFS
RN1901AFS
IC - 六( ON)
100
集电极电流Ic ( mA)的
共发射极
VCE = 0.2 V
RN1902AFS
IC - 六( ON)
100
集电极电流Ic ( mA)的
共发射极
VCE = 0.2 V
10
10
Ta=100°C
1
25
-25
Ta=100°C
1
25
-25
0.1
0.1
1
10
输入电压
 
六(ON), (V)的
100
0.1
0.1
1
10
输入电压
 
六(ON), (V)的
100
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1903AFS
IC - 六( ON)
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1904AFS
IC - 六( ON)
常见EMMITER
VCE = 0.2 V
共发射极
VCE = 0.2 V
10
TA = 100℃
25
1
-25
10
TA = 100℃
25
1
-25
0.1
0.1
1
10
输入电压
 
六(ON), (V)的
100
0.1
0.1
1
10
输入电压
 
六(ON), (V)的
100
RN1905AFS
100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1906AFS
IC - 六( ON)
共发射极
VCE = 0.2 V
共发射极
VCE = 0.2 V
10
10
TA = 100℃
1
25
-25
TA = 100℃
1
25
-25
0.1
0.1
1
10
输入电压
 
六(ON), (V)的
100
0.1
0.1
1
10
输入电压
 
六(ON), (V)的
100
3
2007-11-01
RN1901AFS~RN1906AFS
RN1901AFS
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流Ic (微安)
共发射极
VCE = 5V
RN1902AFS
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流
 IC
( UA)
共发射极
VCE = 5V
1000
TA = 100℃
25
-25
1000
TA = 100℃
25
-25
100
100
10
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
输入电压
 
六(关) (V)的
10
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
输入电压
 
六(关) (V)的
RN1903AFS
10000
集电极电流Ic (微安)
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流Ic (微安)
RN1904AFS
IC - 六(OFF )
常见EMMITER
VCE = 5V
共发射极
VCE = 5V
1000
TA = 100℃
25
-25
1000
TA = 100℃
-25
100
100
25
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
输入电压
 
六(关) (V)的
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
输入电压
 
六(关) (V)的
RN1905AFS
10000
集电极电流Ic (微安)
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流Ic (微安)
RN1906AFS
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE = 5V
共发射极
VCE = 5V
1000
TA = 100℃
25
-25
1000
TA = 100℃
25
-25
100
100
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
输入电压
 
六(关) (V)的
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
输入电压
 
六(关) (V)的
4
2007-11-01
RN1901AFS~RN1906AFS
的hFE - IC
1000
共发射极
VCE = 5V
直流电流增益
②hFE
RN1902AFS
HEE - IC
1000
RN1901AFS
集电极发射极
VCE = 5V
直流电流增益
②hFE
100
TA = 100℃
TA = 100℃
100
25
-25
25
-25
10
1
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
RN1903AFS
1000
的hFE - IC
1000
RN1904AFS
hFE- IC
常见EMMITER
VCE = 5V
直流电流增益
②hFE
直流电流增益
②hFE
共发射极
VCE = 5V
Ta=100°C
100
-25
25
TA = 100℃
100
-25
25
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
RN1905AFS
1000
的hFE - IC
1000
RN1906AFS
的hFE - IC
共发射极
VCE = 5V
直流电流增益
②hFE
直流电流增益
②hFE
共发射极
VCE = 5V
Ta=100°C
100
-25
25
TA = 100℃
100
-25
25
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
5
2007-11-01
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