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塑封硅红外
PHOTOTRANSISTOR
QSD122
包装尺寸
0.195 (4.95)
QSD123
QSD124
参考
表面
0.305 (7.75)
0.800 (20.3)
民
辐射源
0.040 (1.02)
喃
集热器
概要
0.500 (1.25)
0.100 （ 2.54 ） NOM
集热器
0.240 (6.10)
0.215 (5.45)
注意事项：
0.020 (0.51)
SQ 。 （2X）
1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 （ 0.25 ）
除非另有规定ED 。
辐射源
描述
该QSD122 /一百二十四分之一百二十三是封装在一个透明的红外线光电晶体管，黑T - 1 3/4封装。
特点
NPN硅光电晶体管
封装类型： T-1 3/4
缺口发射器： QED12X / QED22X / QED23X
窄接收角： 24 ℃，
日光过滤器
包装材料和颜色：黑色环氧
高灵敏度
2001年仙童半导体公司
DS300361
7/20/01
1 4
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塑封硅红外
PHOTOTRANSISTOR
QSD122
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
(2,3,4)
焊接温度（流动）
(2,3)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
功耗
(1)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
V
CE
V
EC
P
D
等级
-40至+100
-40至+100
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
30
5
100
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
mW
QSD123
QSD124
注意：
1.减免功耗线性1.33毫瓦/°C， 25°C以上。
2. RMA助焊剂，推荐。
3.甲醇或异丙醇的醇被推荐作为清洗剂。
4.烙铁
1/16”
（ 1.6毫米）从最低住房。
5.
!
= 880纳米，铝镓砷。
电/光特性
参数
测试条件
(T
A
=25°C)
符号
民
典型值
最大
单位
峰值灵敏度波长
接收角
集电极 - 发射极暗电流
集电极发射极击穿
发射极集电极击穿
通态集电极电流
(5)
QSD122
QSD123
QSD124
饱和电压
(5)
上升时间
下降时间
V
CE
= 10 V ，E
e
= 0
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
!
PS
＆ QUOT ;
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
—
—
—
30
5
1.00
4.00
6.00
—
—
—
880
±12
—
—
—
—
—
—
—
7
7
—
—
100
—
—
6.00
16.00
—
0.4
—
—
nm
度。
nA
V
V
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
, V
CE
= 5 V
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
, I
C
- 0.5毫安
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100 V I
C
- 0.2毫安
I
C（ ON）
V
CE （SAT）
t
r
t
f
mA
V
s
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DS300361
塑封硅红外
PHOTOTRANSISTOR
QSD122
图1.光电流与辐射强度
100
QSD123
100
90
80
QSD124
图2.角响应曲线
110
120
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0
I
C（ ON）
- 光电流（mA ）
130
10
140
150
160
1
170
180
1.0
0.1
0.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
E
e
- 辐射强度（毫瓦/平方厘米
2
)
图3.暗电流和集电极 - 发射极电压
10
1
10
1
图4.光电流与集电极 - 发射极电压
Ie=1mW/cm
2
Ie=0.5mW/cm
2
Ie=0.2mW/cm
2
Ie=0.1mW/cm
2
10
-1
I
首席执行官
- 暗电流（ nA的）
10
0
I
L
- 归光电流
10
0
10
-1
10
-2
10
-2
标准化为：
V
CE
= 5V
IE = 0.5MW /厘米
2
T
A
= 25
o
C
10
-3
0
5
10
15
20
25
30
10
-3
0.1
1
10
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
图5.暗电流与环境温度
10
4
I
首席执行官
- 归一化暗电流
标准化为：
V
CE
= 25V
10
3
T
A
= 25
o
C
10
2
V
CE
=25V
V
CE
=10V
10
1
10
0
10
-1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
o
T
A
- 环境温度（ C）
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塑封硅红外
PHOTOTRANSISTOR
QSD122
QSD123
QSD124
放弃
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以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担
因任何产品或电路的应用或使用任何责任DESCRIBED
此处;它也没有传达任何许可根据其专利权，也没有权利
其他人。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可， FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
其中， （ a）打算通过外科手术系统
植入到体内，或（b ）支持或维持生命，
（三）未能履行其在正确
用于按照提供的使用说明
在标签，可以合理预期导致
显著伤害用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
有效性。
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